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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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112 A Bestimmung der Porenfläche<br />

a<br />

b<br />

c<br />

1 µm<br />

Abb. A1: Exemplarische Darstellung zur Bestimmung der Porenfläche. Teilbild a) zeigt<br />

e<strong>in</strong>e polykristall<strong>in</strong>e <strong>Gold</strong>leiterbahn bevor <strong>Elektromigration</strong>sschädigungen aufgetreten s<strong>in</strong>d. In<br />

Teilbild b) ist e<strong>in</strong> Messrahmen (rot) um die Leiterbahn gelegt, der im Folgenden verwendet<br />

wird. In Teilbild c) s<strong>in</strong>d <strong>Elektromigration</strong>sschädigungen vornehmlich am Rand der Leiterbahn<br />

zu erkennen.<br />

A Bestimmung der Porenfläche<br />

Zur Bestimmung der Porenfläche, die z. B. <strong>in</strong> Kap. 5.1.3 für e<strong>in</strong>e tiefergehende Analyse<br />

der Schädigung e<strong>in</strong>er Leiterbahn verwendet wurde, wird folgendermaßen verfahren: Bei<br />

der Bildung e<strong>in</strong>er Pore <strong>in</strong>nerhalb oder am Rand e<strong>in</strong>er Leiterbahn entsteht im REM e<strong>in</strong><br />

dunklerer Kontrast, der sich deutlich vom hellen Kontrast des Metalls unterscheidet.<br />

Die relative Porenfläche lässt sich über die Anzahl der Pixel 19 mit dunklem Kontrast<br />

zur Gesamtanzahl der Pixel e<strong>in</strong>er Leiterbahn bestimmen. Die Festlegung, ob es sich bei<br />

e<strong>in</strong>em dunklen Kontrast um e<strong>in</strong>e Pore handelt wird dabei ”per Auge” getroffen.<br />

Abb. A1 zeigt exemplarisch die Vorgehensweise zur Bestimmung der Porenfläche.<br />

Teilbild a) zeigt e<strong>in</strong>e polykristall<strong>in</strong>e <strong>Gold</strong>leiterbahn vor e<strong>in</strong>em <strong>Elektromigration</strong>sexperi-<br />

ment. Um die Gesamtanzahl der Pixel, welche die Leiterbahn darstellen, zu bestimmen,<br />

wird zunächst e<strong>in</strong> Messrahmen (siehe Teilbild b), roter Rahmen) um die äußere Umran-<br />

dung der Leiterbahn gelegt. Der Rahmen be<strong>in</strong>haltet hierbei e<strong>in</strong>en Teil (maximal 500 nm)<br />

der Kontakte, da sich auch <strong>in</strong> diesem Bereich Poren bilden können. Diese Vorgehens-<br />

weise gestattet die Bestimmung der Pixelanzahl der Leiterbahn (alle Pixel <strong>in</strong>nerhalb<br />

des Messrahmens). Weiterh<strong>in</strong> können so Poren am Rande der Leiterbahn korrekt erfasst<br />

werden.<br />

Teilbild c) zeigt die Leiterbahn nach der <strong>Elektromigration</strong>sschädigung. Mit Hilfe des<br />

Programms Adobe Photoshop � (Version 7) wird die Pixelanzahl der Poren folgender-<br />

maßen bestimmt: Mit dem so genannten ”Magic Tool” wird <strong>in</strong>nerhalb e<strong>in</strong>er Pore die<br />

19 E<strong>in</strong> Pixel entspricht bei e<strong>in</strong>em Bitmap-Bild e<strong>in</strong>em Bildpunkt. Sämtliche REM-Aufnahmen dieser<br />

Arbeit wurden mit e<strong>in</strong>er Auflösung von 1024 Pixeln horizontal zu 768 Pixeln vertikal aufgenommen.<br />

E<strong>in</strong> Bild besitzt damit e<strong>in</strong>e Gesamtzahl von 786432 Pixeln.

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