Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
5.4.3. Morphologische Untersuchungen
Ergänzend zu den XPS- und SPA-LEED-Untersuchungen wurden STM-Analysen durchgeführt.
Um verlässliche Informationen über die Größe der Oberflächenstrukturen machen
zu können, wurden die verwendeten STM-Spitzen anhand einer Si(111)-7×7-
Oberfläche kalibriert.
Die reine Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi-Oberfläche ist in Abb. 5.4.20 (a) dargestellt. Es zeigt
sich eine sehr glatte, gestufte Oberfläche, welche vereinzelt größere Oberflächendefekte
aufweist. Wird die Oberfläche genauer betrachtet, so zeigen sich noch kleinere Defekte
auf den Terrassen (siehe Abb. 5.4.20, schwarze Pfeile). Ebenso lässt sich beobachten,
dass vor allem an den Stufenkanten die Passivierung nicht perfekt ist (siehe Abb.5.4.20,
rote Pfeile).
Abb. 5.4.20: STM-Bilder der reinen Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-Oberfläche (Utip=-2V, IT=0,3nA).
(a) Übersichtsscan der Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-Oberfläche. (b) Vergrößerter Ausschnitt des in Abb.
5.4.20 (a) gekennzeichneten Bereiches.
In Abb. 5.4.21 ist sowohl nochmals die reine Oberfläche als auch die Oberfläche mit
unterschiedlichen PTCDA-Bedeckungen dargestellt. Wird die Oberfläche bei einer Bedeckung
von 0,5 ML analysiert, so ist das PTCDA deutlich in großen Bereichen auf
den Terrassen der Oberfläche zu erkennen (helle Bereiche). Darüber hinaus können nur
sehr wenige kleine Inseln des PTCDA beobachtet werden, was auf eine hohe Mobilität
der Moleküle auf der Oberfläche schließen lässt. Weiterhin ist zu erkennen, dass das
Wachstum im step flow stattfindet, wie es auch bei dem Wachstum von PTCDA auf der
Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag-Oberfläche beobachtet werden konnte [104]. Im oberen Bereich
des Bildes formieren sich vereinzelt schon weitere Lagen. Da dieses Inselwachstum im
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