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Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

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2.3 SIMULATIONSWERKZEUGE 17<br />

physikal. Domäne Potentialgröße �<br />

Flußgröße Erhaltungsgröße<br />

elektrisch ¡ ¢ ���<br />

mechanisch<br />

fluidisch<br />

¡ � �<br />

� �<br />

£ ¡ �<br />

¡<br />

� © ¤<br />

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¢<br />

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���<br />

Tabelle 2.1: Zue<strong>in</strong>ander konjugierte Variablenpaare <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em verallgeme<strong>in</strong>erten Kirchhoffschen<br />

Netzwerk für verschiedene Energiedomänen (mit elektr. Spannung,<br />

elektr. Strom, elektr. Ladung, ¡ ��¡ � ¡<br />

¡ ¡<br />

¡ £<br />

Geschw<strong>in</strong>digkeit, mech. Kraft,<br />

mech. Impuls, � ¡<br />

¤<br />

¡ ¡<br />

hydrostatischer Druck, Volumenstrom ©��<br />

und Masse).<br />

¡<br />

auch <strong>auf</strong> die praktische Umsetzung dieser Pr<strong>in</strong>zipien <strong>in</strong> der Systemsimulation sowie <strong>auf</strong><br />

Methoden zur Ableitung von Kompakt- und Systemmodellen näher e<strong>in</strong>gegangen.<br />

Für alle Fälle ist es wichtig, daß beim Kondensieren der Freiheitsgrade die Konsistenz und<br />

Transparenz des Modells erhalten bleibt. Nur wenn alle Teilsysteme diesen Pr<strong>in</strong>zipien des<br />

generischen Modells genügen, ist sichergestellt, daß alle <strong>Effekte</strong> physikalisch basiert und<br />

konsistent im Systemmodell berücksichtigt s<strong>in</strong>d.<br />

2.3 Simulationswerkzeuge<br />

2.3.1 Überblick über bestehende Simulations- und<br />

TCAD-Umgebungen<br />

In diesem Abschnitt soll e<strong>in</strong> Überblick über Programme und Simulationsumgebungen<br />

gegeben werden, die beim Entwurf von <strong>Mikrosystemen</strong> zur Zeit zum E<strong>in</strong>satz kommen.<br />

Dabei besteht nicht der Anspruch, e<strong>in</strong>e vollständige Liste zu erstellen, sondern lediglich<br />

beispielhaft <strong>auf</strong> e<strong>in</strong>ige wichtige, <strong>in</strong> diesem Sektor häufig e<strong>in</strong>gesetzte Programme und deren<br />

Funktionalität e<strong>in</strong>zugehen.<br />

Im Gegensatz zur Halbleiterelektronik haben sich <strong>in</strong> der Mikrosystemtechnik noch ke<strong>in</strong>e<br />

Simulationsumgebungen etabliert, <strong>in</strong> denen e<strong>in</strong> System beg<strong>in</strong>nend mit dem Herstellungsprozeß<br />

über die Bauelementefunktion bis h<strong>in</strong> zum gesamten System durchgehend<br />

modelliert werden kann, und die <strong>auf</strong> die speziellen Belange von MEMS zugeschnitten<br />

s<strong>in</strong>d. Vielfach werden daher Programme wie beispielsweise F<strong>in</strong>ite-Element-Programme<br />

verwendet, die <strong>auf</strong> anderen Gebieten, wie z.B. dem klassischen Masch<strong>in</strong>enbau, bereits<br />

etabliert s<strong>in</strong>d, aber auch im Bereich der Mikrosystemtechnik e<strong>in</strong>gesetzt werden können.<br />

Sie haben den Nachteil, daß sie nicht <strong>auf</strong> die spezifischen Bedürfnisse <strong>in</strong> der <strong>Modellierung</strong><br />

von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), wie beispielsweise die Vernetzung<br />

von Bauelementen mit großen Aspektverhältnissen, zugeschnitten s<strong>in</strong>d. Häufig e<strong>in</strong>gesetzte<br />

Simulatoren s<strong>in</strong>d hier ABAQUS [1], ANSYS [7] oder ADINA [2] für elektromechanische<br />

Strukturanalysen, Temperaturfeldberechnungen oder elektromagnetische Analysen,<br />

für fluidische Probleme werden häufig FIDAP [34], FLOTRAN [36], FLUENT [35] oder<br />

CFD-ACE [25] verwendet. Für die Simulation von Systemen wird <strong>auf</strong> die klassischen

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