20.12.2012 Aufrufe

Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

Modellierung gekoppelter Effekte in Mikrosystemen auf ...

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

88 4 MODELLIERUNG AUF KONTINUIERLICHER FELDEBENE<br />

Gekoppelte F<strong>in</strong>ite-Element-Simulation<br />

elektrische Kraft<br />

FEM-Modell des<br />

Drucksensors:<br />

Elektrostatik<br />

elektrische Feldgrößen<br />

FEM-Modell des<br />

Drucksensors:<br />

Mechanik<br />

elektrische Spannung<br />

Deformierter<br />

Rand<br />

Ne<strong>in</strong> Ja<br />

Konvergenz?<br />

Biegel<strong>in</strong>ie<br />

Deformierter<br />

Rand<br />

Halbleiterbauelementesimulation<br />

Modell für<br />

Drucksensor<br />

mit elektronischem<br />

Unterbau<br />

numerische<br />

Kle<strong>in</strong>signalanalyse<br />

CV-Charakteristik<br />

C<br />

Abbildung 4.39: Simulationsschema für die vollständig elektromechanisch gekoppelte<br />

<strong>Modellierung</strong> des mikromechanischen Drucksensors. Für e<strong>in</strong>e gegebene elektrische Spannung<br />

wird die Biegel<strong>in</strong>ie der Sensormembran mittels e<strong>in</strong>er elektromechanisch gekoppelten<br />

FEM-Simulation ermittelt (l<strong>in</strong>ks) und als geometrische Randbed<strong>in</strong>gung an e<strong>in</strong>en<br />

Halbleiterbauelementesimulator übergeben, wo mittels numerischer Kle<strong>in</strong>signalanalyse<br />

die Kapazität der Anordnung extrahiert werden kann (rechts).<br />

Die damit erhaltenen Kennl<strong>in</strong>ien s<strong>in</strong>d <strong>in</strong> Abb. 4.40 dargestellt und stimmen für beide Polungen<br />

der angelegten Spannung ( ” nwell low“, ” nwell high“) besser mit den Messungen<br />

übere<strong>in</strong> als die Ergebnisse der re<strong>in</strong>en FEM-Rechnungen.<br />

Für den Fall ” nwell low“ zeigt sich sogar e<strong>in</strong>e sehr beachtliche Übere<strong>in</strong>stimmung mit<br />

den gemessenen Kurven, obwohl die numerische Kle<strong>in</strong>signalanalyse lediglich mit e<strong>in</strong>em<br />

zweidimensionalen Modell durchgeführt wurde. Für die umgekehrte Polung ( ” nwell<br />

high“) ergibt sich zwar auch e<strong>in</strong>e Verbesserung gegenüber der FEM-Rechnung, allerd<strong>in</strong>gs<br />

fällt diese nicht so deutlich aus wie im Falle von ” nwell low“. Dies läßt sich dar<strong>auf</strong><br />

zurückführen, daß das spannungsabhängige Verhalten der parasitären Kapazitäten <strong>in</strong><br />

diesem Fall stark vom pn-Übergang im Substrat bestimmt wird. Die Kennl<strong>in</strong>ie reagiert<br />

hier also viel empf<strong>in</strong>dlicher <strong>auf</strong> Abweichungen der lateralen Dotierprofile von den realen<br />

Werten als bei der Polung ” nwell low“, wo diese ke<strong>in</strong>e so große Rolle spielen. Über die<br />

laterale Ausdehnung der Profile liegen, wie bereits erwähnt, ke<strong>in</strong>e Meßdaten vor, so daß<br />

hier noch Diskrepanzen zwischen simulierter und gemessener Kennl<strong>in</strong>ie verbleiben.<br />

Die Ergebnisse dieses Abschnitts zeigen, wie wichtig es ist, die Querkopplung zwischen<br />

verschiedenen physikalischen Domänen zu berücksichtigen, um die Meßkurven korrekt<br />

<strong>in</strong>terpretieren zu können. Parasitäre und erwünschte Meßsignale lassen sich hier meß-<br />

V

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!