- Seite 1 und 2: Wachstum und Charakterisierung dün
- Seite 3: Wachstum und Charakterisierung dün
- Seite 7: Abstract The growth of ordered thin
- Seite 13 und 14: 1. Einleitung In den letzten Jahrze
- Seite 15 und 16: 2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
- Seite 17 und 18: 2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
- Seite 19 und 20: 2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
- Seite 21 und 22: 2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
- Seite 23 und 24: k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
- Seite 25 und 26: 2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
- Seite 27 und 28: 2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
- Seite 29 und 30: 2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
- Seite 31 und 32: 2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
- Seite 33 und 34: elementspezifische Bindungsenergie
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- Seite 40 und 41: 3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
- Seite 42 und 43: 3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
- Seite 44 und 45: 3. Materialsysteme weise eine Bedec
- Seite 46 und 47: 3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
- Seite 48 und 49: 3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
- Seite 50 und 51: 3. Materialsysteme 3.2.3. Wachstum
- Seite 52 und 53: 3. Materialsysteme Abb. 3.3.2: Kris
- Seite 55 und 56: 4. Experimentelle Details Die im Ra
- Seite 57 und 58: 4.1.1. Das XPS Spektrometer 4.1. Da
- Seite 59 und 60: Drehung gegen den Uhrzeigersinn Ein
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4.2. Das SPA-LEED-System nen auf de
- Seite 63 und 64:
4.3. Probenpräparation 4.3.1. Prä
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4.3. Probenpräparation 375 ◦ C,
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4.3.4. Die Babykammer Um die Schich
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4.5. Das IR-Spektrometer Das Materi
- Seite 72 und 73:
5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
- Seite 112 und 113:
5. Wachstum von PTCDA auf passivier
- Seite 115 und 116:
6. Reinigung von GaN-Oberflächen G
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6.1. Stand der Wissenschaft zen im
- Seite 119 und 120:
Die N1s-Emissionslinie 6.2. Emissio
- Seite 121 und 122:
Intensität (arb. units) 294 CH x O
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Chemische Charakterisierung 6.3. Re
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Abb. 6.3.4: STM-Bild der Probenober
- Seite 127 und 128:
6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Rein
- Seite 129 und 130:
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
- Seite 131 und 132:
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
- Seite 133 und 134:
lfd. Nr. Reinigungsschritt 1 initia
- Seite 135 und 136:
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
- Seite 137 und 138:
7. Adsorption von PTCDA auf der GaN
- Seite 139 und 140:
7.2. Morphologische Untersuchungen
- Seite 141 und 142:
Höhe ( ) 5 nm 6 4 2 0 (b) 0 0.5 1.
- Seite 143 und 144:
Anhand der Signalpositionen in Abb.
- Seite 145 und 146:
7.4. Molekül-Substrat-Wechselwirku
- Seite 147 und 148:
Intensität (arb. units) C-K-Kante
- Seite 149 und 150:
8. Zusammenfassung und Ausblick Geg
- Seite 151 und 152:
mögliche Modifizierungsschritt, Pe
- Seite 153 und 154:
A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111)
- Seite 155 und 156:
A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
- Seite 157 und 158:
A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
- Seite 159:
A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfl
- Seite 162 und 163:
Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
- Seite 164 und 165:
Literaturverzeichnis [57] A. R. Smi
- Seite 166 und 167:
Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
- Seite 168 und 169:
Literaturverzeichnis [127] S. Grede
- Seite 170 und 171:
Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel