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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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58 4. Ergebnisse <strong>und</strong> Diskussion: Vorbetrachtungen zu den <strong>in</strong>-situ Messungen<br />

Abb. 4.5: Detail e<strong>in</strong>es R(t)-Verlaufs für e<strong>in</strong>e <strong>Gold</strong>leiterbahn auf e<strong>in</strong>em Silizium-Substrat<br />

mit 50 nm Oxidschichtdicke. Man erkennt neben dem Anstieg des Widerstandes, der auf die<br />

Thermalisierung mit dem Substrat zurückzuführen ist, periodische Widerstandsänderungen,<br />

welche auf den E<strong>in</strong>fluss des Elektronenstrahls zurückgehen (entnommen aus [171]).<br />

Widerstand s<strong>in</strong>kt ab, sobald der Strahl die Leiterbahn verlässt <strong>und</strong> das Siliziumsubstrat<br />

trifft. Dementsprechend bef<strong>in</strong>det sich das lokale Maximum e<strong>in</strong>er Widerstandsoszillation<br />

ca. <strong>in</strong> der Mitte e<strong>in</strong>es fünf - Sek<strong>und</strong>en Intervalls, d. h. <strong>in</strong> der Zeitspanne während die<br />

Leiterbahn vom Elektronenstrahl getroffen wird.<br />

Mit Hilfe e<strong>in</strong>er e<strong>in</strong>fachen Annahme lassen sich die Widerstandsänderungen im Be-<br />

reich von ∆R/R = 10 −5 erklären [171]. Da die Elektronen des Elektronenstrahls über<br />

<strong>in</strong>elastische Stöße Energie <strong>in</strong> der Leiterbahn (<strong>und</strong> im darunter liegenden Substrat) depo-<br />

nieren, kommt es zu e<strong>in</strong>er Temperaturerhöhung <strong>und</strong> <strong>in</strong>folge dessen auch zu e<strong>in</strong>er Wider-<br />

standsänderung der Leiterbahn, sobald diese vom Elektronenstrahl getroffen wird. Be-<br />

rechnet man über die Widerstandsänderung die Temperaturänderung, ergibt sich nach<br />

Gl. 8 e<strong>in</strong> Wert von δT = 25 mK.<br />

Die <strong>in</strong> Abb. 4.5 dargestellte Widerstandsmesskurve wurde bei e<strong>in</strong>er konstant anliegen-<br />

den (4 Pkt-) Spannung von 330 mV aufgenommen. Die Stromstärke betrug I ≃ 31 mA,<br />

womit e<strong>in</strong>e Leistung von P ≃ 1 · 10 −2 W <strong>in</strong> der Leiterbahn dissipiert wurde. Diese Leis-<br />

tung führte zu e<strong>in</strong>em Temperaturanstieg von ∆T = 70 K. Entsprechend dem <strong>in</strong> Abb.<br />

4.2 dargestellten l<strong>in</strong>earen Zusammenhang zwischen Temperaturänderung <strong>und</strong> Leistung,<br />

lässt sich die benötigte Leistung für e<strong>in</strong>e Temperaturänderung von δT = 25 mK be-<br />

rechnen: man erhält e<strong>in</strong>en Wert von P ≃ 3, 6 · 10 −6 W.<br />

Ob diese Leistung s<strong>in</strong>nvoll ist, lässt sich anhand e<strong>in</strong>es Vergleiches mit der Leistung des<br />

Elektronenstrahls bestimmen. Bei e<strong>in</strong>er Beschleunigungsspannung von U = 10 kV <strong>und</strong><br />

e<strong>in</strong>er Strahlstromstärke von ca. 1 ·10 −10 A ergibt sich e<strong>in</strong>e Leistung von P = 1 ·10 −6 W.

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