12.12.2012 Aufrufe

Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

122 Literatur<br />

[108] H. Landolt, R. Börnste<strong>in</strong>, Numerical data and functional relationship <strong>in</strong> science<br />

and technology, New Series III, 15, Subvol A, Kap. 1.2.1., Spr<strong>in</strong>ger Verlag Hei-<br />

delberg, 1982.<br />

[109] J. P. Dekker, P. Gumbsch, J. Phys. Condens. Mat. 12, 3281 (2000), A k<strong>in</strong>etic<br />

model for electromigration <strong>in</strong> face-centered cubic alloys.<br />

[110] O. Kraft, Energy Dissipation at surfaces, International Workshop SFB 616, Vor-<br />

trag (2004).<br />

[111] J. Hoekstra, A. P. Sutton, T. N. Todorov, A. P. Horsfield, Phys. Rev. B 62(13),<br />

8568 (2000), Electromigration of vacancies <strong>in</strong> copper.<br />

[112] R. S. Sorbello, C. S. Chu, IBM J. Res. Develop. 32(1), 58 (1988), Residual resistivi-<br />

ty dipoles, electromigration and electronic conduction <strong>in</strong> metallic microstructures.<br />

[113] J. P. Dekker, C. A. Volkert, E. Arzt, P. Gumbsch, Phys. Rev. Lett. 87(3), 035901<br />

(2001), Alloy<strong>in</strong>g effects on electromigration mass transport.<br />

[114] Y.-C. Yoo, C. V. Thompson, J. Appl. Phys. 81(9), 6062 (1997), Electromigration-<br />

<strong>in</strong>duced transgranular failure mechanisms <strong>in</strong> s<strong>in</strong>gle-crystal alum<strong>in</strong>um <strong>in</strong>ter-<br />

connects.<br />

[115] H. P. Longworth, C. V. Thompson, Appl. Phys. Lett. 60(18), 2219, (1992), Expe-<br />

rimental study of electromigration <strong>in</strong> bicrystal alum<strong>in</strong>um.<br />

[116] R. Rosenberg, M. Ohr<strong>in</strong>g, J. Appl. Phys. 42(13), 5671 (1971), Void formation and<br />

growth dur<strong>in</strong>g electromigration <strong>in</strong> th<strong>in</strong> films.<br />

[117] M. A. Korhonen, P. Børgesen, K. N. Tu, Che-Yu Li, J. Appl. Phys. 73(8), 3790<br />

(1993), Stress evolution due to electromigration <strong>in</strong> conf<strong>in</strong>ed metal l<strong>in</strong>es.<br />

[118] Y. J. Park, C. V. Thompson, J. Appl. Phys. 82(9), 4277 (1997), The effects of<br />

stress dependence of atomic diffusivity on stress evolution due to electromigration.<br />

[119] R. Kirchheim, Acta Metall. Mater. 40(2), 309 (1992), Stress and electromigration<br />

<strong>in</strong> Al-l<strong>in</strong>es of <strong>in</strong>tegrated circuits.<br />

[120] T. Marieb, P. Fl<strong>in</strong>n, J. C. Bravman, D. Gardner, M. Madden, J. Appl. Phys.<br />

78(2), 1026 (1995), Observation of electromigration-<strong>in</strong>duced void nucleation and<br />

growth <strong>in</strong> polycrystall<strong>in</strong>e and near-bamboo passivated Al l<strong>in</strong>es.<br />

[121] C. Guedj, J. P. Barnes, A. M. Papon, Appl. Phys. Lett. 89, 203108 (2006), Atomic<br />

scale observation of corner-void<strong>in</strong>g effects <strong>in</strong> advanced <strong>in</strong>terconnects.

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!