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Elektromigration in Gold und Silber Nanostrukturen

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2 1. E<strong>in</strong>leitung<br />

1 µm<br />

Hügel<br />

Poren<br />

+ -<br />

Elektronen<br />

Abb. 1.1: Beispiel für <strong>Elektromigration</strong>seffekte <strong>in</strong>nerhalb e<strong>in</strong>er <strong>Gold</strong>leiterbahn. Man erkennt<br />

Poren (dunkler Kontrast) <strong>und</strong> Hügel (heller Kontrast). Die Bildung der Poren erfolgt dabei<br />

bevorzugt an der Kathodenseite der Leiterbahn.<br />

<strong>in</strong>nerhalb der Prozessierung <strong>und</strong> der verwendeten Materialien, weiterh<strong>in</strong> den Haupt-<br />

gr<strong>und</strong> für das Versagen von <strong>in</strong>tegrierten Schaltkreisen dar.<br />

Neben diesem technologischen Interesse s<strong>in</strong>d weiterh<strong>in</strong> viele physikalische Fragestel-<br />

lungen h<strong>in</strong>sichtlich des strom<strong>in</strong>duzierten Massetransports nur unbefriedigend beantwor-<br />

tet. Der Gr<strong>und</strong> hierfür liegt <strong>in</strong> der Komplexität der verwendeten Materialsysteme <strong>und</strong><br />

den zahlreichen Parametern, welche E<strong>in</strong>fluss auf die Migration der Atomrümpfe nehmen.<br />

Im Folgenden wird zunächst e<strong>in</strong> Überblick über die <strong>in</strong>dustrielle Bedeutung sowie e<strong>in</strong>e<br />

Literaturübersicht gegeben, bevor die Ziele der vorliegenden Arbeit erläutert werden.<br />

1.1 Industrielle Bedeutung <strong>und</strong> Literaturübersicht<br />

Die fortschreitende Verkle<strong>in</strong>erung der mikroelektronischen Komponenten führt zu immer<br />

höheren Anforderungen an die strukturellen <strong>und</strong> elektrischen Eigenschaften der verwen-<br />

deten Bauteile. Dies wird vor allem bei den <strong>in</strong>tegrierten Schaltungen deutlich, wo es<br />

entsprechend dem Moore’schen Gesetz 2 e<strong>in</strong>e Verdoppelung der Leistungsfähigkeit alle<br />

zwei bis drei Jahre gab <strong>und</strong> <strong>in</strong> naher Zukunft weiterh<strong>in</strong> geben soll [3].<br />

Die entscheidende Rolle für die Funktion der logischen Komponenten e<strong>in</strong>es IC’s spie-<br />

len die elektrischen Zuleitungen, auch Metallisierungen genannt. Momentan bef<strong>in</strong>den<br />

sich pro Quadratzentimeter e<strong>in</strong>er MPU (Ma<strong>in</strong> Processor Unit) elektrische Verb<strong>in</strong>dun-<br />

gen von ca. e<strong>in</strong>em Kilometer Länge (siehe [3], Kapitel Interconnect, Seite 13) auf den<br />

untersten fünf Metallisierungsebenen. Die m<strong>in</strong>imale Strukturgröße dieser Metallisierun-<br />

gen (im englischen als ”half pitch” bezeichnet) beträgt momentan 90 nm <strong>und</strong> soll im<br />

2 Benannt nach Gordon Moore, Intel, der den empirischen Zusammenhang <strong>in</strong> der Steigerung der<br />

Leistungsfähigkeit erkannte. Das Moore’sche Gesetz gilt dabei ebenso für andere Größen wie Prozessorgeschw<strong>in</strong>digkeit<br />

oder Festplattenkapazität.

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