Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
Abb. 5.4.16: Vergleich des geometrisch simu-
lierten Beugungsbilds mit dem experimentellen
Beugungsbild (HB: gelb, BW: türkis, BWM:
grün, PS: rot).
Abb. 5.4.17: Beugungsbild der mit 1ML
PTCDA bedeckten Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-
Oberfläche (34eV). Die ungeklärten Beugungs-
reflexe sind rot markiert.
auf der Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi-Oberfläche zu bestimmen. In Abb. 5.4.18 sind die Beugungsbilder
bei unterschiedlichen PTCDA-Bedeckungen dargestellt. Wird das Beugungsbild
für eine Bedeckung von 0,3 ML betrachtet, so sind neben den Substrat-Reflexen nur
die Reflexe der HB1-Struktur ausgeprägt. Mit zunehmender Bedeckung (0,5 ML) zeigt
das Beugungsbild zusätzlich zu den Reflexen der HB1-Struktur sehr schwache Reflexe der
weiteren HB-Strukturen (siehe Abb. 5.4.19). Des Weiteren können bei dieser Bedeckung
schon die (10)- und (01)-Reflexe der HB1-Struktur beobachtet werden. Dies legt den
Schluss nahe, dass die Verzerrung der Einheitszelle, wie schon oben angenommen, durch
Molekül-Substrat-Wechselwirkungen verursacht wird. Ab einer Bedeckung von 1 ML sind
die Reflexe aller HB-Phasen gut zu erkennen und gewinnen mit zunehmender Bedeckung
an Intensität. Eine Analyse der Abmessungen der Einheitszellen der verschiedenen HB-
Phasen ergibt keine Veränderung mit zunehmender Bedeckung. Darüber hinaus nehmen
auch die Intensitäten der (10)- und (01)- Reflexe der HB1-Struktur deutlich mit dem
Bedeckungsgrad zu und sind bei 10 ML stark ausgeprägt. Sowohl die gleichbleibenden
Abmessungen der Einheitszelle, als auch die Abweichung von der p2gg-Symmetrie weist
daraufhin, dass die durch Molekül-Substrat-Wechselwirkungen verursachte Verzerrung
der Einheitszelle auch bei hohen Bedeckungen erhalten bleibt.
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