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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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2.4 Diffusionspfade <strong>und</strong> Flussdivergenzen 21<br />

Abb. 2.6: Berechnete Stromdichteverteilung bei Richtungswechseln von 90 ◦ (a), 135 ◦ (b) <strong>und</strong><br />

150 ◦ (c). Um die Haltbarkeit der Leiterbahnen zu erhöhen, sollten beim <strong>in</strong>telligenten Design<br />

90 ◦ -Richtungswechsel vermieden werden (entnommen aus [126]).<br />

e<strong>in</strong> <strong>in</strong>telligentes Design gelegt, wodurch der E<strong>in</strong>fluss der <strong>Elektromigration</strong> verr<strong>in</strong>gert<br />

werden soll. Die maximale Stromdichte <strong>in</strong>nerhalb e<strong>in</strong>es Bereichs der Leiterbahn mit<br />

Richtungswechsel wird dadurch verm<strong>in</strong>dert, dass z. B. e<strong>in</strong> 90 ◦ -Richtungswechsel nicht<br />

<strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Schritt erfolgt, sondern <strong>in</strong> zwei Schritten mit e<strong>in</strong>em W<strong>in</strong>kel von je 135 ◦ . Dies<br />

ist <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Arbeit von Lienig gezeigt worden, wo die Stromdichteverteilung für die zuvor<br />

genannten Fälle berechnet wurde (siehe Abb. 2.6).<br />

Für die gezielte Untersuchung dieser Effekte ist es wünschenswert, e<strong>in</strong>e möglichst<br />

ger<strong>in</strong>ge Anzahl von E<strong>in</strong>flussgrößen vorliegen zu haben, wie es <strong>in</strong> e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en Leiter-<br />

bahnen der Fall ist. Diese s<strong>in</strong>d für <strong>in</strong>dustrielle Anwendungen weniger bedeutsam, da<br />

sie (im großtechnischen Maßstab) nur sehr schwer herzustellen s<strong>in</strong>d. E<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e Lei-<br />

terbahnen besitzen aufgr<strong>und</strong> der verm<strong>in</strong>derten Anzahl von Flussdivergenzen sowie der<br />

im Gitter höheren Aktivierungsenergie (gegenüber Oberflächen <strong>und</strong> Korngrenzen) ei-<br />

ne erheblich erhöhte Resistenz gegenüber <strong>Elektromigration</strong>. Erste Experimente an e<strong>in</strong>-<br />

kristall<strong>in</strong>em Z<strong>in</strong>k [59] sowie an Alum<strong>in</strong>ium- <strong>und</strong> Alum<strong>in</strong>ium-Magnesiumleiterbahnen<br />

[127] wurden bereits zu Beg<strong>in</strong>n der siebziger Jahre durchgeführt. Aufgr<strong>und</strong> der höheren<br />

Aktivierungsenergie für die Diffusion im Kristallgitter besitzen nicht nur e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>e<br />

Alum<strong>in</strong>iumleiterbahnen e<strong>in</strong>e wesentlich höhere Lebensdauer gegenüber polykristall<strong>in</strong>en<br />

Leiterbahnen [14]. Von Joo et al. wurden im Jahre 1997 Messungen an e<strong>in</strong>kristall<strong>in</strong>en<br />

Alum<strong>in</strong>iumleiterbahnen <strong>in</strong> Abhängigkeit der Textur durchgeführt [114]. Dabei zeigte<br />

sich, dass (111)-texturierte Leiterbahnen stabiler s<strong>in</strong>d als (133)- <strong>und</strong> (110)-texturierte<br />

Leiterbahnen, wobei für die mittlere Lebensdauer t50(111) ≥ t50(110) gilt. Aufgr<strong>und</strong> der<br />

<strong>in</strong>nerhalb der Leiterbahnen nicht vorhandenen Flussdivergenzen kam es dabei verstärkt<br />

zur Bildung von Poren <strong>in</strong>nerhalb der Kathode.<br />

Für das Auftreten von <strong>Elektromigration</strong>sschädigungen müssen zusammengefasst<br />

mehrere Bed<strong>in</strong>gungen erfüllt se<strong>in</strong>: 1) Es müssen thermisch aktivierte Atome sowie Leer-<br />

stellen vorhanden se<strong>in</strong>. 2) Es ist e<strong>in</strong>e treibende Kraft vorhanden, die für e<strong>in</strong>e Vorzugs-

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