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Einführung in die physikalischchemischen Übungen

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<strong>E<strong>in</strong>führung</strong> <strong>in</strong> <strong>die</strong> <strong>physikalischchemischen</strong><br />

<strong>Übungen</strong><br />

L.V. – Nr.: 646.521<br />

SS , 2-stündig<br />

Univ.Prof. Dr. V. Ribitsch


OPTISCHE MESSVERFAHREN


Optische Messverfahren<br />

In <strong>die</strong>sem Abschnitt sollen e<strong>in</strong>ige grundlegende optische<br />

Messverfahren diskutiert werden.<br />

� Absorptionsmessung<br />

� Reflexionsmessung<br />

� Polarisationsmessung<br />

� Spektrometer und Polychromatoren<br />

• Prismenspektrometer<br />

• Gitterspektrometer<br />

• Fabri-Perot-Spektrometer<br />

� Messverfahren für kurze Zeiten


Optische Messverfahren<br />

Absorptionsmessung /1<br />

Absorption und Dispersion hängen im klassischen Modell eng zusammen. Man beschreibt<br />

das optische Medium als e<strong>in</strong>e Sammlung von getriebenen harmonischer Oszillatoren der<br />

Form<br />

jω<br />

t<br />

m&x<br />

+ 2 δx& + kx = qE0e<br />

m ist <strong>die</strong> Masse e<strong>in</strong>es oszillierenden Teilchens, k <strong>die</strong> Federkonstante, q <strong>die</strong> Ladung auf der<br />

Masse, δ der Dämpfungsterm.<br />

Setzt man nun γ = 2δ/m und w2 0 = k/m und setzt als Lösung x = x0 exp jwt an, so bekommt<br />

man<br />

x<br />

0<br />

qE<br />

= 2<br />

m<br />

0<br />

2 ( ω −ω<br />

+ jγω)<br />

0<br />

Durch <strong>die</strong> erzwungene Schw<strong>in</strong>gung der Ladung q entsteht e<strong>in</strong> <strong>in</strong>duziertes elektrisches<br />

Dipolmoment<br />

2 jω<br />

t<br />

q E e<br />

P = x0<br />

=<br />

2<br />

m<br />

0<br />

2 ( ω −ω<br />

+ jγω)<br />

0<br />

Bei N Oszillatoren pro Volumen ist <strong>die</strong> <strong>in</strong>duzierte elektrische Polarisation P pro<br />

Volumene<strong>in</strong>heit durch P = Nqx gegeben. Die Polarisation ist jedoch <strong>in</strong> der<br />

Elektrodynamik auch mit der <strong>in</strong>duzierenden elektrischen Feldstärke E durch = ε −<br />

verknüpft.<br />

Die relative Dielektrizitätszahl ε hängt mit der Brechzahl n über n<br />

= ε zusammen.<br />

( 1) ε E<br />

P 0


Absorptionsmessung /2<br />

Durch Komb<strong>in</strong>ation erhält man<br />

Optische Messverfahren<br />

n<br />

2<br />

2<br />

Nq<br />

= 1+<br />

2<br />

ε m j<br />

Die Brechzahl n(ω) ist komplex und kann deshalb als n ω = n´<br />

− j geschrieben werden.<br />

Beachtet man, dass <strong>die</strong> Lichtgeschw<strong>in</strong>digkeit c im Medium von der Brechzahl n abhängt<br />

c = c 0/n<br />

2 ( ω −ω<br />

+ γω)<br />

und setzt <strong>die</strong>s <strong>in</strong> <strong>die</strong> Gleichung e<strong>in</strong>er ebenen Welle E = E 0 exp[j(wt-Kz)] e<strong>in</strong> und<br />

berücksichtigt, dass Km = nK 0 ist, so bekommt man<br />

E<br />

=<br />

E<br />

0<br />

e<br />

e<br />

0<br />

0<br />

( ) κ<br />

( ω t−n´<br />

K z ) −2xκz<br />

λ jK ( c t−n´<br />

z )<br />

=<br />

E<br />

−K<br />

0κz<br />

j<br />

0<br />

e<br />

0<br />

e<br />

0<br />

0


Absorptionsmessung /3<br />

Lichtquelle<br />

Optische Messverfahren<br />

Medium<br />

Referenz<br />

Aufbau zur Messung e<strong>in</strong>er Absorption<br />

Detektor<br />

Detektor


LAMBERT-BEER´SCHES<br />

GESETZ


Lambert-Beer'sches Gesetz<br />

Die Spektralphotometrie ermöglicht <strong>die</strong> Bestimmung der Konzentration von<br />

bestimmten Elementen <strong>in</strong> wässeriger Lösung und damit der chemischen<br />

Zusammensetzung e<strong>in</strong>es Materials.<br />

Sie beruht im Wesentlichen auf e<strong>in</strong>er gezielten Farbreaktion der Atome e<strong>in</strong>es<br />

Elements und deren Auswertung mit Hilfe des Lambert- Beer'schen Gesetzes.<br />

Bei der Spektralphotometrie wird <strong>die</strong> Lichtschwächung gemessen, <strong>die</strong> von der<br />

gewählten Wellenlänge des Lichts und den Eigenschaften der untersuchten<br />

Substanz abhängt.<br />

Grundlagen<br />

Licht besteht aus e<strong>in</strong>em kont<strong>in</strong>uierlichen Spektrum, der für das Auge sichtbare Bereich liegt<br />

bei Wellenlängen zwischen 400 - 760 nm. Unterhalb schließt sich der ultraviolette (UV) und<br />

oberhalb der <strong>in</strong>frarote (IR) Bereich des Lichts an. Diese beiden Bereiche s<strong>in</strong>d für das<br />

menschliche Auge nicht wahrnehmbar. Das Produkt aus der Wellenlänge λ und der<br />

Frequenz f e<strong>in</strong>er monochromatischen Lichtwelle ist gleich der Ausbreitungsgeschw<strong>in</strong>digkeit v<br />

des Lichtes.<br />

λ f = v<br />

v = c = 3 .10 8 m/s


Lambert-Beer'sches Gesetz<br />

Durchläuft monochromatisches Licht e<strong>in</strong>e Küvette (Glasbehälter mit 2 parallel zue<strong>in</strong>ander<br />

liegenden Begrenzungsflächen) mit e<strong>in</strong>er gefärbten Lösung, so wird e<strong>in</strong> Teil des Lichts<br />

absorbiert, e<strong>in</strong> anderer Teil wird an den Küvettenwänden reflektiert und der Rest<br />

durchgelassen. Wird das Absorptionsverhalten e<strong>in</strong>er Lösung bei verschiedenen<br />

Wellenlängen untersucht, so erhält man für jede Substanz e<strong>in</strong> von ihrer atomaren Struktur<br />

abhängiges, charakteristisches Absorptionsspektrum. Dieses Spektrum wird als<br />

Ext<strong>in</strong>ktionsspektrum bezeichnet.<br />

Ext<strong>in</strong>ktion<br />

0.4<br />

0.3<br />

0.2<br />

0.1<br />

0.0<br />

400 500 600 700 800<br />

Wellenlänge λ [nm]<br />

Das gemessene Ext<strong>in</strong>ktionsspektrum <strong>die</strong>nt zur chemischen Identifizierung der Substanz,<br />

sofern es nicht durch Störungen anderer Substanzen (z.B. Ionen e<strong>in</strong>es anderen Elements)<br />

und deren Absorptionsspektren <strong>in</strong> der Untersuchung überlagert wird.


Lambert-Beer'sches Gesetz<br />

Die Lichtschwächung beim Durchgang des Lichts durch e<strong>in</strong>en Stoff wird als Ext<strong>in</strong>ktion<br />

bezeichnet. Die Schwächung wird durch Lichtstreuung (Änderung der Ausbreitungsrichtung)<br />

und Absorption verursacht.<br />

Die Größe der Ext<strong>in</strong>ktion bei e<strong>in</strong>er festen Wellenlänge hängt von 3 Faktoren ab:<br />

1. durchstrahlte Flüssigkeitsschichtdicke<br />

2. Konzentration c der absorbierenden Teilchen <strong>in</strong> der Flüssigkeit<br />

3. spezifischer Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizient α (Materialkonstante) der absorbierenden Teilchen<br />

Luft Glas farbige Flüssigkeit Glas Luft<br />

I 0<br />

0<br />

I I´<br />

x<br />

dx<br />

Schichtdicke d<br />

I=I(d)<br />

Schichtmodell der Lichtschwächung


Lambert-Beer'sches Gesetz<br />

Die <strong>in</strong> der <strong>in</strong>f<strong>in</strong>itesimalen Schicht dx abgeschwächte Licht<strong>in</strong>tensität dI ist:<br />

dI = I´ - I<br />

dI = - k I dx<br />

Hier ist k der dekadische Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizient der gelösten Substanz.<br />

Bei verdünnten Lösungen ist der dekadische Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizient k proportional zur<br />

Konzentration c der gelösten Substanz.<br />

k = α c<br />

Dann gilt:<br />

dI = - α c I dx<br />

Die Integration für x = 0 mit I 0 und x = d mit I ergibt:<br />

I<br />

I<br />

∫<br />

I<br />

0<br />

ln<br />

dI<br />

I<br />

=<br />

I<br />

I<br />

0<br />

oder<br />

I<br />

0<br />

⋅e<br />

d<br />

= −α<br />

⋅c<br />

⋅∫<br />

dx<br />

0<br />

= −α<br />

⋅c<br />

⋅d<br />

−α<br />

⋅c⋅d<br />

α = spezifischer Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizient<br />

c = Konzentration<br />

I = Licht<strong>in</strong>tensität<br />

d = durchstrahlte Schichtdicke<br />

Lambert-Beer'sches Gesetz


Lambert-Beer'sches Gesetz<br />

I 0 ist <strong>die</strong> auf <strong>die</strong> Probe e<strong>in</strong>fallende Licht<strong>in</strong>tensität. I ist <strong>die</strong> nach Durchqueren der<br />

Schichtdicke d der Probe noch vorhandene Licht<strong>in</strong>tensität.<br />

Aus dem Lambert-Beer'schen Gesetz folgt mit Hilfe des dekadischen Logarithmus:<br />

I<br />

log = α ⋅c<br />

⋅d<br />

⋅log<br />

e<br />

I0<br />

Den dekadischen Logarithmus des Verhältnisses I0 /I bezeichnet man als Ext<strong>in</strong>ktion E:<br />

I0<br />

E =<br />

log<br />

I<br />

Die <strong>E<strong>in</strong>führung</strong> des molaren dekadischen Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizienten ε liefert:<br />

ε = α log e = 0,4343 α<br />

E = ε c d<br />

Bei konstanter Schichtdicke d ist <strong>die</strong> Ext<strong>in</strong>ktion E proportional zur Konzentration c der<br />

Lösung. Ist der molare dekadische Ext<strong>in</strong>ktionskoeffizient ε bekannt, so kann durch Messung<br />

der Ext<strong>in</strong>ktion E mit Hilfe der Beziehung E = ε c d e<strong>in</strong>e unbekannte Konzentration c bestimmt<br />

werden.<br />

Durch e<strong>in</strong>e Eichmessung wird ε an Lösungen der zu untersuchenden Substanz mit<br />

bekannten Konzentrationen bestimmt. Dazu wird e<strong>in</strong>e Verdünnungsreihe hergestellt.


Reflexionsmessung<br />

Lichtquelle<br />

Chopper<br />

Optische Messverfahren<br />

Medium<br />

Referenz<br />

Referenz für Lock-In<br />

Detektor<br />

Detektor<br />

Aufbau zur Messung der Reflektivität<br />

Das Licht aus e<strong>in</strong>e Quelle wird <strong>in</strong> e<strong>in</strong>en Referenzstrahl und e<strong>in</strong>en Teststrahl aufgeteilt.<br />

Beide werden mit e<strong>in</strong>em Chopper-Rad getaktet. Das reflektierte Licht wird gesammelt und<br />

auf e<strong>in</strong>en Detektor gebracht. Die Reflexion kann spekular oder diffus se<strong>in</strong>.<br />

Anwendungen: Bestimmung von Schadstoffen <strong>in</strong> der Luft.<br />

Lock-In<br />

Lock-In<br />

Messung der <strong>in</strong>duzierten Transparenz oder der <strong>in</strong>duzierten<br />

Brechzahländerung <strong>in</strong> Halbleiterproben.<br />

Dabei müssen jedoch sehr kle<strong>in</strong>e Unterschiede der Reflektivität <strong>in</strong> der Gegenwart e<strong>in</strong>es<br />

großen Untergrundes bestimmt werden.


Polarisationsmessung<br />

Lichtquelle<br />

Optische Messverfahren<br />

Chopper Polarisator<br />

Analysator<br />

Medium<br />

Referenz<br />

Referenz für Lock-In<br />

Detektor<br />

Detektor<br />

Aufbau zur Messung der Polarisation<br />

Lock-In<br />

Lock-In<br />

Das Licht aus e<strong>in</strong>er Quelle wird <strong>in</strong> e<strong>in</strong>en Referenzstrahl und e<strong>in</strong>en Teststrahl aufgeteilt.<br />

Beide werden mit e<strong>in</strong>em Chopper-Rad getaktet. Der Polarisationszustand des Teststrahls<br />

wird <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Polarisator vor der Probe festgelegt. Nach der Transmission der Probe wird<br />

der Polarisationszustand mit e<strong>in</strong>em Analysator ausgemessen. Der restliche Aufbau ist<br />

analog zu weiter oben diskutierten Versuchsaufbauten.<br />

Die Messanordnung kann zum Beispiel benutzt werden, um den Kerr-Effekt oder <strong>die</strong><br />

Chiralität von Molekülen auszumessen


Spektrometer und Polychromatoren<br />

Optische Messverfahren<br />

Spektrometer <strong>die</strong>nen zur Messung der Wellenlängenabhängigkeit der Intensität<br />

von Licht. Dieses Licht kann entweder direkt von e<strong>in</strong>er Quelle abgeleitet se<strong>in</strong>,<br />

oder das Resultat e<strong>in</strong>es optischen Experimentes.<br />

• 1. Prismenspektrometer<br />

• 2. Gitterspektrometer<br />

• 3. Fabri-Perot-Spektrometer


1. Prismenspektrometer /1<br />

Optische Messverfahren<br />

E<strong>in</strong> gebräuchliches Spektrometer wenn <strong>die</strong> spektrale Auflösung nicht allzu hoch se<strong>in</strong> soll,<br />

ist das Prismenspektrometer.<br />

Nach Perez kann <strong>die</strong> Dispersion von Glas durch<br />

beschrieben werden.<br />

∑ ∞<br />

2 2<br />

−2<br />

−4<br />

−6<br />

−8<br />

2i<br />

n = A−<br />

1λ<br />

+ A0<br />

+ A1λ<br />

+ A2λ<br />

+ A3λ<br />

+ A4λ<br />

= Aiλ<br />

i=<br />

−1<br />

Für e<strong>in</strong>e bestimmte Glassorte s<strong>in</strong>d <strong>die</strong> Parameter:<br />

A -1 =<br />

A 0 =<br />

A 1 =<br />

A 2 =<br />

A 3 =<br />

A 4 =<br />

-1,0108077 . 10 -2<br />

2,2718929<br />

1,0592509 . 10 -2<br />

2,0816965 . 10 -4<br />

-7,6472538 . 10 -6<br />

4,9240991 . 10 -7


1. Prismenspektrometer /2<br />

Optische Messverfahren<br />

Bezeichnet man mit δ den W<strong>in</strong>kel zwischen dem e<strong>in</strong>fallenden Strahl vor dem Prisma und<br />

dem das Prisma verlassenden Strahl, so kann man <strong>die</strong> W<strong>in</strong>keldispersion<br />

dδ<br />

dδ<br />

dn<br />

D ω ≡ =<br />

dλ<br />

dn dλ<br />

Der zweite Term hängt nur vom Material ab, der erste Term beschreibt <strong>die</strong> Geometrie.<br />

Das Auflösungsvermögen e<strong>in</strong>es Prismenspektrographen ist über<br />

A<br />

≡<br />

λ<br />

∆λ<br />

def<strong>in</strong>iert. Wenn <strong>die</strong> optischen Elemente von genügender qualität s<strong>in</strong>d, dann hängt das<br />

Auflösungsvermögen des Spektrometers von der Beugung des Lichtes am E<strong>in</strong>trittsspalt<br />

ab.<br />

Typischerweise kann man e<strong>in</strong> Auflösungsvermögen 8 bei voll ausgeleuchtetem Prisma!)<br />

von A=2000 erreichen.


2. Gitterspektrometer /1<br />

Detektor<br />

Optische Messverfahren<br />

In e<strong>in</strong>em Gitterspektrometer wird e<strong>in</strong> Beugungsgitter als dispersives Element verwendet.<br />

Licht tritt durch e<strong>in</strong>en E<strong>in</strong>trittsspalt e<strong>in</strong> und wird durch den Hohlspiegel M1 <strong>in</strong> paralleles<br />

Licht umgewandelt. Wie bei e<strong>in</strong>er L<strong>in</strong>se wird der Öffnungsw<strong>in</strong>kel durch e<strong>in</strong>e Numerische<br />

Apertur charakterisiert. Das parallele Licht wird durch das Gitter G <strong>in</strong> se<strong>in</strong>e spektralen<br />

Anteile zerlegt. E<strong>in</strong>e bestimmte Richtung wird durch den Hohlspiegel M2 auf den<br />

Austrittsspalt fokussiert. H<strong>in</strong>ter <strong>die</strong>sem bef<strong>in</strong>det sich der Detektor.<br />

Alternativ kann anstelle der Komb<strong>in</strong>ation aus Spalt und Detektor e<strong>in</strong> e<strong>in</strong>- oder<br />

zweidimensionaler Detektor verwendet werden. Dies kann e<strong>in</strong>e Diodenzeile, e<strong>in</strong>e CCD-<br />

Zeile oder e<strong>in</strong> flächenhafter CCD-Detektor se<strong>in</strong>.


2. Gitterspektrometer /2<br />

Optische Messverfahren<br />

Um e<strong>in</strong>e optimale Empf<strong>in</strong>dlichkeit zu erreichen müssen <strong>die</strong> folgenden Voraussetzungen<br />

erfüllt se<strong>in</strong>:<br />

• Das zu untersuchende Licht muss e<strong>in</strong>en zur Numerischen Apertur des<br />

Gitterspektrometers passenden Öffnungsw<strong>in</strong>kel haben. Ist der Öffnungsw<strong>in</strong>kel zu<br />

ger<strong>in</strong>g, wird das Gitter nicht voll ausgeleuchtet: <strong>die</strong> mögliche Auflösung wird nicht<br />

erreicht.<br />

• Die Spaltöffnung muss so bemessen se<strong>in</strong>, dass genügend Licht passieren kann und<br />

dass <strong>die</strong> Beugung noch ke<strong>in</strong>en bestimmenden E<strong>in</strong>fluss auf <strong>die</strong> Messung hat.<br />

• Die Anzahl L<strong>in</strong>ien pro Länge des Gitters muss zum gewünschten<br />

Wellenlängenumfang und zur gewünschten Auflösung passen.<br />

• Der Austrittsspalt (oder <strong>die</strong> Grösse der Pixel der CCD) muss an den E<strong>in</strong>trittsspalt<br />

angepasst se<strong>in</strong>.


I<br />

2. Gitterspektrometer /3<br />

Optische Messverfahren<br />

Die Abbildung zeigt den Intensitätsverlauf <strong>in</strong> Abhängigkeit der Anzahl beleuchteter Gitterstriche<br />

N. Wenn e<strong>in</strong> Gitter <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Gitterspektrometer nicht richtig ausgeleuchtet ist, verliert man sehr<br />

schnell sehr viel an Intensität auf dem Detektor.<br />

Gitter Gitter<br />

I<br />

Intensität des gebeugten Lichtes als Funktion der Anzahl beleuchteter Spalte.<br />

L<strong>in</strong>ks ist e<strong>in</strong>e Übersicht, rechts <strong>die</strong> Detailansicht. Von unten nach oben s<strong>in</strong>d N = 3,6 und 12 beleuchtete<br />

Spalte dargestellt. Die sonstigen Gitterparameter s<strong>in</strong>d α = 1 und ε =0.1


3. Fabri-Perot-Spektrometer /1<br />

Lichtquelle<br />

Optische Messverfahren<br />

Wenn e<strong>in</strong>e sehr hohe spektrale Auflösung gefordert ist, verwendet man häufig Fabri-Perot-<br />

Spektrometer.<br />

Bei <strong>die</strong>sen Spektrometern wird Licht <strong>in</strong> e<strong>in</strong>en optischen Resonator e<strong>in</strong>gekoppelt. Da das Licht<br />

teilweise mit sich selber <strong>in</strong>terferiert, können nur Eigenmoden des Resonators oder Frequenzen<br />

<strong>in</strong> deren Nähe durch den Resonator propagieren.<br />

Wenn R <strong>die</strong> für beide Spiegel gleiche Reflektivität ist, und M = 4R/(1-R²) ist, dann wird <strong>die</strong><br />

transmittierte Intensität<br />

I<br />

I max<br />

ϕ =<br />

2<br />

1+ M ⋅ s<strong>in</strong><br />

( )<br />

( )<br />

ϕ<br />

ϕ ist dabei <strong>die</strong> Phasenveschiebung beim Umlauf um den Resonator.<br />

t<br />

Detektor


Optische Messverfahren<br />

3. Fabri-Perot-Spektrometer /2<br />

Die Abbildung zeigt den Intensitätsverlauf als Funktion der Phase ϕ für M=[15803601520]<br />

I<br />

pH<br />

Kennl<strong>in</strong>ie e<strong>in</strong>es Fabri-Perot-Inerferometers für Reflektivitäten von 0.6, 0.8, 0.9 und 0.95<br />

beziehungsweise Werte von M von 15, 80, 360 und 1520 (von oben)


Optische Messverfahren<br />

Messverfahren für kurze Zeiten /1<br />

Die Messung ultrakurzer Pulse sowie <strong>die</strong> Messung von Vorgängen, <strong>die</strong> kürzer als etwa e<strong>in</strong>e ps<br />

s<strong>in</strong>d, s<strong>in</strong>d mit re<strong>in</strong> elektrischen Verfahren nicht möglich.<br />

Die beste Zeitauflösung erreichen optische Verfahren und elektrooptische Verfahren.<br />

E<strong>in</strong> optischer Korrelator besteht aus e<strong>in</strong>em<br />

Strahlteiler, <strong>in</strong> dem der ankommende Puls geteilt<br />

wird, e<strong>in</strong>er Verzögerungsleitung, <strong>die</strong> e<strong>in</strong>en Puls<br />

zeitlich verzögert, sowie e<strong>in</strong>em nichtl<strong>in</strong>earen<br />

Medium, <strong>in</strong> dem <strong>die</strong> beiden Pulse überlagert werden.<br />

Retroreflektor<br />

KDP<br />

Filter<br />

Detektor<br />

Zweiphotonenfluoreszenz zur Messung von kurzen Pulsen.<br />

Die Frequenzverdoppelung ist nicht der e<strong>in</strong>zige nichtl<strong>in</strong>earoptische<br />

Effekt der zur Erzeugung e<strong>in</strong>er Korrelation zweiter<br />

Ordnung benützt werden kann. Die Abbildung zeigt schematisch<br />

e<strong>in</strong>en Aufbau zur Zwei-Photonen-Absorption <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Flüssigkeit.<br />

Wieder ist <strong>die</strong> Wahrsche<strong>in</strong>lichkeit, e<strong>in</strong>e Absorption bei der<br />

halben Wellenlänge des e<strong>in</strong>gestrahlten Lichtes zu erhalten<br />

proportional zum Quadrat der Intensität.


Messverfahren für kurze Zeiten /2<br />

Optische Messverfahren<br />

Untergrundfreier Korrelator. Die Nichtl<strong>in</strong>earität <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Material wie KDP<br />

(Kaliumdihydrogenphosphat) <strong>die</strong>nt zur Korrelation.<br />

Die Messanordnung e<strong>in</strong>e untergrundsfreie Messung.<br />

Um <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Verdopplerkristall e<strong>in</strong> Signal bei der Frequenz 2ω zu erzeugen, muss sowohl der<br />

Ort der beiden Impulse übere<strong>in</strong>stimmen wie auch der resultierende k-Vektor. In der Abbildung<br />

ist <strong>die</strong> Orientierung des Kristalls so gewählt, dass zwei Photonen aus dem gleichen Teilstrahl<br />

ke<strong>in</strong> frequenzverdoppeltes Photon erzeugen können, da ihre k-Vektoren nicht mit der<br />

Gitterorientierung kompatibel s<strong>in</strong>d. Nur wenn zwei Photonen aus je aus e<strong>in</strong>em der beiden<br />

Teilstrahlen sich überlagern, stimmt <strong>die</strong> Impulsbed<strong>in</strong>gung und e<strong>in</strong> frequenzverdoppeltes<br />

Photon kann entstehen.


Wellen - Optische Sensoren<br />

Optische Instrumente – Grundlagen /6<br />

Abbildungsmaßstab des Objektivs<br />

Zusammen mit der Gaußschen Abbildungsgleichung für L<strong>in</strong>sen folgt:<br />

B b ⎛ 1 1 ⎞ ∆ + f ∆<br />

( ∆ + f ) ⎜<br />

⎟<br />

⎝<br />

⎠<br />

fob<br />

ob<br />

β ob = = = ob<br />

G g ⎜<br />

− = − =<br />

fob<br />

∆ + f ⎟<br />

1<br />

ob fob<br />

Abbildung und Vergrößerung e<strong>in</strong>es Objekts<br />

durch das Mikroskop<br />

Also gilt:<br />

β =<br />

Zur experimentellen Bestimmung des<br />

Abbildungsmaßstabes benützt man als<br />

Beobachtungsgegenstand e<strong>in</strong>e Skala<br />

(Objektskala).<br />

Das Bild der Objektskala stellt man zuerst scharf<br />

e<strong>in</strong>. Dann ersetzt man das Okular durch e<strong>in</strong>en<br />

Tubuse<strong>in</strong>schub mit e<strong>in</strong>er weiteren Skala<br />

(Zwischenbildskala), und br<strong>in</strong>gt <strong>die</strong>se an <strong>die</strong><br />

Stelle des Zwischenbildes.<br />

Mit der Zwischenbildskala vermisst man dann<br />

e<strong>in</strong>e möglichst große Strecke des Bildes der<br />

Objektskala.<br />

Aus den so gewonnenen Messwerten B und G<br />

lässt sich dann der Abbildungsmaßstab<br />

bestimmen.<br />

ob<br />

∆<br />

f<br />

ob


Optische Messverfahren II


Optische Messverfahren<br />

Licht kann durch se<strong>in</strong>e thermischen, energetische oder mechanischen<br />

Wirkungen gemessen werden.<br />

Thermische Wirkungen nutzt man aus, wenn <strong>die</strong> aus Licht absorbierte<br />

Wärmemenge (zum Beispiel bei e<strong>in</strong>em Pyrometer/Bolometer) oder <strong>die</strong><br />

absorbierte Leistung (zum Beispiel e<strong>in</strong> Schwarzer Körper mit e<strong>in</strong>em<br />

def<strong>in</strong>ierten Wärmeleck an <strong>die</strong> Umgebung) zu e<strong>in</strong>er Temperaturerhöhung<br />

führt, <strong>die</strong> dann wie im Kapitel Temperatur gemessen werden kann.<br />

Licht hat e<strong>in</strong>e Energiedichte, das heißt, e<strong>in</strong> federnd gelagerter Spiegel<br />

wird durch den der Energiedichte äquivalenten Druck ausgelenkt. Dieser<br />

Effekt hat nur bei sehr präzisen Messungen oder sehr kle<strong>in</strong>en Spiegeln<br />

e<strong>in</strong>en E<strong>in</strong>fluss.<br />

Äußerer Photoeffekt: Bändermodelle für Metalle und Halbleiter.


Licht /2<br />

Licht<br />

Schließlich ergibt sich für <strong>die</strong> langwellige Grenze<br />

λ<br />

G<br />

h ⋅c<br />

= =<br />

Φ + ϕ<br />

A<br />

1,<br />

24µm<br />

( Φ + ϕ )[ eV ]<br />

Die Photokathoden s<strong>in</strong>d demnach nur bis zu e<strong>in</strong>er bestimmten Wellenlänge<br />

empf<strong>in</strong>dlich.<br />

Je länger <strong>die</strong> noch zu detektierende Wellenlänge se<strong>in</strong> soll, desto niedriger muss<br />

<strong>die</strong> Austrittsarbeit des Kathodenmateriales se<strong>in</strong>. Häufig werden für den<br />

sichtbaren Bereich CsSb und Na/K/Sb- Verb<strong>in</strong>dungen verwendet.<br />

A


Photozelle und Photovervielfacher /1<br />

Licht<br />

Photozelle (l<strong>in</strong>ks) und Photovervielfacher (rechts).<br />

Die Abbildung zeigt l<strong>in</strong>ks den Aufbau e<strong>in</strong>er Photozelle. Die durch das Licht aus der<br />

Photokathode K herausgelösten Elektronen werden durch <strong>die</strong> Spannung zur Anode h<strong>in</strong><br />

beschleunigt. Der entstehende Strom wird als Spannungsabfall über dem Widerstand R<br />

gemessen. Um Stöße der Elektronen zu vermeiden muss der Raum zwischen<br />

Photokathode und Anode evakuiert se<strong>in</strong>. Die Spektrale Empf<strong>in</strong>dlichkeit hängt vom<br />

verwendeten Kathodenmaterial ab.<br />

Im Durchschnitt werden für jedes absorbierte Photon etwa 0.1 Elektronen emittiert. Um<br />

e<strong>in</strong>en Strom von 1 pA zu bekommen, müssen also 10 -12 /(1,6 x 10 -19 )=6,25 x 10 7 Photonen<br />

absorbiert werden, was bei e<strong>in</strong>er Photonenenergie von 2 eV e<strong>in</strong>er Lichtleistung von 20 pW<br />

entspricht. Da es schwierig ist kle<strong>in</strong>ere Ströme zu messen, ist sie <strong>die</strong> praktische Grenze der<br />

Empf<strong>in</strong>dlichkeit.


Licht<br />

Photozelle und Photovervielfacher /2<br />

Um auch e<strong>in</strong>zelne Photonen detektieren zu können verwendet man Photovervielfacher<br />

(Photo Multiplier), wie <strong>in</strong> der Abbildung zuvor gezeigt. Dabei werden <strong>die</strong> emittierten<br />

Photoelektronen über e<strong>in</strong>e Spannung von etwa 100 V beschleunigt und auf e<strong>in</strong>e<br />

Zwischenelektrode geschickt.<br />

Ihre k<strong>in</strong>etische Energie bewirkt, dass mehr als 1 Elektron, im allgeme<strong>in</strong>en v Elektronen, für<br />

jedes e<strong>in</strong>treffende Elektron freigesetzt werden. Die von der Anode aufgefangene<br />

Elektronenzahl ist für n solcher Verstärkungsstufen v n . Bei 10 Stufen und e<strong>in</strong>em v = 4,78<br />

würde für jedes Photon 6 250 000 Elektronen erzeugt.<br />

Da bei e<strong>in</strong>er Photozelle oder e<strong>in</strong>em Photovervielfacher nur sehr kle<strong>in</strong>e Kapazitäten<br />

vorkommen, können Frequenzen bis zu 10 GHZ detektiert werden. Dabei ist zu beachten,<br />

dass <strong>die</strong> Laufzeiten im Detektor e<strong>in</strong>ige Nanosekunden betragen können.<br />

Die Abbildung zeigt das Bändermodell für den<br />

<strong>in</strong>nern Photoeffekt.<br />

Neben der Anregung vom Valenzband <strong>in</strong>s<br />

Leitungsband mit der Energie größer als E 9<br />

können auch Anregungen vom Valenzband <strong>in</strong><br />

Fremdatomzustände (Energie E A) oder von<br />

von Fremdatomzuständen <strong>in</strong>s Leitungsband<br />

(hier auch mit E A) auftreten.<br />

Innerer Photoeffekt für Halbleiter.


Licht<br />

Photowiderstand /1<br />

Bei e<strong>in</strong>em Photowiderstand ändert sich se<strong>in</strong> Leitwert mit der Anzahl vorhandener<br />

Ladungsträger.<br />

Wenn das Licht vollständig absorbiert wird, der Quantenwirkungsgrad η, <strong>die</strong><br />

Strahlungsleistung P, der Querschnitt des Widerstandes A und se<strong>in</strong>e Länge l s<strong>in</strong>d, ist <strong>die</strong><br />

Rate, mit der Ladungsträger <strong>in</strong>s Leitungsband angeregt werden<br />

1 P<br />

g = η<br />

A⋅<br />

l ηω<br />

Die Rekomb<strong>in</strong>ationsrate r hängt von der mittleren Lebensdauer τ und der<br />

Ladungsträgerkonzentration η ab. η<br />

r<br />

=<br />

Im Gleichgewicht ist <strong>die</strong> Rekomb<strong>in</strong>ationsrate r gleich der Generationsrate g. Die Anzahl<br />

Ladungsträger im Leitungsband ist also<br />

Man kann für den Strom im Halbleiter bei bekannter Beweglichkeit µ n schreiben<br />

τ<br />

1<br />

η = τη<br />

A⋅ l<br />

P<br />

ηω<br />

E<br />

=<br />

A = eµ<br />

nEA<br />

ρ<br />

I n


Optische Messverfahren 2<br />

Meistens wird Licht über den äußeren oder den <strong>in</strong>neren Photoeffekt detektiert.<br />

Mit dem äußeren Photoeffekt bezeichnet man <strong>die</strong> Anregung von Ladungsträgern aus dem<br />

Leitungs- oder Valenzband über <strong>die</strong> Vakuumenergie h<strong>in</strong>aus, wie es <strong>in</strong> der Abbildung<br />

schematisch dargestellt ist.<br />

Dass Metalle stabil s<strong>in</strong>d hängt damit zusammen, dass <strong>die</strong> Fermi-Energie um e<strong>in</strong>e<br />

Austrittsarbeit Φ A genannte Energie unter dem Vakuumenergieniveau liegt.<br />

Bei den Halbleitern kommt noch <strong>die</strong> Elektronenb<strong>in</strong>dungsenergie ϕ h<strong>in</strong>zu, <strong>die</strong> den Abstand<br />

der Valenzbandoberkante von der Fermienergie E F beschreibt.<br />

Folgende Ungleichung muss erfüllt se<strong>in</strong><br />

E = ηω<br />

≥ Φ A + ϕ<br />

Wir können <strong>die</strong> k<strong>in</strong>etische Energie der Elektronen E k<strong>in</strong> oder das dazu äquivalente Potential U e<br />

ausrechnen.<br />

E<br />

U<br />

k<strong>in</strong><br />

e<br />

=<br />

= ηω<br />

−Φ<br />

−ϕ<br />

E<br />

e<br />

k<strong>in</strong><br />

A<br />

ηω<br />

−Φ<br />

A −ϕ<br />

=<br />

e


Licht /2<br />

Licht<br />

Äußerer Photoeffekt: Bändermodelle für Metalle und Halbleiter.


Photowiderstand /2<br />

Licht<br />

l<br />

Die Transitzeit (Zeit zum Durchqueren des Widerstandes) sei ttr<br />

= .<br />

Dann ist der Verstärkungsfaktor<br />

µ nE<br />

M<br />

0<br />

=<br />

I<br />

I<br />

Ph<br />

=<br />

µ nτ<br />

E<br />

l<br />

τ<br />

=<br />

t<br />

und hängt nur vom Verhältnis der mittleren Ladungsträgerlebensdauer und zur Transitzeit<br />

zwischen den Elektronen ab.<br />

Die spektrale Empf<strong>in</strong>dlichkeit e<strong>in</strong>es Photoleiters basierend auf dem <strong>in</strong>neren Photoeffekt ist<br />

S<br />

( P)<br />

I M 0I Ph en en<br />

= = = M = M<br />

P P ηω<br />

h⋅<br />

c<br />

I<br />

λ 0<br />

Die Empf<strong>in</strong>dlichkeit steigt also l<strong>in</strong>ear mit der Wellenlänge an, solange <strong>die</strong> Grenzwellenlängen,<br />

<strong>die</strong> durch <strong>die</strong> m<strong>in</strong>imalen Energiesprünge gegeben ist, nicht erreicht werden.<br />

Photoleiter haben demnach e<strong>in</strong> ideales Quantenverhalten.<br />

Sie werden für das sichtbare Licht aus CdSe und CdS und für den <strong>in</strong>fraroten Bereich aus<br />

PbS, PbSe, PbTe und InSb hergestellt.<br />

tr<br />

λ


Photodiode /1<br />

In der Raumladungszone e<strong>in</strong>es pn-Überganges entstehen bei der Beleuchtung Elektron-<br />

Loch-Paare. Wie <strong>die</strong> l<strong>in</strong>ke Seite zeigt, werden <strong>die</strong> Elektronen zur n-Zone und <strong>die</strong> Löcher<br />

zur p-Zone beschleunigt. Dadurch nimmt <strong>die</strong> elektrische Feldstärke <strong>in</strong> der<br />

Raumladungszone und damit auch <strong>die</strong> Barrierenhöhe ab.<br />

Die Fermienergien verschieben sich, es entsteht e<strong>in</strong>e elektromotorische Kraft. Diese wird<br />

als photovoltaische Spannung UL außen abgegriffen.<br />

Der generierte Photostrom ist<br />

I Ph<br />

Analog ist <strong>die</strong> spektrale Empf<strong>in</strong>dlichkeit<br />

Licht<br />

Bändermodelle für den <strong>in</strong>neren Photoeffekt: l<strong>in</strong>ks unbeleuchtet und rechts beleuchtet.<br />

( P)<br />

= e⋅<br />

g(<br />

P)<br />

S<br />

I<br />

λ<br />

=<br />

I<br />

P<br />

P<br />

⋅ A⋅<br />

l = e⋅η<br />

ηω<br />

=<br />

I<br />

Ph<br />

( P)<br />

P<br />

en en<br />

= = λ<br />

ηω<br />

h⋅<br />

c


Photodiode /2<br />

Licht<br />

Anders als bei Photowiderständen gibt es hier ke<strong>in</strong>en durch <strong>die</strong> außen angelegte<br />

Spannung bed<strong>in</strong>gten Verstärkungsfaktor M 0.<br />

Photodioden s<strong>in</strong>d deshalb schneller und weniger empf<strong>in</strong>dlich.<br />

Da <strong>die</strong> Raumladungszone e<strong>in</strong>e sehr ger<strong>in</strong>ge Tiefe l hat, muss der Quantenwirkungsgrad η<br />

als wellenlängenabhängig angenommen werden.<br />

beleuchtet<br />

Kennl<strong>in</strong>ie e<strong>in</strong>er Photodiode (schwarz unbeleuchtet und blau beleuchtet).<br />

Wird <strong>die</strong> Photodiode <strong>in</strong> Sperrrichtung vorgespannt, dann ist der Potentialverlauf <strong>in</strong> der<br />

Raumladungszone steiler, entsprechend werden <strong>die</strong> von Licht generierten Ladungsträger<br />

schneller zu den Anschlüssen befördert: <strong>die</strong> Photodiode wird schneller.


Photodiode /3<br />

Licht<br />

Wird <strong>die</strong> Vorspannung so groß, dass <strong>die</strong> Energie der vom Licht generierten Ladungsträger<br />

ausreicht weiter Ladungsträger zu generieren (Avalanche-Effekt oder Law<strong>in</strong>eneffekt), dann hat<br />

<strong>die</strong> dann Avalanche-Photodiode genannte Diode e<strong>in</strong>e <strong>in</strong>nere Verstärkung, <strong>die</strong> <strong>in</strong> besonderen<br />

Fällen zum Zählen e<strong>in</strong>zelner Photonen ausreicht.<br />

Die Strom-Spannungskennl<strong>in</strong>ie e<strong>in</strong>er Photodiode lässt sich analog zu der e<strong>in</strong>er gewöhnlichen<br />

Diode darstellen als<br />

U ⎛ e ⎞<br />

RT I = I S ⋅⎜<br />

e ⎟<br />

⎜<br />

−1<br />

⎟<br />

− I Ph<br />

⎝ ⎠<br />

( P)<br />

Photodiode (l<strong>in</strong>ks) und<br />

Photoelement (rechts)<br />

Je nach äußerer Beschaltung betreibt man <strong>die</strong> Photodiode als Photodiode (l<strong>in</strong>ks) oder als<br />

Photoelement (l<strong>in</strong>ks). Die Photodiode arbeitet im 3. Quadranten des Kennl<strong>in</strong>ienfeldes <strong>in</strong> der<br />

vorigen Abblildung, das Photoelement im vierten. Die Beschaltung mit e<strong>in</strong>em Widerstand R ist <strong>in</strong><br />

e<strong>in</strong>gezeichnet. Der Schnittpunkt der jeweiligen Arbeitsgeraden mit der Widerstandskennl<strong>in</strong>ie<br />

ergibt den Arbeitspunkt.<br />

Als Material für Photodioden wird bevorzugt Si verwendet, für den Infrarotbereich auch Ge und<br />

InSb


Phototransistor<br />

Phototransistor: l<strong>in</strong>ks Aufbau<br />

und rechts Ersatzschema.<br />

Die Abbildung zeigt, wie man <strong>die</strong> Empf<strong>in</strong>dlichkeit e<strong>in</strong>er Photodiode steigern kann, <strong>in</strong>dem man<br />

sie als Stromquelle an der Basis e<strong>in</strong>es Transistors verwendet.<br />

Die l<strong>in</strong>ke Seite zeigt e<strong>in</strong>en Querschnitt durch e<strong>in</strong>en Phototransistor, der sich von e<strong>in</strong>em<br />

gewöhnlichen Transistor durch se<strong>in</strong>en größeren Basis-Emitterbereich unterscheidet. Wenn der<br />

Transistor <strong>die</strong> Stromverstärkung β hat so ist der Kollektorstrom<br />

Entsprechend ist <strong>die</strong> spektrale Empf<strong>in</strong>dlichkeit<br />

S<br />

I<br />

λ<br />

Licht<br />

( P)<br />

+ β I ( P)<br />

= ( + β ) I ( P)<br />

ICEO = I Ph<br />

Ph 1 Ph<br />

=<br />

I<br />

P<br />

=<br />

( 1+<br />

β ) I Ph(<br />

P)<br />

eη(<br />

1+<br />

β ) eη(<br />

1+<br />

β )<br />

= = λ<br />

P<br />

ηω<br />

h⋅<br />

c


Photodiode /3<br />

Licht<br />

Wird <strong>die</strong> Vorspannung so groß, dass <strong>die</strong> Energie der vom Licht generierten Ladungsträger<br />

ausreicht weiter Ladungsträger zu generieren (Avalanche-Effekt oder Law<strong>in</strong>eneffekt), dann hat<br />

<strong>die</strong> dann Avalanche-Photodiode genannte Diode e<strong>in</strong>e <strong>in</strong>nere Verstärkung, <strong>die</strong> <strong>in</strong> besonderen<br />

Fällen zum Zählen e<strong>in</strong>zelner Photonen ausreicht.<br />

Die Strom-Spannungskennl<strong>in</strong>ie e<strong>in</strong>er Photodiode lässt sich analog zu der e<strong>in</strong>er gewöhnlichen<br />

Diode darstellen als<br />

U<br />

⎛ e ⎞<br />

RT I = I S ⋅⎜<br />

e ⎟<br />

⎜<br />

−1<br />

⎟<br />

− I Ph<br />

⎝ ⎠<br />

( P)<br />

Photodiode (l<strong>in</strong>ks) und<br />

Photoelement (rechts)<br />

Je nach äußerer Beschaltung betreibt man <strong>die</strong> Photodiode als Photodiode (l<strong>in</strong>ks) oder als<br />

Photoelement (l<strong>in</strong>ks). Die Photodiode arbeitet im 3. Quadranten des Kennl<strong>in</strong>ienfeldes <strong>in</strong> der<br />

vorigen Abblildung, das Photoelement im vierten. Die Beschaltung mit e<strong>in</strong>em Widerstand R ist <strong>in</strong><br />

e<strong>in</strong>gezeichnet. Der Schnittpunkt der jeweiligen Arbeitsgeraden mit der Widerstandskennl<strong>in</strong>ie<br />

ergibt den Arbeitspunkt.<br />

Als Material für Photodioden wird bevorzugt Si verwendet, für den Infrarotbereich auch Ge und<br />

InSb

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