Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5.4. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi
Abb. 5.4.32: Links: Beugungsbild von 1ML PTCDA adsorbiert bei 140 ◦ C (34eV). Rechts: Beugungs-
bild von 1,5ML PTCDA adsorbiert bei 140 ◦ C (34eV).
Adsorbiert PTCDA bei einer Substrattemperatur von (140±20) ◦ C, so kann das in Abb.
5.4.31 dargestellte Beugungsbild beobachtet werden. Wird das Beugungsbild für eine
Bedeckung von 0,5 ML betrachtet, sind analog zu der Adsorption bei Raumtemperatur
scharfe Reflexe verschiedener HB-Strukturen zu erkennen. Die Abmessung der Einheitszelle
dieser Strukturen ist identisch mit den bei Raumtemperatur beobachteten Dimensionen.
Im Gegensatz zu der Adsorption bei Raumtemperatur sind jedoch bei dieser
Bedeckung die Reflexe von vier HB-Phasen schon gut ausgeprägt. Weiterhin zeigen die
Reflexe der Phasen eine nahezu identische Intensität und es prägt sich keine dominante
HB-Phase aus, wie es bei Raumtemperatur der Fall ist. Dies wird darauf zurückgeführt,
dass die dominante Phase energetisch ungünstig ist und somit durch die erhöhte Mobilität
der Moleküle auf der Oberfläche nicht mehr so häufig ausgebildet wird. Solch
ein unterschiedliches Adsorptionsverhalten wurde auch schon bei dem Wachstum von
PTCDA auf Au(111) beobachtet [8,109]. Die Autoren beobachteten, dass bei erhöhter
Temperatur bestimmte Phasen nicht mehr ausgebildet wurden, was sie ebenfalls darauf
zurückführten, dass einige Phasen energetisch ungünstiger sind. Des Weiteren ist
zu erkennen, dass die (10)- und (01)-Reflexe der HB1-Phase bei erhöhter Temperatur
nicht beobachtet werden können. Das bedeutet, dass bei diesen Temperaturen auch die
HB1-Phase eine p2gg-Symmetrie aufweist, und somit keine Verzerrung der Einheitszelle
auftritt.
In Abb. 5.4.32 sind die Beugungsbilder für 1 ML und 1,5 ML PTCDA dargestellt. Bei
beiden Bedeckungen ist deutlich zu erkennen, dass auch mit zunehmendem Bedeckungs-
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