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7-2019

Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

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Bauelemente<br />

2D-Radar-Modul mit integrierter digitaler Signalverarbeitung<br />

für Distanz und Winkelauswertung<br />

für einfache Gestenerkennung<br />

reicht. Die interne FSK-Frequenzmodulation<br />

ermöglicht die<br />

Distanzmessung von bewegten<br />

Objekten. Das K-LD7 eignet<br />

sich auch sehr gut für das Zählen<br />

von Personen oder Fahrzeugen.<br />

Endrich nimmt die neuen<br />

24-GHz-Radar-Sensoren K-LD7<br />

von der RFbeam Microwave<br />

GmbH in sein Produktsortiment<br />

auf. Voraussichtlich werden die<br />

Sensoren ab Juli <strong>2019</strong> verfügbar<br />

sein. Diese digitale Variante<br />

verfügt über eine interne<br />

FFT Signalverarbeitung. Die<br />

digitalen Daten werden über<br />

ein UART-Interface ausgegeben<br />

oder der Anwender kann<br />

das Modul über das Interface<br />

auf seine Anwendung parametrieren<br />

und die ausgegebene<br />

Zielliste weiterverarbeiten. Dank<br />

umfangreicher Filterfunktionen<br />

und anderer Parameter kann man<br />

das Modul schnell auf verschiedene<br />

Anwendungen anpassen,<br />

wozu durch die einfache Handhabung<br />

keine speziellen Kenntnisse<br />

in analoger oder digitaler<br />

Schaltungstechnik nötig sind.<br />

Die Radar-Sensoren verfügen<br />

über zwei Empfangskanäle,<br />

womit gemessen wird, unter<br />

welchem Winkel ein Objekt<br />

detektiert wurde. Die interne<br />

Signalverarbeitung führt eine<br />

2D-Erfassung von bewegten<br />

Objekten im Detektionsbereich<br />

durch. Der Detektionsbereich<br />

des Moduls beträgt 80 x 34<br />

Grad, wobei die Winkelmessung<br />

über die 80° erfolgt, was bereits<br />

Die Sendefrequenz wird intern<br />

geregelt und kann für einen<br />

weltweiten Einsatz individuell<br />

festgelegt werden. Obwohl das<br />

Modul mit den Abmessungen 38<br />

x 25 x 13,5 mm sehr kompakt ist,<br />

sind für eine Richtungsmessung<br />

in beiden Empfangskanälen die<br />

I/Q-Kanäle auf die Modulstecker<br />

geführt.<br />

Das mitgelieferte grafische User<br />

Interface (GUI) erlaubt eine<br />

komfortable Parametrierung<br />

und direkte Zuordnung der vier<br />

Ausgänge auf die durch Distanz<br />

und Winkel definierten Sektoren.<br />

■ Endrich Bauelemente<br />

Vertriebs GmbH<br />

endrich@endrich.com<br />

www.endrich.com<br />

1700-V-Leistungsschalter-Module mit optimiertem Gehäuse<br />

Gängige Leistungsschalter-Modul-Bauformen<br />

sind problematisch, wenn mehrere<br />

Module verschaltet werden sollen: Eingangs-<br />

und Ausgangskreise kreuzen sich,<br />

es besteht die Gefahr von Übersprechen<br />

und unterschiedlich langen Zuleitungen<br />

mit somit unterschiedlicher Anschlussimpedanz.<br />

Das neue bei HY-Line Power<br />

Components verfügbare LV100 löst diese<br />

Probleme.<br />

Geringe Induktivitäten sind für schnelle<br />

IGBT- und erst recht Wideband-FET-<br />

Schalter wichtig, um die Schalter nicht<br />

auszubremsen und keine gefährlichen<br />

Überspannungen zu generieren, die zu<br />

unerwarteten Störungen und Ausfällen<br />

führen. Auch die Trennung von Steuerund<br />

Leistungsseite ist wichtig, um Übersprechen<br />

zu vermeiden. Das Layout des<br />

LV100 ist mit kurzen Wegen und symmetrisch<br />

angelegt, sodass auch das Verschalten<br />

mehrerer Module ohne Probleme<br />

möglich ist. Ein weiterer Vorteil ist die<br />

Robustheit gegen Materialermüdung durch<br />

thermische Zyklen dank SLC-Technologie<br />

– die Ausdehnungskoeffizienten aller<br />

Materialien, auch des Vergussmaterials,<br />

sind an jene von Kupfer angepasst.<br />

Aktuell werden bereits IGBT-Module<br />

der 7. Generation von Mitsubishi Electric<br />

Semiconductor mit Spannungen bis<br />

1700 V und Strömen bis 1200 A verbaut,<br />

in Planung sind bis zu 1400 A und 3300<br />

V. Mit einer leichten Gehäusemodifikation,<br />

dann als HV100, sind Bausteine für<br />

bis zu 6500 V Schaltspannung und 10 kV<br />

Isolation bereits in der Entwicklung. Der<br />

Betrieb des LV100 ist mit den aktuellen<br />

siliziumbasierenden Halbleitern bis zu<br />

150 °C möglich. Bei Schaltfrequenzen<br />

im oberen kHz-Bereich zeigt das LV100<br />

deutliche Vorteile. Mit SiC-MOSFETs<br />

sind noch höhere Schaltfrequenzen und<br />

Temperaturen erreichbar.<br />

Das neue Gehäuse misst nur 100 x 140 x<br />

40 mm und empfiehlt sich besonders für<br />

Anwendungen im industriellen Bereich<br />

und jenem der erneuerbaren Energien.<br />

■ HY-Line Power Components Vertriebs<br />

GmbH<br />

power@hy-line.de<br />

www.hy-line.de/power<br />

hf-praxis 7/<strong>2019</strong> 35

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