Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

olysilicon membrane
4.4 ANALYSE UND ELIMINIERUNG VON PARASITÄREN EFFEKTEN 85
Kapazität [pF]
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
U th1
−30 −20 −10 0 10 20 30
Spannung [V]
Poly-Si
Luft Oxid
n + p+
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
U th2
Löcherkonzentration
ohne laterale Diffusion
Messung
-26V
U
+12V
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Luft
Poly-Si
n +
Oxid
p+
Elektronenkonzentration
-26V
U
+12V
Abbildung 4.36: CV-Charakteristik der Referenzstruktur und Ladungsträgerverteilung
für ausgewählte Punkte auf der Kennlinie: Vergleich zwischen Simulation und Messung.
Die Gleichspannung liegt an der Membran. In der Simulation sind weder laterale Ausdiffusion
noch Grenzflächenladungen berücksichtigt. Die Schwellspannungen für den
�
n-
�
( ) bzw. p-dotierten Bereich ��� ( ) sind gestrichelt eingezeichnet. Die Graphen ver-
����
deutlichen die Änderung der Ladungsträgerdichten mit der angelegten Spannung entlang
des eingezeichneten Schnittes durch die Struktur.
p-dotiertem Gebiet liegenden Feldoxids. Die in Abb. 4.36 zusätzlich dargestellten Graphen
der Elektronen- bzw. Löcherkonzentrationen verdeutlichen diese Abhängigkeit der
Ladungsträgerdichten von der angelegten Spannung entlang des eingezeichneten Schnittes
durch die untersuchte Struktur.
Für die Meßkonfiguration ” nwell high“, d.h. Spannungsrampe an der n-Wanne, verschwinden
die Stufen ganz. Dies liegt daran, daß der pn-Übergang mit zunehmender