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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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38 3. Experimentelles<br />

U -<br />

Abb. 3.6: Typisches Beispiel e<strong>in</strong>er AFM-Aufnahme e<strong>in</strong>er <strong>Gold</strong>leiterbahn nach der <strong>Elektromigration</strong>.<br />

Der blaue Kreis deutet auf zwei Hügel h<strong>in</strong>, die sich während der <strong>Elektromigration</strong><br />

gebildet haben. Anhand solcher Aufnahmen wird die Schichtdicke der untersuchten Leiterbahnen<br />

sowohl für die <strong>Gold</strong>leiterbahnen als auch für die e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en <strong>Silber</strong>drähte bestimmt.<br />

von 256 ×256 Bildpunkten. Vor Bestimmung der Schichtdicken anhand der Leiterbahn-<br />

proben wurde die Höhenmessung des Gerätes an e<strong>in</strong>er Kalibrierprobe überprüft. An-<br />

schließend wurde von jedem Aufdampfvorgang an e<strong>in</strong>er Probe exemplarisch die Schicht-<br />

dicke gemessen. Die so bestimmte Schichtdicke wird für die weiteren Berechnungen (z.<br />

B. zur Bestimmung der Stromdichte <strong>in</strong> Verb<strong>in</strong>dung mit den REM-Daten der Leiter-<br />

bahnbreite) verwendet.<br />

2<br />

Abb. 3.6 zeigt e<strong>in</strong>e typische AFM-Aufnahme e<strong>in</strong>er polykristall<strong>in</strong>en <strong>Gold</strong>leiterbahn<br />

nach der <strong>Elektromigration</strong>. Man erkennt das Höhenprofil der Leiterbahn <strong>und</strong> der Span-<br />

nungsabgriffe (zur Kennzeichnung der Stromrichtung im Bild mit U - <strong>und</strong> U + bezeich-<br />

net) sowie das Auftreten von Poren <strong>und</strong> Hügeln an der Oberfläche der Leiterbahn. E<strong>in</strong>e<br />

quantitative Bestimmung, beispielsweise der Porenfläche, ist anhand solcher Aufnahmen<br />

aufgr<strong>und</strong> der Faltung des AFM-Spitzenprofils mit dem Oberflächenprofil der Leiterbahn<br />

nicht möglich. Bestimmt werden kann die Höhe der aufgetretenen Hügel; im Beispiel von<br />

Abb. 3.6 wurde e<strong>in</strong>e Höhe von ca. 30 nm e<strong>in</strong>zelner Hügel (siehe Kreis) über der 40 nm<br />

hohen Leiterbahn gemessen.<br />

EDX<br />

Zur Analyse der chemischen Zusammensetzung <strong>in</strong>nerhalb der Leiterbahnen bzw. der<br />

geschlossenen Schichten wurde auf die energiedispersive Röntgenanalyse zurückgegriffen.<br />

4<br />

U +<br />

6<br />

µm<br />

8<br />

10<br />

12

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