Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen Abb. 5.4.16: Vergleich des geometrisch simu- lierten Beugungsbilds mit dem experimentellen Beugungsbild (HB: gelb, BW: türkis, BWM: grün, PS: rot). Abb. 5.4.17: Beugungsbild der mit 1ML PTCDA bedeckten Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi- Oberfläche (34eV). Die ungeklärten Beugungs- reflexe sind rot markiert. auf der Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi-Oberfläche zu bestimmen. In Abb. 5.4.18 sind die Beugungsbilder bei unterschiedlichen PTCDA-Bedeckungen dargestellt. Wird das Beugungsbild für eine Bedeckung von 0,3 ML betrachtet, so sind neben den Substrat-Reflexen nur die Reflexe der HB1-Struktur ausgeprägt. Mit zunehmender Bedeckung (0,5 ML) zeigt das Beugungsbild zusätzlich zu den Reflexen der HB1-Struktur sehr schwache Reflexe der weiteren HB-Strukturen (siehe Abb. 5.4.19). Des Weiteren können bei dieser Bedeckung schon die (10)- und (01)-Reflexe der HB1-Struktur beobachtet werden. Dies legt den Schluss nahe, dass die Verzerrung der Einheitszelle, wie schon oben angenommen, durch Molekül-Substrat-Wechselwirkungen verursacht wird. Ab einer Bedeckung von 1 ML sind die Reflexe aller HB-Phasen gut zu erkennen und gewinnen mit zunehmender Bedeckung an Intensität. Eine Analyse der Abmessungen der Einheitszellen der verschiedenen HB- Phasen ergibt keine Veränderung mit zunehmender Bedeckung. Darüber hinaus nehmen auch die Intensitäten der (10)- und (01)- Reflexe der HB1-Struktur deutlich mit dem Bedeckungsgrad zu und sind bei 10 ML stark ausgeprägt. Sowohl die gleichbleibenden Abmessungen der Einheitszelle, als auch die Abweichung von der p2gg-Symmetrie weist daraufhin, dass die durch Molekül-Substrat-Wechselwirkungen verursachte Verzerrung der Einheitszelle auch bei hohen Bedeckungen erhalten bleibt. 88
5.4. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi Abb. 5.4.18: Beugungsbilder für ausgewählte Bedeckungen des PTCDA (34eV). Zusätzlich ist zu erkennen, dass die Beugungsreflexe der BW-, BWM- und PS-Strukturen bei einer Bedeckung von 1 ML die höchste Intensität aufweisen und mit zunehmender Bedeckung wieder schwächer werden. Das bestätigt die oben formulierte Annahme, dass diese Strukturen durch Molekül-Substrat- Wechselwirkungen verursacht werden, welche mit zunehmender Bedeckung immer weiter in den Hintergrund treten. Abb. 5.4.19: Detaillierter Ausschnitt des Beugungsbildes für 0,5ML. 89
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Wachstum und Charakterisierung dün
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Wachstum und Charakterisierung dün
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Abstract The growth of ordered thin
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Inhaltsverzeichnis 3.2.3. Wachstum
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1. Einleitung In den letzten Jahrze
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2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
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2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
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2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
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elementspezifische Bindungsenergie
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3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
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3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
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3. Materialsysteme weise eine Bedec
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3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
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3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
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mögliche Modifizierungsschritt, Pe
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A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111)
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A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
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A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
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A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfl
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Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
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Literaturverzeichnis [57] A. R. Smi
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Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
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Literaturverzeichnis [127] S. Grede
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Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel
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