Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
5.4.5. Strukturelle Untersuchungen bei 140 ◦ C
Da das in dieser Arbeit verwendete Pyrometer
nur einen Temperaturbereich von 1200
300 -1600 1000
800
600
400
200
140°C
0
0 10 20 30
Leistung (W)
40 50
Abb. 5.4.30: Temperaturkurve der Probenoberfläche
für verschiedene Leistungen am Netzteil.
◦C erfassen kann, musste eine
Temperaturkalibrierung der Probe durchgeführt
werden. Mit Hilfe dieser Kalibrierung
ist es möglich, aus der angelegten
Heizleistung eine Aussage über die Temperatur
zu treffen. Zur Aufnahme der
Kurve wurde die Leistung des Netzteils
in verschiedenen Schrittweiten variiert,
um einen Temperaturbereich von 300 -
1000◦C zu erfassen. Die so aufgenommene
Kalibrationskurve sowie die gefittete
Kurve sind in Abb. 5.4.30 dargestellt. Für
die Leistungsmessung wurde ein Fehler
von ±5% und für die Temperaturmessung der Herstellerfehler von ±20◦C angenommen.
Mit Hilfe dieser Kurve konnte die für die folgenden Experimente verwendete Substrattemperatur
zu (140±20) ◦C bestimmt werden und liegt somit deutlich unter der
Desorptionstemperatur von 300◦C [108].
Temperatur (°C)
Abb. 5.4.31: Links: Beugungsbild von 0,5ML PTCDA adsorbiert bei Raumtemperatur (34eV). Rechts:
Beugungsbild von 0,5ML PTCDA adsorbiert bei 140 ◦ C (34eV).
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