SB_13.554B_LP
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Zusammenfassung<br />
Inhalt<br />
1 Zusammenfassung 3<br />
2 Einleitung 4<br />
3 Entwicklung von Waferbondverfahren bei niederen Temperaturen 5<br />
3.1 Herstellung der Teststrukturen 5<br />
3.2 Auswahl geeigneter Aktivierungsvarianten 6<br />
3.3 Ergebnisse nach dem Tempern: 7<br />
3.4 Ergebnisse nach dem Tempern und Trennschleifen: 7<br />
3.5 Bewertung der Bondverbindungen am IZM 8<br />
3.6 Schlussfolgerungen 10<br />
4 Charakterisierung der mechanischen Grenzflächeneigenschaften 10<br />
4.1 Mikro-Chevron-Test 10<br />
4.1.1 Finite Elemente Simulation 11<br />
4.1.2 Testdurchführung 14<br />
4.1.3 Ergebnisse 16<br />
4.2 Bondrahmen 17<br />
5 Einfluss von Strukturierungsprozessen 19<br />
5.1 Probenherstellung 19<br />
5.2 Beschreibung des Spannungszustandes an Kerbspitzen 21<br />
5.3 Festigkeitsmessungen 22<br />
5.3.1 Einfluss der Auslagerungstemperatur 24<br />
5.3.2 Einfluss des Ätzwinkels bei einer einseitigen Strukturierung 24<br />
6 Weitere Arbeiten 27<br />
6.1 Neue Materialien 27<br />
6.2 Herstellung elektrischer Durchkontaktierungen mittels Silizium Direkt Bonden bei<br />
niederen Temperaturen 28<br />
7 Veröffentlichungen 29<br />
8 Literatur 30<br />
Anhang A 31<br />
Fraunhofer IWM<br />
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