Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Inhaltsverzeichnis
3.2.3. Wachstum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3. 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.1. Die Kristallstruktur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4. Experimentelle Details 43
4.1. Das STM-, XPS-, LEED-System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.1.1. Das XPS Spektrometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.1.2. Das STM-System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.1.3. Die LEED-Optik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.1.4. Die Radiofrequenz(RF)-Plasmaquelle . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.2. Das SPA-LEED-System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.3. Probenpräparation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3.1. Präparation der GaN-Template . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3.2. Präparation der Si(111)-Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.3.3. Präparation der GaN-Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.3.4. Die Babykammer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.4. Die Vakuum-Gradientensublimations-Anlage . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.5. Das IR-Spektrometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.6. Die NEXAFS-Beamline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen 59
5.1. Stand der Wissenschaft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
5.2. Reinigung von PTCDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.3. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag . . . . . . . . . . 65
5.3.1. Strukturelle Untersuchungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.3.2. Charakterisierung der Strukturen über den Wachstumsprozess . . 71
5.4. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi . . . . . . . . . . . 75
5.4.1. Molekül-Substrat-Wechselwirkungen . . . . . . . . . . . . . . . . 75
5.4.2. Strukturelle Untersuchungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.4.3. Morphologische Untersuchungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.4.4. Molekülorientierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
5.4.5. Strukturelle Untersuchungen bei 140 ◦ C . . . . . . . . . . . . . . . 98
5.5. Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6. Reinigung von GaN-Oberflächen 103
6.1. Stand der Wissenschaft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
6.2. Emissionslinien-Formanalyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.3. Reinigung von GaN(0001)-Oberflächen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
6.3.1. Gallium-Deposition/Desorption-Reinigung . . . . . . . . . . . . . 110
6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Reinigung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
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