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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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50 4. Ergebnisse <strong>und</strong> Diskussion: Vorbetrachtungen zu den <strong>in</strong>-situ Messungen<br />

des Temperaturkoeffizienten, wie man ebenfalls anhand der Proben 3 bis 6 erkennen<br />

kann. Der mit ca 10 % ger<strong>in</strong>ge Unterschied von α ist wahrsche<strong>in</strong>lich auf die ger<strong>in</strong>gfügig<br />

unterschiedlichen Korngrößen zurückzuführen, welche ebenfalls e<strong>in</strong>e Abweichung von ca.<br />

10 % zeigt.<br />

Zusammenfassend ergibt sich, dass die Werte für die polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbah-<br />

nen um bis zu 50 % vom Literaturwert (α = 0, 0041 K −1 [108]) abweichen. Die <strong>in</strong> dieser<br />

Arbeit bestimmten Werte liegen im Bereich von α = 0, 0019 K −1 bis α = 0, 0032 K −1 .<br />

Dabei gibt es e<strong>in</strong>en wesentlichen Unterschied zwischen angelassenen <strong>und</strong> nicht angelas-<br />

senen Leiterbahnen. Die Abweichung vom Literaturwert beruht im wesentlichen darauf,<br />

dass für die Bestimmung des Literaturwertes makroskopische Proben hoher Re<strong>in</strong>heit ver-<br />

wendet werden. Fehlstellen <strong>und</strong> Verunre<strong>in</strong>igungen, die aufgr<strong>und</strong> des Herstellungsverfah-<br />

rens vermehrt <strong>in</strong> dünnen Schichten auftreten führend zu e<strong>in</strong>er Veränderung der Elektron-<br />

Phonon Wechselwirkung <strong>und</strong> damit zu e<strong>in</strong>em Wert von α kle<strong>in</strong>er als 0, 0041 K −1 .<br />

4.1.2 Bestimmung der Temperaturerhöhung <strong>in</strong>nerhalb der Leiterbahnen<br />

Mit Hilfe des l<strong>in</strong>earen Temperaturkoeffizienten <strong>und</strong> der Widerstandsänderung zu Beg<strong>in</strong>n<br />

e<strong>in</strong>es <strong>Elektromigration</strong>sexperimentes lässt sich gemäß Gl. 8 die Temperaturerhöhung <strong>in</strong>-<br />

nerhalb e<strong>in</strong>er Leiterbahn berechnen. Hierbei müssen das E<strong>in</strong>schw<strong>in</strong>gverhalten der Tem-<br />

peraturerhöhung sowie Effekte, die auf die <strong>Elektromigration</strong> zurückzuführen s<strong>in</strong>d mit<br />

berücksichtigt werden.<br />

Abb. 4.1 zeigt e<strong>in</strong>en typischen zeitlichen Verlauf des Widerstandes e<strong>in</strong>er polykristal-<br />

l<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbahn zu Beg<strong>in</strong>n e<strong>in</strong>es <strong>Elektromigration</strong>sexperimentes. Der erste Mess-<br />

punkt (man beachte die unterbrochene Ord<strong>in</strong>atenachse) wurde mit R(0) = 13, 800 Ω für<br />

die unbelastete Leiterbahn bestimmt. Die weiteren Messpunkte entsprechen dem Wider-<br />

standsverhalten der Leiterbahn nach Anlegen e<strong>in</strong>er konstanten 2-Punkt Spannung von<br />

1, 5 V . Insgesamt erkennt man zunächst e<strong>in</strong>e deutliche Zunahme des Widerstands um<br />

1, 806 Ω <strong>in</strong>nerhalb e<strong>in</strong>er Sek<strong>und</strong>e auf e<strong>in</strong>en Wert von R = 15, 606 Ω. Danach erfolgt<br />

e<strong>in</strong>e weitere kont<strong>in</strong>uierliche Zunahme des Widerstandes um ∆ R = 0, 137 Ω, bis schließ-<br />

lich e<strong>in</strong> Maximum nach ca. 400 Sek<strong>und</strong>en bei R = 15, 743 Ω erreicht wird. Anschließend<br />

nimmt der gemessene Widerstand der Leiterbahn für den dargestellten Zeitraum nahezu<br />

l<strong>in</strong>ear ab.<br />

Es lassen sich beim E<strong>in</strong>schalten der Spannung drei Bereiche vone<strong>in</strong>ander trennen: Im<br />

Rahmen der zeitlichen Auflösung von e<strong>in</strong>er Sek<strong>und</strong>e steigt der Widerstand zu Beg<strong>in</strong>n<br />

der Messung <strong>in</strong>stantan an. Hierauf folgt e<strong>in</strong>e Phase, <strong>in</strong> welcher sich der Widerstandsan-<br />

stieg verlangsamt, bis schließlich e<strong>in</strong> Maximum erreicht wird. Dieser Widerstandsanstieg

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