Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen
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42 3. Experimentelles<br />
10 nm a 25 nm<br />
b<br />
Abb. 3.9: Rastertunnelmikroskopieaufnahmen e<strong>in</strong>er Siliziumoberfläche vor <strong>und</strong> nach Bedampfen<br />
mit <strong>Silber</strong>. Aufnahme a) zeigt e<strong>in</strong>e 4 Grad fehlgeneigte Siliziumoberfläche mit so<br />
genannten Double-Steps. Vor Aufnahme b) wurden 0,66 Monolagen <strong>Silber</strong> aufgedampft. Dies<br />
führt zu e<strong>in</strong>er Terrassierung der Oberfläche mit Terrassenbreiten bis zu mehr als 100 nm <strong>und</strong><br />
zum Step-Bunch<strong>in</strong>g. Bei weiterem Aufdampfen von <strong>Silber</strong> entstehen e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e <strong>Silber</strong><strong>in</strong>seln<br />
sowie entlang der Step-Bunches e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e <strong>Silber</strong>drähte. (Abb. mit fre<strong>und</strong>licher Genehmigung<br />
von Herrn F.-J. Meyer zu Her<strong>in</strong>gdorf [165].)<br />
Bei e<strong>in</strong>em Vergleich der angelassen mit den nicht angelassenen Schichten erkennt<br />
man für beide Proben e<strong>in</strong> deutliches Anwachsen der Beugungsreflexe von den (111)- <strong>und</strong><br />
(222)-Gitterebenen. Andere Reflexe der <strong>Gold</strong>schicht werden nach dem Anlassen nicht<br />
mehr beobachtet; dies deutet auf e<strong>in</strong>e Verstärkung e<strong>in</strong>er bereits vorhandenen (111)-<br />
Textur durch den Anlassvorgang h<strong>in</strong>.<br />
3.4 E<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e <strong>Silber</strong>drähte<br />
In dieser Arbeit wurden erstmalig selbstorganisierte e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e <strong>Silber</strong>drähte mit<br />
Hilfe der EBL elektrisch kontaktiert. Ziel war es, an diesem neuartigen System [162]<br />
<strong>Elektromigration</strong>suntersuchungen durchzuführen. Die Drähte wurden fre<strong>und</strong>licherwei-<br />
se von Herrn Dr. Frank Meyer zu Her<strong>in</strong>gdorf <strong>und</strong> Herrn Dr. Liviu Chelaru aus der<br />
Arbeitsgruppe Horn von Hoegen, Universität Duisburg-Essen, präpariert.<br />
3.4.1 Herstellung der <strong>Silber</strong>drähte<br />
Bei der Deposition von <strong>Silber</strong> bei e<strong>in</strong>er Temperatur von ca. 500−600 ◦ C auf e<strong>in</strong>e vic<strong>in</strong>alen<br />
Silizium (001)-Oberfläche kommt es zu e<strong>in</strong>er Facettierung dieser Oberfläche. Zunächst<br />
bilden sich aus der mit Doppelstufen bedeckten Oberfläche größere (001)-Terrassen mit<br />
der wohl bekannten (3x2)-Rekonstruktion des <strong>Silber</strong>s [163]. Die flachen (001)-Terrassen<br />
s<strong>in</strong>d durch so genannte Step-Bunches (zu deutsch: Stufenansammlungen) vone<strong>in</strong>ander