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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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3.1 Elektronenstrahllithographie 31<br />

a)<br />

d)<br />

Belacken<br />

Entwickeln<br />

b)<br />

e)<br />

Tempern<br />

Bedampfen<br />

c)<br />

f)<br />

Belichten<br />

Lift-Off<br />

Abb. 3.1: Die wesentlichen Prozessschritte bei der Elektronenstrahllithographie.<br />

Vermeidung von Graten an den <strong>Nanostrukturen</strong> ist es weiterh<strong>in</strong> wünschenswert, e<strong>in</strong> so<br />

genanntes unterkehliges Lackprofil zu erhalten. Dies erleichtert im letzten Prozessschritt,<br />

dem Lift-Off (Abb. 3.1 f)), die Ablösung des unbelichteten Lackes mit dem darauf be-<br />

f<strong>in</strong>dlichen Metall. Die Schichtdicke des aufgedampften Metalls wurde mit Hilfe e<strong>in</strong>es<br />

Schw<strong>in</strong>gquarzes während des Aufdampfvorgangs kontrolliert <strong>und</strong> zusätzlich nach dem<br />

Aufdampfen mittels e<strong>in</strong>es Rasterkraftmikroskops (AFM) mit e<strong>in</strong>er Genauigkeit von ca.<br />

5 % nachgemessen.<br />

Die m<strong>in</strong>imale Breite der Leiterbahnen ist über die so genannten Proximityeffek-<br />

te begrenzt [150–152]. Diese bewirken über die Vorwärtsstreuung der Elektronen im<br />

Lack sowie über die Rückstreuung der Elektronen aus dem Substrat (Primär- oder Se-<br />

k<strong>und</strong>ärelektronen) e<strong>in</strong>e Verbreiterung der gewünschten Strukturen. Da <strong>in</strong> dieser Arbeit<br />

mit e<strong>in</strong>er m<strong>in</strong>imalen Strukturgröße von typischerweise 200 nm−1 µm gearbeitet wurde,<br />

stellten die Proximityeffekte ke<strong>in</strong> Problem dar. Ihr E<strong>in</strong>fluss war hauptsächlich bei der<br />

Verwendung von Substraten mit 50 nm Oxidschicht bemerkbar, bei denen es zu e<strong>in</strong>er<br />

Verbreiterung der Leiterbahnen <strong>in</strong> der Nähe der Kontakte gekommen ist.<br />

Um e<strong>in</strong>e höhere Genauigkeit bei der Strukturierung der Leiterbahnen zu erreichen,<br />

wurde mit e<strong>in</strong>er zwei-Schritt-EBL gearbeitet, bei welcher die gewünschten Nanostruk-<br />

turen sowie Positionierungsmarken <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em ersten Schritt mit hoher Vergrößerung <strong>in</strong><br />

e<strong>in</strong>en unempf<strong>in</strong>dlicheren Lack geschrieben <strong>und</strong> prozessiert werden. In e<strong>in</strong>em zweiten<br />

EBL-Schritt werden anschließend die Kontaktstrukturen an die Leiterbahnen angepasst<br />

<strong>und</strong> prozessiert. Das genaue Verfahren ist bereits <strong>in</strong> [150,153] erläutert worden <strong>und</strong> wird<br />

daher hier nicht gesondert behandelt. In Abb. 3.2 ist das typische Layout für die Her-<br />

stellung der <strong>Gold</strong>leiterbahnen zu sehen. Das Layout folgt dabei <strong>in</strong> Gr<strong>und</strong>zügen dem<br />

Layout, welches für den SWEAT-Test vorgesehen ist (siehe [24] Seite 211). Die Leiter-<br />

bahnen sowie die dazugehörigen Marken s<strong>in</strong>d <strong>in</strong> Teilbild a) zu erkennen. In Teilbild b)<br />

s<strong>in</strong>d die Kontaktpads (rot) sowie die Markenscanfelder (grün) dargestellt.

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