Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen
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32 3. Experimentelles<br />
a<br />
Abb. 3.2: Typisches Layout für die Herstellung polykristall<strong>in</strong>er <strong>Gold</strong>leiterbahnen. Im ersten<br />
EBL-Schritt werden die Leiterbahnen sowie die dazugehörigen Marken belichtet <strong>und</strong> prozessiert<br />
(Teilbild a), blau). Im zweiten EBL-Schritt werden die Kontaktpads (Teilbild b), rot) über die<br />
Markenscanfelder (grün) an die Position der Leiterbahnen angepasst <strong>und</strong> belichtet.<br />
Im Gegensatz zu vielen anderen <strong>Elektromigration</strong>smessungen, bei denen Leiterbah-<br />
nen mit e<strong>in</strong>er Länge von mehreren h<strong>und</strong>ert Mikrometern verwendet werden, haben die <strong>in</strong><br />
dieser Arbeit untersuchten Leiterbahnen e<strong>in</strong>e Länge von 10 µm bei e<strong>in</strong>er Breite zwischen<br />
150 nm <strong>und</strong> e<strong>in</strong>em Mikrometer. Da <strong>in</strong> dieser Arbeit <strong>in</strong>-situ Untersuchungen mit hoher<br />
Auflösung durchgeführt wurden, musste e<strong>in</strong> Kompromiss zwischen Leiterbahnlänge <strong>und</strong><br />
Bildbreite gef<strong>und</strong>en werden. Um die Bildung <strong>und</strong> das Wachstum der Poren verfolgen zu<br />
können, muss mit e<strong>in</strong>er Vergrößerung gearbeitet werden, welche e<strong>in</strong>e Auflösung von ca.<br />
10 nm erlaubt. Die Breite e<strong>in</strong>er REM-Aufnahme beträgt daher bei den typischerweise<br />
verwendeten Vergrößerungen ca. 11.8 µm <strong>und</strong> gestattet so, die Länge der Leiterbahnen<br />
komplett im Gesichtsfeld abzubilden.<br />
3.2 Widerstandsmessungen <strong>und</strong> <strong>in</strong>-situ REM-Untersuchungen<br />
3.2.1 Kontaktierung der Leiterbahnen <strong>und</strong> Bestimmung des Widerstandes<br />
Sowohl die <strong>in</strong>-situ- wie auch die ex-situ-Messungen fanden auf 16-poligen Keramik-<br />
Chipcarriern statt. Hierzu wurden die Siliziumsubstrate zunächst mit e<strong>in</strong>em <strong>Silber</strong>leit-<br />
kleber auf Epoxidbasis auf den Chipcarrier aufgeklebt. In e<strong>in</strong>em Standard-Bondprozess<br />
werden anschließend 30 µm dicke Alum<strong>in</strong>iumbonddrähte mit Hilfe e<strong>in</strong>es Ultraschallim-<br />
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