7-2019
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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Bauelemente<br />
Chip-Dämpfungselemente für Hochfrequenz-Anwendungen<br />
Das elektromagnetische Spektrum<br />
deckt einen riesigen<br />
Bereich ab – aber nur ein kleiner<br />
Teil davon ist für die drahtlose<br />
Kommunikation geeignet,<br />
ein Bruchteil davon wird auch<br />
dafür genutzt: der Bereich von<br />
1 MHz bis 30 GHz. Und dieser<br />
ist dementsprechend dicht belegt<br />
– von drahtlosen Kommunikationssystemen,<br />
einschließlich<br />
Kurzwellen-, AM-, FM-, TV-<br />
Rundfunk-, Mobilfunk-, sowie<br />
verschiedenen Anwendungen<br />
wie WiFi, Bluetooth, ZigBee,<br />
oder industriellen und medizinischen<br />
Systeme.<br />
Da in diesem Bereich kaum noch<br />
ungenutzte Frequenzen übrig<br />
sind, soll der Frequenzbereich<br />
für die drahtlose Kommunikation<br />
erweitert werden. Hierfür<br />
müssen einige Hürden genommen<br />
werden, da die Signaldämpfung<br />
durch die Luft, die<br />
Kommunikationsdistanz und<br />
die Fähigkeit, feste Objekte zu<br />
durchdringen mit zunehmender<br />
Frequenz abnehmen. Um eine<br />
ausreichende Signalstärke für<br />
viele Nutzer bereitzustellen,<br />
sind Hochverstärkungsantennen<br />
sowie Strahlformungstechniken<br />
und Diversitätsverfahren erforderlich.<br />
Module, die breite Frequenzbereiche<br />
abdecken, werden<br />
zunehmend wichtiger, um<br />
viele Kommunikationsbänder<br />
in einem einzigen Gerät abzudecken.<br />
Dementsprechend müssen auch<br />
die Dämpfungsglieder angepasst<br />
7-A-Diode mit<br />
Verpolungsschutz<br />
Die aktive Diode LTC4376 der Marke<br />
Power by Linear von Analog Devices mit<br />
internem 7-A-MOSFET und -40-V-Eingangsverpolungsschutz<br />
ersetzt Leistungs-<br />
Schottky-Dioden in herkömmlichen Dioden-<br />
oder Hochstromdiodenanwendungen,<br />
was die Spannungs- und Leistungsverluste<br />
um den Faktor 10 reduziert.<br />
Leistungsmerkmale:<br />
• verlustarmer Ersatz für Leistungs-<br />
Schottky-Dioden<br />
• Betriebsspannungsbereich von 4 bis 40 V<br />
• interner 7-A-/15-mA-N-Kanal-MOSFET<br />
• Eingangsverpolungsschutz bis -40 V<br />
• fester Rückwärtsgleichstrom<br />
• gleichmäßige schwingungsfreie Spannungsumschaltung<br />
• Ausgangsspannung von 0,6 bis 5,5 V<br />
Signal- und<br />
leistungsisolierter<br />
CAN-Transceiver<br />
Der ADM3057E ist ein CAN-Transceiver<br />
mit integriertem DC/DC-Wandler und<br />
einer Isolationsspannung von 3 k V effektiv.<br />
Das Bauteil erfüllt flexible Datenratenanforderungen<br />
(CAN FD) für den Betrieb<br />
bis 5 Mbit/s und höher, erfüllt den Standard<br />
ISO 11898-2: 2016 und unterstützt<br />
Datenübertragungsraten bis 12 Mbit/s.<br />
Leistungsmerkmale:<br />
• 3 kV Signal- und Leistungsisolierung<br />
• isoPower integrierte isolierte DC/DC-<br />
Wandler<br />
• VIO-Pin für 1,7 bis 5,5 V Logikpegel<br />
• ISO 11898-2:2016-konform (CAN FD)<br />
• Datenübertragungsraten bis 12 Mbit/s<br />
für CAN FD<br />
24- bis 220-V-Präzisions-<br />
Operationsverstärker<br />
Der ADHV4702-1 von Analog Devices ist<br />
ein für Verstärkungsfaktor 1 stabiler Hochvolt-Präzisions-Operationsverstärker<br />
für<br />
bis zu 220 V. Das Bauteil bietet eine hohe<br />
Impedanz mit niedrigem Biasstrom, eine<br />
geringe Eingangsoffsetspannung, geringe<br />
Drift und niedriges Rauschen für Anwendungen<br />
mit hoher Präzision.<br />
Leistungsmerkmale:<br />
• große Auswahl an Betriebsspannungen<br />
(±12 bis ±110 V, 24 bis 220 V)<br />
• Eingangs-Gleichtaktspannungsbereich:<br />
3 V von Versorgungsschienen<br />
• Gleichtaktunterdrückung:<br />
160 dB typisch<br />
• AOL von 170 dB typisch<br />
• Ausgangsspannung von 0,6 bis 5,5 V<br />
• Slew Rate: 74 V/µs typisch, 24 V/µs<br />
typisch mit externen Eingangs-Klemmdioden<br />
■ Analog Devices<br />
www.analog.com<br />
36 hf-praxis 7/<strong>2019</strong>