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10-4 Transistors ist, daß die mittlere Schicht (Basis B) sehr schmal und schwach dotiert ist. Die äußeren Schichten werden Emitter(E) und Kollektor(C) genannt. Man kann sich den Transistor als zwei gegeneinander geschaltete Dioden vorstellen mit der Basis als Mittelabgriff. Abb. 4 Aufbau und Schaltzeichen eines Transistors Funktionsweise eines npn-Transistors: Durch Anlegen einer positiven Spannung von etwa 0.6 – 0.7 V an die Basis ist die Basisemmitterdiode in Durchlassrichtung geschaltet; die Elektronen gelangen in die p-Schicht und werden vom Pluspol der Spannung UBE angezogen. Da die p-Schicht sehr dünn ist, wird nur ein geringer Teil der Elektronen zur Basis fließen. Abb. 5 Funktionsweise eines npn-Transistors in Emitterschaltung Der größte Teil der Elektronen bewegt sich weiter in die obere Grenzschicht. Dadurch wird diese leitend und der Pluspol der Spannung UCE zieht die Elektronen an. Es fließt ein Kollektorstrom IC. In üblichen Transitoren fließen etwa 99% der Elektronen vom Emitter zum Kollektor und nur 1% zur Basis. Durch einen kleinen Basisstrom kann also ein großer Kollektor-Strom gesteuert werden (Transistor als Stromverstärker).
10-5 Zur Charakterisierung von Transistoren werden die gegenseitigen Abhängigkeiten von Strömen (IB, IC, IE) und Spannungen (UCE, UBE, UCB) in sogenannten Kennlinienfeldern (vgl. Abb. 6) dargestellt. Abb. 6 Kennlinienfelder eines Transistors in Emitterschaltung Die Ausgangsgrößen bei der Emitterschaltung sind der Kollektorstrom IC und die Kollektor-Emitterspannung UCE für verschiedene Basisströme IB bzw. Basis- Emitterspannungen UBE. Die Stromsteuerkennlinie (auch Übertragungskennlinie genannt) gibt den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom IC und Basisstrom IB für einen bestimmten Wert von UCE. Aus der Steigung dieser Kennlinie ergibt sich die Stromverstärkung. Als Eingangskennlinie findet man das Verhalten des in Durchlassrichtung gepolten pn-Übergangs Emitter-Basis wieder (Diodenkennlinie).
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