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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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70 5. Ergebnisse <strong>und</strong> Diskussion: <strong>Gold</strong>leiterbahnen<br />

Widerstandsanstieg gegen Ende der Messungen nur auf morphologische Änderungen,<br />

also das Anwachsen der Poren, oder auch auf e<strong>in</strong>en Anstieg der Temperatur <strong>in</strong>nerhalb<br />

der Engstelle zurückzuführen ist.<br />

Abb. 5.5 zeig die Durchbruchposition der zuvor betrachteten Leiterbahn nach zehn<br />

<strong>und</strong> zwölf St<strong>und</strong>en unter Strombelastung. Man erkennt e<strong>in</strong> deutliches Anwachsen der<br />

Porenfläche <strong>in</strong>nerhalb dieser zwei St<strong>und</strong>en. Die weißen Pfeile <strong>in</strong> Abb. 5.5 markieren<br />

die beiden stromführenden Pfade, durch welche der gesamte Stromfluss der Leiterbahn<br />

verläuft. Ausgehend von den geometrischen Abmessungen dieser Bereiche, welche an-<br />

hand der REM-Aufnahmen bestimmt werden, lässt sich der Widerstand an dieser Po-<br />

sition bestimmen. Hierzu wird zunächst der spezifische Widerstand der unzerstörten<br />

Leiterbahn zu ρ ≃ 5 µΩcm bestimmt. Damit erhält man für den Widerstandsbeitrag<br />

der ”<strong>Gold</strong>-Brücken” zum Gesamtwiderstand <strong>in</strong> der Nähe der kritischen Voids folgende<br />

Werte: δRm(10 h) = 0.46 Ω <strong>und</strong> δRm(12 h) = 1.09 Ω. Hier<strong>in</strong> bezeichnet der Index ”m”,<br />

dass es sich um den morphologischen Widerstand handelt. Die von der Morphologie<br />

bed<strong>in</strong>gte Widerstandsänderung beträgt damit 0, 63 Ω.<br />

Neben dem Beitrag der morphologischen Änderungen muss weiterh<strong>in</strong> e<strong>in</strong> möglicher<br />

Beitrag δRth durch e<strong>in</strong>en Temperaturanstieg berücksichtigt werden. Damit lässt sich der<br />

Gesamtwiderstand der Leiterbahn <strong>in</strong> Abhängigkeit der Zeit schreiben als:<br />

R(t) = R(0) + ∆RM + δRm(t) + δRth(t) (11)<br />

mit R(0) als Widerstand der Leiterbahn zu Beg<strong>in</strong>n des Experiments (nach der Ther-<br />

malisierung mit dem Substrat) <strong>und</strong> ∆RM als Beitrag der morphologischen Entwicklun-<br />

gen außerhalb der Engstelle.<br />

Mit der Annahme, dass der Widerstandsanstieg bis zu zehn St<strong>und</strong>en nur durch mor-<br />

phologische Änderungen bestimmt ist, ergibt sich für e<strong>in</strong>en zusätzlichen thermischen<br />

Beitrag e<strong>in</strong> Wert von δRth(10 h) ≃ 0. Weiterh<strong>in</strong> ändern sich nach 10 St<strong>und</strong>en unter<br />

Strombelastung im wesentlichen nur die kritischen Poren (siehe Abb. 5.1 f) <strong>und</strong> g)), so<br />

dass man von 10 bis 12 St<strong>und</strong>en von e<strong>in</strong>er annähernd konstanten Porenfläche ausge-<br />

hen kann. Dementsprechend ergibt sich ∆RM = 0. Insgesamt ergibt sich damit für die<br />

Widerstandsänderung zwischen 10 <strong>und</strong> 12 St<strong>und</strong>en folgende Gleichung:<br />

R(12 h) − R(10 h) = δRm(12 h) − δRm(10 h) + δRth(12 h) (12)<br />

Aus der Auftragung der Widerstandskurve (siehe Abb. 5.2) erhält man e<strong>in</strong>en Wert<br />

von R(12 h) − R(10 h) = 1.4 Ω. Der morphologische Beitrag δRm(12 h) − δRm(10 h)<br />

hat e<strong>in</strong>en Wert von 0, 63 Ω. Damit beträgt der Wert des thermisch bed<strong>in</strong>gten Wider-<br />

standsanstiegs: δRth(12 h) = 0, 77 Ω. In Verb<strong>in</strong>dung mit Gl. 8 erhält man - bezogen

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