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Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

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58 4 MODELLIERUNG AUF KONTINUIERLICHER FELDEBENE<br />

Abbildung 4.14: Druck unter<br />

der Membran bei def<strong>in</strong>iertem<br />

Volumene<strong>in</strong>laß <strong>in</strong> die Pumpkammer.<br />

Bei e<strong>in</strong>em kritischen<br />

Volumen � ¨<br />

<strong>in</strong>stabilen Bereich der Kennl<strong>in</strong>ie.<br />

� � erhält man den<br />

Druck [bar]<br />

0.4<br />

0.2<br />

0.0<br />

FEM<br />

Messung<br />

V=V krit<br />

U=150V<br />

−0.2<br />

−20 0 20 40 60 80<br />

Volumen [nl]<br />

Flüssigkeitsvolumens vom Druck �<br />

, der <strong>auf</strong> die Membran wirkt, ist <strong>in</strong> Abb. 4.13 <strong>auf</strong>getragen.<br />

Für die Kennl<strong>in</strong>ie ohne angelegte elektrische Spannung zwischen Membran<br />

und Gegenelektrode ergibt sich e<strong>in</strong>e sehr gute Übere<strong>in</strong>stimmung mit gemessenen Werten<br />

[38, 160]. Hierbei wurde lediglich die Dicke der Oxidschichten, die prozeßbed<strong>in</strong>gt<br />

nur bis <strong>auf</strong> e<strong>in</strong>ige Prozent genau bekannt ist, angepaßt. Die Kennl<strong>in</strong>ie mit angelegter<br />

Spannung (typischerweise 150 V) zeigt die für elektrostatisch angetriebene Bauelemente<br />

typischen Phänomene der elektromechanischen Instabilität bzw. des elektrostatischen<br />

” Snap-<strong>in</strong>“ und der Hysterese. Ist e<strong>in</strong>e bestimmte kritische Druckdifferenz, hier ¨ 33 mbar,<br />

erreicht, gibt es ke<strong>in</strong>e stabile Gleichgewichtslage der Membran mehr, und sie schnappt<br />

gegen die Gegenelektrode. Wird der anliegende Druck wieder reduziert, löst sich die<br />

Membran erst wieder bei e<strong>in</strong>em weitaus ger<strong>in</strong>geren Wert von der Gegenelektrode, die<br />

Kennl<strong>in</strong>ie zeigt e<strong>in</strong>e Hysterese.<br />

Die <strong>in</strong>stabilen Bereiche der Kennl<strong>in</strong>ie werden zugänglich, <strong>in</strong>dem man e<strong>in</strong>en def<strong>in</strong>ierten<br />

Volumenzustrom <strong>in</strong> die Pumpkammer leitet und den sich e<strong>in</strong>stellenden Druck unterhalb<br />

der Membran mißt [38, 160]. Die resultierende Kennl<strong>in</strong>ie p(V) ist <strong>in</strong> Abb. 4.14 abgebildet.<br />

In der Simulation wird e<strong>in</strong>e def<strong>in</strong>ierte Volumenänderung unter der Membran vorgegeben<br />

und der daraus resultierende Druck <strong>auf</strong> die Membran berechnet 2 . Man beobachtet,<br />

daß es bei gleichbleibender Flüssigkeitsmenge zu e<strong>in</strong>em plötzlichen Unterdruck � <strong>in</strong><br />

¨<br />

der<br />

Pumpkammer kommt, wenn � � e<strong>in</strong> kritisches Volumen erreicht ist. Mittels der F<strong>in</strong>ite-<br />

Element-Rechnungen kann detailliert untersucht werden, wie die Membran am elektromechanisch<br />

<strong>in</strong>stabilen Punkt gegen die Gegenelektrode schnappt. Abb. 4.15 zeigt, daß<br />

sich hier die Biegel<strong>in</strong>ie der Membran so ändert, daß sie <strong>in</strong> der Mitte an der Gegenelektrode<br />

anliegt und sich gleichzeitig im Randbereich von ihr entfernt. So kommt es zu e<strong>in</strong>er<br />

Umverteilung des Fluids unter der Membran und bei gleichbleibendem Flüssigkeitsvolumen<br />

zu e<strong>in</strong>em plötzlichen Unterdruck <strong>in</strong> der Pumpkammer. Dies geschieht dadurch, daß<br />

die elektrischen Kräfte <strong>in</strong> der Mitte der Membran <strong>auf</strong>grund des kle<strong>in</strong>er werdenden Abstandes<br />

zur Gegenelektrode stärker anwachsen als im Randbereich (sog. Shape Snapp<strong>in</strong>g“).<br />

”<br />

2 Die Volumensteuerung <strong>in</strong> der Simulation kann demnach auch als Homotopieverfahren mit dem Volumen<br />

V als Homotopieparameter <strong>auf</strong>gefaßt werden (vgl. Kap. 4.1.2).

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