Elektronik

10-4
Transistors ist, daß die mittlere Schicht (Basis B) sehr schmal und schwach
dotiert ist. Die äußeren Schichten werden Emitter(E) und Kollektor(C)
genannt. Man kann sich den Transistor als zwei gegeneinander geschaltete
Dioden vorstellen mit der Basis als Mittelabgriff.
Abb. 4 Aufbau und Schaltzeichen eines Transistors
Funktionsweise eines npn-Transistors: Durch Anlegen einer positiven
Spannung von etwa 0.6 – 0.7 V an die Basis ist die Basisemmitterdiode in
Durchlassrichtung geschaltet; die Elektronen gelangen in die p-Schicht und
werden vom Pluspol der Spannung UBE angezogen. Da die p-Schicht sehr dünn
ist, wird nur ein geringer Teil der Elektronen zur Basis fließen.
Abb. 5
Funktionsweise eines npn-Transistors in Emitterschaltung
Der größte Teil der Elektronen bewegt sich weiter in die obere Grenzschicht.
Dadurch wird diese leitend und der Pluspol der Spannung UCE zieht die
Elektronen an. Es fließt ein Kollektorstrom IC. In üblichen Transitoren fließen
etwa 99% der Elektronen vom Emitter zum Kollektor und nur 1% zur Basis.
Durch einen kleinen Basisstrom kann also ein großer Kollektor-Strom gesteuert
werden (Transistor als Stromverstärker).