Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

5.4 MIXED-LEVEL-ANSATZ ZUR MODELLIERUNG VON SQFD 145
U[V]
dh [μm]
dh [μm]
dh [μm]
10
5
0
DC=5V
−5
−10
0 0.05
DC=0V
0.1 0.15
0.0
−0.1
−0.2
−0.3
0
−0.05
−0.1
−0.15
p=10mbar, DC=0V
p=1bar, DC=5V
p=1bar, DC=0V
0 0.05 0.1 0.15
−0.2
0 0.05 0.1 0.15
0.0
−0.1
−0.2
−0.3
−0.4
v0 v4_6
v0
v4_6
−0.5
0 0.05 0.1 0.15
t[ms]
t[ms]
t[ms]
t[ms]
Sinusspannung:
Frequenz 48 kHz,
Amplitude 10 V,
DC-Anteil 0 V bzw.
5 V.
Auslenkung h(t) für
� §
Platte (nicht
perforiert);
Druck � variiert.
Auslenkung h(t) für
Platte � § und ��� � ;
Druck 1 bar,
DC-Anteil 0 V.
Auslenkung h(t) für
Platte � § und ��� � ;
Druck 1 bar,
DC-Anteil 5 V.
Abbildung 5.37: Ergebnisse der Systemsimulation für das in Abb. 5.34 dargestellte Testsystem:
Anwort des Systems auf die Anregung mittels einer Sinusspannung (Frequenz
48 kHz, Amplitude 10 V, DC-Anteil 0 V bzw. 5 V).