Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen
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44 3. Experimentelles<br />
a<br />
b<br />
c<br />
390 nm<br />
Abb. 3.11: Kontaktierung e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>er <strong>Silber</strong>drähte. Teilbild a) zeigt e<strong>in</strong>e REM-Aufnahme<br />
der Siliziumoberfläche mit e<strong>in</strong>em e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en Draht <strong>in</strong> der Mitte des Bildauschnitts. Die<br />
schwarzen Pfeile deuten auf <strong>Silber</strong><strong>in</strong>seln, welche für den EBL-Schritt als Marken benutzt werden.<br />
Teilbild b) zeigt den <strong>Silber</strong>draht nachdem die Kontaktierung mit Hilfe der EBL durchgeführt<br />
wurde. In Teilbild c) ist e<strong>in</strong>e REM-Aufnahme der um 45 Grad geneigten Struktur zu<br />
sehen. (Bilder nach [166])<br />
3.4.2 Kontaktierung der <strong>Silber</strong>drähte<br />
Für die elektrische Kontaktierung der <strong>Silber</strong>drähte s<strong>in</strong>d (gegenüber der Präparation po-<br />
lykristall<strong>in</strong>er <strong>Gold</strong>leiterbahnen) e<strong>in</strong>e Reihe von zusätzlichen Schritten notwendig [166].<br />
Da die exakten Positionen der Drähte auf dem Substrat aufgr<strong>und</strong> des Selbstorganisati-<br />
onsprozesses nicht bekannt s<strong>in</strong>d, müssen zunächst die Positionen <strong>und</strong> die Längen der zu<br />
kontaktierenden Drähte bestimmt werden. Hierzu werden die Drähte nach dem Wachs-<br />
10 µm<br />
2 µm