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Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

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56 4 MODELLIERUNG AUF KONTINUIERLICHER FELDEBENE<br />

dendem Luftspalt verändern sich aber wiederum die Potentialverhältnisse an der Siliziumoberfläche<br />

und somit die MIS-Kapazität. Für die korrekte <strong>Modellierung</strong> der Kopplung<br />

zwischen mechanischer und elektrischer Domäne müssen auch die so hervorgerufenen<br />

Ladungsverschiebungen <strong>in</strong> den verschiedenen Bereichen im Substrat berücksichtigt werden.<br />

Letztere können anhand e<strong>in</strong>er Referenzstruktur besonders gut untersucht werden,<br />

bei der die Polysiliziummembran fest fixiert ist und sich nicht durchbiegen kann, weshalb<br />

die Ladungsverschiebungen alle<strong>in</strong>e durch die Spannungsänderung hervorgerufen werden.<br />

Nach Differenzbildung zwischen Sensor und Referenz tragen diese <strong>Effekte</strong> weiterh<strong>in</strong> zur<br />

Kennl<strong>in</strong>ie bei, und es muß untersucht werden, ob und wie die Meßmethode zu gestalten<br />

ist, um zuverlässige Ergebnisse zu erhalten. Dazu müssen folgende Punkte geklärt<br />

werden:<br />

Wie setzt sich das gemessene Signal zusammen, und wie groß ist der E<strong>in</strong>fluß der<br />

parasitären Kapazitäten <strong>auf</strong> das Meßsignal? Dabei muß auch untersucht werden, ob<br />

und <strong>in</strong>wiefern sich die elektrischen Teilstrukturen gegenseitig bee<strong>in</strong>flussen.<br />

Wie müssen die parasitären elektrischen <strong>Effekte</strong> <strong>in</strong> die gekoppelte Simulation e<strong>in</strong>bezogen<br />

werden, um e<strong>in</strong>e detaillierte qualitative und quantitative Analyse des Meßsignals<br />

durchführen und e<strong>in</strong>e zuverlässige Meßmethode zur elektrischen Charakterisierung<br />

des Sensors ableiten zu können?<br />

Um diese offenen Punkte umfassend zu klären, werden <strong>in</strong> Kap. 4.4 die F<strong>in</strong>ite-Element-<br />

Rechnungen mit Halbleiterbauelementesimulationen gekoppelt und durch simulierte<br />

Kle<strong>in</strong>signalanalysen ergänzt. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen bilden dann die Basis<br />

für die Erstellung e<strong>in</strong>es Makromodells des Systems <strong>in</strong> Kap. 5.2.1.<br />

4.2.4 Beispiel: Elektrostatischer Membranantrieb der<br />

Mikromembranpumpe<br />

Auch zur <strong>Modellierung</strong> des elektrostatischen Membranantriebs der betrachteten Mikromembranpumpe<br />

(siehe Abb. 3.10, Kap. 3.2) muß e<strong>in</strong> elektromechanisch gekoppeltes Problem<br />

gelöst werden. E<strong>in</strong>en schematischen Querschnitt durch die simulierte Struktur zeigt<br />

Abb. 4.12. Die Pumpmembran aus Silizium bildet die mechanische Domäne, die elektrische<br />

Domäne besteht aus der Anordnung von Pumpmembran und Gegenelektrode, die<br />

über e<strong>in</strong>en 40 m hohen Luftspalt vone<strong>in</strong>ander getrennt s<strong>in</strong>d. Um e<strong>in</strong>en Kurzschluß zwischen<br />

beiden Elektroden bei Anschlagen der Pumpmembran an die Gegenelektrode zu<br />

Abbildung 4.12: Schematischer<br />

Querschnitt durch<br />

den elektrostatischen Membranantrieb.<br />

Die e<strong>in</strong>zelnen<br />

physikalischen Simulationsdomänen<br />

s<strong>in</strong>d e<strong>in</strong>gezeichnet.<br />

Gegenelektrode<br />

Luftspalt<br />

Fluid (Fluidelemente)<br />

Kontaktelemente<br />

U<br />

elektr. Domäne<br />

Membran<br />

(mech. Domäne)

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