7-2019
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik
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Bauelemente<br />
2D-Radar-Modul mit integrierter digitaler Signalverarbeitung<br />
für Distanz und Winkelauswertung<br />
für einfache Gestenerkennung<br />
reicht. Die interne FSK-Frequenzmodulation<br />
ermöglicht die<br />
Distanzmessung von bewegten<br />
Objekten. Das K-LD7 eignet<br />
sich auch sehr gut für das Zählen<br />
von Personen oder Fahrzeugen.<br />
Endrich nimmt die neuen<br />
24-GHz-Radar-Sensoren K-LD7<br />
von der RFbeam Microwave<br />
GmbH in sein Produktsortiment<br />
auf. Voraussichtlich werden die<br />
Sensoren ab Juli <strong>2019</strong> verfügbar<br />
sein. Diese digitale Variante<br />
verfügt über eine interne<br />
FFT Signalverarbeitung. Die<br />
digitalen Daten werden über<br />
ein UART-Interface ausgegeben<br />
oder der Anwender kann<br />
das Modul über das Interface<br />
auf seine Anwendung parametrieren<br />
und die ausgegebene<br />
Zielliste weiterverarbeiten. Dank<br />
umfangreicher Filterfunktionen<br />
und anderer Parameter kann man<br />
das Modul schnell auf verschiedene<br />
Anwendungen anpassen,<br />
wozu durch die einfache Handhabung<br />
keine speziellen Kenntnisse<br />
in analoger oder digitaler<br />
Schaltungstechnik nötig sind.<br />
Die Radar-Sensoren verfügen<br />
über zwei Empfangskanäle,<br />
womit gemessen wird, unter<br />
welchem Winkel ein Objekt<br />
detektiert wurde. Die interne<br />
Signalverarbeitung führt eine<br />
2D-Erfassung von bewegten<br />
Objekten im Detektionsbereich<br />
durch. Der Detektionsbereich<br />
des Moduls beträgt 80 x 34<br />
Grad, wobei die Winkelmessung<br />
über die 80° erfolgt, was bereits<br />
Die Sendefrequenz wird intern<br />
geregelt und kann für einen<br />
weltweiten Einsatz individuell<br />
festgelegt werden. Obwohl das<br />
Modul mit den Abmessungen 38<br />
x 25 x 13,5 mm sehr kompakt ist,<br />
sind für eine Richtungsmessung<br />
in beiden Empfangskanälen die<br />
I/Q-Kanäle auf die Modulstecker<br />
geführt.<br />
Das mitgelieferte grafische User<br />
Interface (GUI) erlaubt eine<br />
komfortable Parametrierung<br />
und direkte Zuordnung der vier<br />
Ausgänge auf die durch Distanz<br />
und Winkel definierten Sektoren.<br />
■ Endrich Bauelemente<br />
Vertriebs GmbH<br />
endrich@endrich.com<br />
www.endrich.com<br />
1700-V-Leistungsschalter-Module mit optimiertem Gehäuse<br />
Gängige Leistungsschalter-Modul-Bauformen<br />
sind problematisch, wenn mehrere<br />
Module verschaltet werden sollen: Eingangs-<br />
und Ausgangskreise kreuzen sich,<br />
es besteht die Gefahr von Übersprechen<br />
und unterschiedlich langen Zuleitungen<br />
mit somit unterschiedlicher Anschlussimpedanz.<br />
Das neue bei HY-Line Power<br />
Components verfügbare LV100 löst diese<br />
Probleme.<br />
Geringe Induktivitäten sind für schnelle<br />
IGBT- und erst recht Wideband-FET-<br />
Schalter wichtig, um die Schalter nicht<br />
auszubremsen und keine gefährlichen<br />
Überspannungen zu generieren, die zu<br />
unerwarteten Störungen und Ausfällen<br />
führen. Auch die Trennung von Steuerund<br />
Leistungsseite ist wichtig, um Übersprechen<br />
zu vermeiden. Das Layout des<br />
LV100 ist mit kurzen Wegen und symmetrisch<br />
angelegt, sodass auch das Verschalten<br />
mehrerer Module ohne Probleme<br />
möglich ist. Ein weiterer Vorteil ist die<br />
Robustheit gegen Materialermüdung durch<br />
thermische Zyklen dank SLC-Technologie<br />
– die Ausdehnungskoeffizienten aller<br />
Materialien, auch des Vergussmaterials,<br />
sind an jene von Kupfer angepasst.<br />
Aktuell werden bereits IGBT-Module<br />
der 7. Generation von Mitsubishi Electric<br />
Semiconductor mit Spannungen bis<br />
1700 V und Strömen bis 1200 A verbaut,<br />
in Planung sind bis zu 1400 A und 3300<br />
V. Mit einer leichten Gehäusemodifikation,<br />
dann als HV100, sind Bausteine für<br />
bis zu 6500 V Schaltspannung und 10 kV<br />
Isolation bereits in der Entwicklung. Der<br />
Betrieb des LV100 ist mit den aktuellen<br />
siliziumbasierenden Halbleitern bis zu<br />
150 °C möglich. Bei Schaltfrequenzen<br />
im oberen kHz-Bereich zeigt das LV100<br />
deutliche Vorteile. Mit SiC-MOSFETs<br />
sind noch höhere Schaltfrequenzen und<br />
Temperaturen erreichbar.<br />
Das neue Gehäuse misst nur 100 x 140 x<br />
40 mm und empfiehlt sich besonders für<br />
Anwendungen im industriellen Bereich<br />
und jenem der erneuerbaren Energien.<br />
■ HY-Line Power Components Vertriebs<br />
GmbH<br />
power@hy-line.de<br />
www.hy-line.de/power<br />
hf-praxis 7/<strong>2019</strong> 35