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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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66 5. Ergebnisse <strong>und</strong> Diskussion: <strong>Gold</strong>leiterbahnen<br />

zu se<strong>in</strong>. Nach ca. zwei St<strong>und</strong>en beg<strong>in</strong>nt der Widerstand anzusteigen, was auf die nun<br />

dom<strong>in</strong>ierende Porenbildung zurückzuführen ist. Die Widerstandszunahme beschleunigt<br />

sich im Verlauf der Messung zusehends, bis die Leiterbahn nach 12,04 St<strong>und</strong>en ausfällt.<br />

E<strong>in</strong>gezeichnet s<strong>in</strong>d weiterh<strong>in</strong> zwei Widerstandswerte R(10 h) <strong>und</strong> R(12 h), welche für<br />

die detaillierte Betrachtung des Ausfalls von Bedeutung s<strong>in</strong>d. Der Widerstandsbeitrag<br />

e<strong>in</strong>zelner Poren zum Widerstandsverhalten der gesamten Leiterbahn wird zusammen<br />

mit den beiden Widerstandswerten <strong>in</strong> Kap. 5.1.5 noch e<strong>in</strong>gehender diskutiert.<br />

Das Widerstandsverhalten e<strong>in</strong>er polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbahn wird von zwei<br />

Aspekten dom<strong>in</strong>iert: Zum e<strong>in</strong>en kommt es zu e<strong>in</strong>em Ausheilverhalten <strong>und</strong> damit zu<br />

e<strong>in</strong>er Verr<strong>in</strong>gerung des Widerstandes der Leiterbahn, zum anderen kommt es aufgr<strong>und</strong><br />

der Porenbildung <strong>und</strong> des Porenwachstums zu e<strong>in</strong>em Anstieg des Widerstandes. Die<br />

gesamte Widerstandsänderung aufgr<strong>und</strong> morphologischer Effekte setzt sich aus diesen<br />

Beiträgen zusammen. Um dies zu verdeutlichen wurde <strong>in</strong> Abb. 5.2 die gestrichelte Kur-<br />

ve e<strong>in</strong>gezeichnet. Diese stellt den re<strong>in</strong>en morphologischen E<strong>in</strong>fluss des Widerstandes bei<br />

Zimmertemperatur dar. Der Verlauf entspricht dabei den Werten bei Strombelastung<br />

unter Berücksichtigung der Joul’schen Erwärmung von ca. 70 K.<br />

5.1.3 Entwicklung der Porenfläche<br />

Neben der generellen Verknüpfung der elektrischen Messdaten mit der morphologischen<br />

Entwicklung der Leiterbahn, lassen sich die aufgenommenen REM-Bilder noch detail-<br />

lierter auswerten. Die Porenfläche der Leiterbahn aus Abb. 5.1 wird mit Hilfe e<strong>in</strong>es<br />

Graphikprogramms (ADOBE Photoshop � . Die genaue Vorgehensweise ist <strong>in</strong> Anhang<br />

A beschrieben) im Abstand von 30 M<strong>in</strong>uten bestimmt. Ähnliche Auswertungen wurden<br />

bereits an bambusartigen Alum<strong>in</strong>iumleiterbahnen vorgenommen. In [132] wurde gezeigt,<br />

dass bei e<strong>in</strong>igen Leiterbahnen e<strong>in</strong> l<strong>in</strong>earer Anstieg der Fläche e<strong>in</strong>zelner Poren während<br />

der Versuchszeit beobachtet werden kann.<br />

E<strong>in</strong> ähnliches Verhalten ist auch bei den polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbahnen beobach-<br />

tet worden. Abb. stellt 5.3 den zeitliche Verlauf der Porenfläche <strong>in</strong> Bezug zu der Ge-<br />

samtfläche der Leiterbahn dar. Man erkennt e<strong>in</strong>en l<strong>in</strong>earen Anstieg mit e<strong>in</strong>er Steigung<br />

von ca. 0, 21 % pro St<strong>und</strong>e für die ersten sieben St<strong>und</strong>en der Messung. Die Schwan-<br />

kungen der Messpunkte s<strong>in</strong>d dabei mit hoher Sicherheit hauptsächlich auf Helligkeits-<br />

bzw. Kontraständerungen zurückzuführen, welche das Messergebnis leicht verfälschen 14 .<br />

Anhand der Gesamtzahl der Pixel e<strong>in</strong>es REM-Bildes wurde e<strong>in</strong>e Messunsicherheit bei<br />

der Bestimmung der Porenfläche von 0, 2 % abgeschätzt, welche als Fehlerbalken oben<br />

l<strong>in</strong>ks <strong>in</strong> Abb. 5.3 angegeben ist.<br />

14 siehe den Sprung bei t = 5 h <strong>in</strong> Abb. 5.3; zu diesem Zeitpunkt wurde das Experiment nach e<strong>in</strong>er<br />

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