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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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Kurzzusammenfassung<br />

Als <strong>Elektromigration</strong> bezeichnet man den strom<strong>in</strong>duzierten Massetransport <strong>in</strong> metal-<br />

lischen Leitern. Sie stellt den Hauptgr<strong>und</strong> für das Versagen von <strong>in</strong>tegrierten Schaltkreisen<br />

dar <strong>und</strong> ist seit mehr als 50 Jahren Gegenstand <strong>in</strong>tensiver Untersuchungen.<br />

In dieser Arbeit wurde die <strong>Elektromigration</strong> <strong>in</strong> polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbahnen <strong>und</strong><br />

e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en, selbstorganisierten <strong>Silber</strong>drähten untersucht. Besonderes Augenmerk lag<br />

auf der hochauflösenden <strong>in</strong>-situ Beobachtung der auftretenden morphologischen Ände-<br />

rungen. Hierzu wurde e<strong>in</strong> neuer Versuchsstand aufgebaut <strong>und</strong> erfolgreich getestet.<br />

Während der <strong>Elektromigration</strong> kommt es <strong>in</strong> metallischen Leitern üblicherweise zur<br />

Bildung von Poren an der Kathodenseite <strong>und</strong> zur Bildung von Hügeln an der Anoden-<br />

seite. Dieses Verhalten wird <strong>in</strong> der vorliegenden Arbeit detailliert untersucht. Der elek-<br />

trische Ausfall der <strong>Gold</strong>leiterbahnen erfolgt über e<strong>in</strong>e schlitzförmige Pore senkrecht zur<br />

Stromrichtung. Die Porenfläche nimmt im wesentlichen l<strong>in</strong>ear mit der Versuchszeit zu.<br />

Der Ausfall der polykristall<strong>in</strong>en Leiterbahnen erfolgt typischerweise bei e<strong>in</strong>er Gesamt-<br />

porenfläche von 2 % bis 4 % der Gesamtleiterbahnfläche. Der E<strong>in</strong>fluss e<strong>in</strong>zelner Poren <strong>in</strong><br />

e<strong>in</strong>er Leiterbahn unter massiver Strombelastung auf den elektrischen Widerstand wurde<br />

erfolgreich nachgewiesen.<br />

Die Abhängigkeit des <strong>Elektromigration</strong>sverhalten von Leiterbahnbreite <strong>und</strong> -höhe,<br />

der Korngröße sowie der Temperatur wurde e<strong>in</strong>gehend studiert. Für hochauflösende Mes-<br />

sungen wurden spezielle Leiterbahnen mit E<strong>in</strong>buchtungen hergestellt. Die Abhängigkeit<br />

der <strong>Elektromigration</strong> von der Stromdichte sowie der E<strong>in</strong>fluss der Messungen auf die<br />

<strong>Elektromigration</strong> ist ebenfalls Gegenstand dieser Arbeit.<br />

Bei Umkehrung der Polarität zeigt sich e<strong>in</strong> reversibles <strong>Elektromigration</strong>sverhalten der<br />

<strong>Gold</strong>leiterbahnen, verb<strong>und</strong>en mit e<strong>in</strong>er deutlichen Erhöhung der Lebensdauer. Hierbei<br />

wird e<strong>in</strong> merkliches Ausheilverhalten anhand der Widerstandsdaten der Leiterbahnen<br />

beobachtet. Weiterh<strong>in</strong> wird im Verlauf dieser Arbeit e<strong>in</strong>e alternative Blechlänge be-<br />

stimmt. Berechnet man das kritische Produkt aus Leiterbahnlänge <strong>und</strong> Stromdichte,<br />

ergibt sich e<strong>in</strong>e gute Übere<strong>in</strong>stimmung mit Literaturdaten, welche für andere metalli-<br />

sche Leiterbahnen erzielt wurden.<br />

Erstmalig konnten im Rahmen dieser Arbeit Messungen an e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en, selbstor-<br />

ganisierten <strong>Silber</strong>drähten durchgeführt werden. Überraschenderweise f<strong>in</strong>det man bei die-<br />

sem System e<strong>in</strong> völlig anderes <strong>Elektromigration</strong>sverhalten als <strong>in</strong> polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>lei-<br />

terbahnen. Der Ausfall erfolgt an der Anodenseite <strong>und</strong> nicht, wie üblich, an der Katho-<br />

denseite. Der Materialtransport <strong>in</strong> diesem System erfolgt also von der Anode <strong>in</strong> Richtung<br />

der Kathode <strong>und</strong> damit entgegengesetzt zur Bewegungsrichtung der Elektronen. Dieses<br />

Resultat deutet auf e<strong>in</strong> Überwiegen der direkten Kraft <strong>in</strong> diesem System h<strong>in</strong>.<br />

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