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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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4.1 E<strong>in</strong>fluss <strong>und</strong> Bestimmung der Temperatur 55<br />

Probe Breite (nm) Schichtdicke (nm) REM ΦKrist (nm) m<br />

1 510 38 ne<strong>in</strong> 17 2,30<br />

2 480 41 ja 25 2,32<br />

3 970 36 ja 27 2,33<br />

4 415 41 ja 96 2,42<br />

5 425 41 ne<strong>in</strong> 99 2,58<br />

6 495 41 ne<strong>in</strong> 115 2,49<br />

7 475 41 ne<strong>in</strong> 119 2,57<br />

Tab. 4.2: Übersicht der anhand von Gl. 10 bestimmten Stromdichteexponenten für verschie-<br />

dene Leiterbahnparameter.<br />

Der Wert von A wurde <strong>in</strong> dieser Arbeit nicht bestimmt; daher s<strong>in</strong>d die für den<br />

Stromdichteexponenten m bestimmten Werte nur für polykristall<strong>in</strong>e <strong>Gold</strong>leiterbahnen<br />

anwendbar. Der Stromdichteexponent wurde im Rahmen dieser Arbeit für Leiterbahnen<br />

mit unterschiedlicher Korngröße <strong>und</strong> Vorbehandlung (Bestrahlung im REM, analog zur<br />

Bestimmung des l<strong>in</strong>earen Temperaturkoeffizienten) bestimmt.<br />

Als wesentliches Ergebnis bleibt festzuhalten, dass sich mit Gl. 10 die zu erwartende<br />

Temperaturerhöhung für e<strong>in</strong>e gegebene Stromstärke berechnen lässt (siehe auch Kap.<br />

5.1). Im weiteren Verlauf dieser Arbeit wird jeweils der auf die Korngröße <strong>und</strong> die<br />

Vorgeschichte der Leiterbahn nächstliegende Wert für m herangezogen.<br />

Tabelle 4.2 listet verschiedene Werte für den Stromdichteexponenten m für verschie-<br />

dene Leiterbahnparameter auf. Die Proben s<strong>in</strong>d dabei nach dem Korndurchmesser (Spal-<br />

te fünf) geordnet. Neben der Breite (Spalte zwei) <strong>und</strong> der Schichtdicke (Spalte drei) der<br />

untersuchten Leiterbahnen ist <strong>in</strong> der Tabelle weiterh<strong>in</strong> angegeben, ob die Proben vor<br />

dem Versuch im REM bestrahlt wurden (Spalte vier).<br />

Zunächst fällt auf, dass m für die hier untersuchten Proben nicht von der Leiter-<br />

bahnbreite <strong>und</strong> der Schichtdicke abhängig ist (vergleiche hierzu Proben zwei <strong>und</strong> drei).<br />

H<strong>in</strong>gegen gibt es e<strong>in</strong>e stärkere Abhängigkeit von der Korngröße, wie man direkt bei<br />

e<strong>in</strong>em Vergleich der Spalten fünf <strong>und</strong> sechs erkennen kann. Mit zunehmendem Korn-<br />

durchmesser steigt der Wert des Stromdichteexponenten m an. Dies bedeutet, dass für<br />

Proben mit größeren Körnern die relative Widerstandsänderung stärker ausfällt als für<br />

Proben mit kle<strong>in</strong>eren Körnern. Dies entspricht dem Verhalten des l<strong>in</strong>earen Tempera-<br />

turkoeffizienten α, welcher bei größeren Körnern e<strong>in</strong>en höheren Wert besitzt als bei<br />

Leiterbahnen mit ger<strong>in</strong>gen Korngrößen.<br />

Im Gegensatz zum Temperaturkoeffizienten sche<strong>in</strong>t der Stromdichteexponent davon<br />

abhängig zu se<strong>in</strong>, ob die Leiterbahn vor der Messung im REM bestrahlt wurde. So

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