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7-2019

Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

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Bauelemente<br />

Chip-Dämpfungselemente für Hochfrequenz-Anwendungen<br />

Das elektromagnetische Spektrum<br />

deckt einen riesigen<br />

Bereich ab – aber nur ein kleiner<br />

Teil davon ist für die drahtlose<br />

Kommunikation geeignet,<br />

ein Bruchteil davon wird auch<br />

dafür genutzt: der Bereich von<br />

1 MHz bis 30 GHz. Und dieser<br />

ist dementsprechend dicht belegt<br />

– von drahtlosen Kommunikationssystemen,<br />

einschließlich<br />

Kurzwellen-, AM-, FM-, TV-<br />

Rundfunk-, Mobilfunk-, sowie<br />

verschiedenen Anwendungen<br />

wie WiFi, Bluetooth, ZigBee,<br />

oder industriellen und medizinischen<br />

Systeme.<br />

Da in diesem Bereich kaum noch<br />

ungenutzte Frequenzen übrig<br />

sind, soll der Frequenzbereich<br />

für die drahtlose Kommunikation<br />

erweitert werden. Hierfür<br />

müssen einige Hürden genommen<br />

werden, da die Signaldämpfung<br />

durch die Luft, die<br />

Kommunikationsdistanz und<br />

die Fähigkeit, feste Objekte zu<br />

durchdringen mit zunehmender<br />

Frequenz abnehmen. Um eine<br />

ausreichende Signalstärke für<br />

viele Nutzer bereitzustellen,<br />

sind Hochverstärkungsantennen<br />

sowie Strahlformungstechniken<br />

und Diversitätsverfahren erforderlich.<br />

Module, die breite Frequenzbereiche<br />

abdecken, werden<br />

zunehmend wichtiger, um<br />

viele Kommunikationsbänder<br />

in einem einzigen Gerät abzudecken.<br />

Dementsprechend müssen auch<br />

die Dämpfungsglieder angepasst<br />

7-A-Diode mit<br />

Verpolungsschutz<br />

Die aktive Diode LTC4376 der Marke<br />

Power by Linear von Analog Devices mit<br />

internem 7-A-MOSFET und -40-V-Eingangsverpolungsschutz<br />

ersetzt Leistungs-<br />

Schottky-Dioden in herkömmlichen Dioden-<br />

oder Hochstromdiodenanwendungen,<br />

was die Spannungs- und Leistungsverluste<br />

um den Faktor 10 reduziert.<br />

Leistungsmerkmale:<br />

• verlustarmer Ersatz für Leistungs-<br />

Schottky-Dioden<br />

• Betriebsspannungsbereich von 4 bis 40 V<br />

• interner 7-A-/15-mA-N-Kanal-MOSFET<br />

• Eingangsverpolungsschutz bis -40 V<br />

• fester Rückwärtsgleichstrom<br />

• gleichmäßige schwingungsfreie Spannungsumschaltung<br />

• Ausgangsspannung von 0,6 bis 5,5 V<br />

Signal- und<br />

leistungsisolierter<br />

CAN-Transceiver<br />

Der ADM3057E ist ein CAN-Transceiver<br />

mit integriertem DC/DC-Wandler und<br />

einer Isolationsspannung von 3 k V effektiv.<br />

Das Bauteil erfüllt flexible Datenratenanforderungen<br />

(CAN FD) für den Betrieb<br />

bis 5 Mbit/s und höher, erfüllt den Standard<br />

ISO 11898-2: 2016 und unterstützt<br />

Datenübertragungsraten bis 12 Mbit/s.<br />

Leistungsmerkmale:<br />

• 3 kV Signal- und Leistungsisolierung<br />

• isoPower integrierte isolierte DC/DC-<br />

Wandler<br />

• VIO-Pin für 1,7 bis 5,5 V Logikpegel<br />

• ISO 11898-2:2016-konform (CAN FD)<br />

• Datenübertragungsraten bis 12 Mbit/s<br />

für CAN FD<br />

24- bis 220-V-Präzisions-<br />

Operationsverstärker<br />

Der ADHV4702-1 von Analog Devices ist<br />

ein für Verstärkungsfaktor 1 stabiler Hochvolt-Präzisions-Operationsverstärker<br />

für<br />

bis zu 220 V. Das Bauteil bietet eine hohe<br />

Impedanz mit niedrigem Biasstrom, eine<br />

geringe Eingangsoffsetspannung, geringe<br />

Drift und niedriges Rauschen für Anwendungen<br />

mit hoher Präzision.<br />

Leistungsmerkmale:<br />

• große Auswahl an Betriebsspannungen<br />

(±12 bis ±110 V, 24 bis 220 V)<br />

• Eingangs-Gleichtaktspannungsbereich:<br />

3 V von Versorgungsschienen<br />

• Gleichtaktunterdrückung:<br />

160 dB typisch<br />

• AOL von 170 dB typisch<br />

• Ausgangsspannung von 0,6 bis 5,5 V<br />

• Slew Rate: 74 V/µs typisch, 24 V/µs<br />

typisch mit externen Eingangs-Klemmdioden<br />

■ Analog Devices<br />

www.analog.com<br />

36 hf-praxis 7/<strong>2019</strong>

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