Pyroelektrische Infrarotsensoren - DIAS Infrared GmbH

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Pyroelektrische Infrarotsensoren 1. Prinzipieller Aufbau und Funktionsweise Bild 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines pyroelektrischen Infrarotsensors. Wesentliche Bestandteile sind das empfindliche Element und der Vorverstärker, dessen wesentliche Elemente im Sensor integriert sind. Das empfindliche Element besteht aus einem dünnen, mit Elektroden versehenen pyroelektrischen Chip. Zur Verbesserung der Absorptionseigenschaften kann eine zusätzliche Schwarzschicht vorhanden sein. Frontelektrode A S Rückelektrode Φ S(t) d p © DIAS Infrared GmbH, 2006 pyroelektrische Schicht Vorverstärker Bild 1: Prinzipieller Aufbau eines pyroelektrischen Infrarotsensors empfindliches Element u´ S(t) u´ R (t) Trifft der Strahlungsfluss ΦS(t) auf die empfindliche Fläche AS, wird er vom empfindlichen Element mit dem Absorptionsgrad α absorbiert. Dadurch entsteht im Pyroelektrikum eine Temperaturänderung ∆T(t), die zu einer Ladungsänderung ∆Q(t) auf den Elektroden führt. Diese Ladungsänderung wird mit Hilfe des Vorverstärkers in die Signalspannung uS´(t) umgewandelt. Neben der Signalspannung ist am Ausgang des Vorverstärkers auch eine Rauschspannung uR´(t) vorhanden. Diese Rauschspannung hat ihre Ursache in den Rauschquellen sowohl des empfindlichen Elements als auch des Vorverstärkers. Sie bewirkt, dass kein beliebig geringer Strahlungsfluss vom Sensor nachgewiesen werden kann. 2. Sensorkenngrößen Die wichtigsten Sensorkenngrößen sind die Empfindlichkeit SV, die rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP und die spezifische Detektivität D*. Sie sind für sinusförmige Vorgänge im eingeschwungenen Zustand definiert und im allgemeinen von der Modulationsfrequenz f, der Wellenlänge λ und der Sensortemperatur T abhängig.

<strong>Pyroelektrische</strong> <strong>Infrarotsensoren</strong><br />

1. Prinzipieller Aufbau und Funktionsweise<br />

Bild 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines pyroelektrischen Infrarotsensors. Wesentliche<br />

Bestandteile sind das empfindliche Element und der Vorverstärker, dessen wesentliche<br />

Elemente im Sensor integriert sind. Das empfindliche Element besteht aus einem dünnen, mit<br />

Elektroden versehenen pyroelektrischen Chip. Zur Verbesserung der<br />

Absorptionseigenschaften kann eine zusätzliche Schwarzschicht vorhanden sein.<br />

Frontelektrode<br />

A<br />

S<br />

Rückelektrode<br />

Φ S(t)<br />

d p<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

pyroelektrische Schicht<br />

Vorverstärker<br />

Bild 1: Prinzipieller Aufbau eines pyroelektrischen Infrarotsensors<br />

empfindliches Element<br />

u´ S(t)<br />

u´ R (t)<br />

Trifft der Strahlungsfluss ΦS(t) auf die empfindliche Fläche AS, wird er vom empfindlichen<br />

Element mit dem Absorptionsgrad α absorbiert. Dadurch entsteht im Pyroelektrikum eine<br />

Temperaturänderung ∆T(t), die zu einer Ladungsänderung ∆Q(t) auf den Elektroden führt.<br />

Diese Ladungsänderung wird mit Hilfe des Vorverstärkers in die Signalspannung uS´(t)<br />

umgewandelt.<br />

Neben der Signalspannung ist am Ausgang des Vorverstärkers auch eine Rauschspannung<br />

uR´(t) vorhanden. Diese Rauschspannung hat ihre Ursache in den Rauschquellen sowohl des<br />

empfindlichen Elements als auch des Vorverstärkers. Sie bewirkt, dass kein beliebig geringer<br />

Strahlungsfluss vom Sensor nachgewiesen werden kann.<br />

2. Sensorkenngrößen<br />

Die wichtigsten Sensorkenngrößen sind die Empfindlichkeit SV, die rauschäquivalente<br />

Strahlungsleistung NEP und die spezifische Detektivität D*. Sie sind für sinusförmige<br />

Vorgänge im eingeschwungenen Zustand definiert und im allgemeinen von der<br />

Modulationsfrequenz f, der Wellenlänge λ und der Sensortemperatur T abhängig.


a) Empfindlichkeit<br />

Die Empfindlichkeit SV ist der Quotient der Effektivwerte der sinusförmigen Signalspannung<br />

u ′ S<br />

~ am Vorverstärkerausgang und des sinusförmig modulierten Strahlungsflusses S Φ~ , der auf<br />

die empfindliche Fläche AS trifft:<br />

S<br />

V<br />

u~<br />

′ S<br />

= ~<br />

Φ<br />

b) Rauschäquivalente Strahlungsleistung<br />

S<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

[V/W] (1)<br />

Die rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP ist eine das Signal/Rausch-Verhältnis<br />

charakterisierende Größe:<br />

u~<br />

′ R<br />

NEP =<br />

S<br />

V<br />

[W] (2)<br />

mit u ′ R<br />

~ Effektivwert der Rauschspannung am Ausgang des Vorverstärkers<br />

Durch Kombination der Gleichungen (1) und (2) ist ersichtlich, dass die rauschäquivalente<br />

Strahlungsleistung dem Effektivwert des auftreffenenden Strahlungsflusses bei einem<br />

Signal/Rausch-Verhältnis ~ ′ / ~ ′ S R = 1 u u entspricht.<br />

c) Spezifische Detektivität:<br />

Die spezifische Detektivität D* ist eine weitere, das Signal/Rausch-Verhältnis<br />

kennzeichnende Größe:<br />

D<br />

∗<br />

AS<br />

B<br />

= =<br />

NEP<br />

A<br />

S<br />

S V<br />

u~<br />

[cmHz<br />

′ Rn<br />

1/2 /W] (3)<br />

mit ~ ′ = u~<br />

′ / B<br />

[V/Hz 1/2 ] (4)<br />

u Rn R<br />

u ′ Rn<br />

~ Effektivwert der auf eine Rauschbandbreite B = 1 Hz normierten<br />

Rauschspannung am Ausgang des Vorverstärkers<br />

Die Definition der spezifischen Detektivität ermöglicht den einfachen Vergleich zwischen<br />

dem D*-Wert des realen Sensors und dem theoretischen D*-Limit. Dieses Limit ist nur von<br />

Naturkonstanten (Boltzmann-Konstante k, Stefan-Boltzmann-Konstante σ) und der<br />

Temperatur T abhängig:<br />

D = 1/ 16kσT<br />

∗<br />

max<br />

Für eine Temperatur von 300 K beträgt dieser Wert<br />

∗<br />

D max = 1,8 . 10 10 cmHz 1/2 /W .<br />

5<br />

(5)


3. <strong>Pyroelektrische</strong>s Material<br />

Das Pyroelektrikum nimmt als eigentliches Wandlerelement im pyroelektrischen<br />

Strahlungssensor eine zentrale Stellung ein. Von den 32 existierenden Kristallklassen besitzen<br />

Kristalle mit der Punktgruppensymmetrie 1, m, 2, mm2, 3, 3m, 4, 4mm, 6 und 6mm eine<br />

sogenannte spontane Polarisation, die das Auftreten des pyroelektrischen Effekts ermöglicht.<br />

Kristalle dieser Kristallklassen werden Pyroelektrika genannt. Technisch bedeutsam sind<br />

Pyroelektrika, bei denen die spontane Polarisation nur in einer einzigen Richtung im Kristall<br />

auftreten kann (einachsige Pyroelektrika). Dazu gehören die Kristallklassen 2, mm2, 3, 3m, 4,<br />

4mm, 6 und 6mm. Die Richtung der spontanen Polarisation fällt mit der polaren Achse des<br />

Kristalls zusammen.<br />

Für den Einsatz in pyroelektrischen Strahlungssensoren sind folgende Materialkenngrößen<br />

des Pyroelektrikums von Bedeutung:<br />

p pyroelektrischer Koeffizient<br />

εr Dielektrizitätszahl<br />

tanδ dielektrischer Verlust<br />

cP´ volumenspezifische Wärmekapazität<br />

Für hohe Werte von Empfindlichkeit SV und spezifischer Detektivität D* sind ein großer<br />

pyroelektrischer Koeffizient p und geringe Werte für die Dielektrizitätszahl εr, den<br />

dielektrischen Verlust tanδ und die volumenspezifische Wärmekapazität cP´ erforderlich.<br />

Seit vielen Jahren hat sich das Pyroelektrikum Lithiumtantalat (LiTaO3) beim Einsatz in<br />

pyroelektrischen Sensoren bewährt. Es erfüllt nicht nur die eben genannten Forderungen an<br />

die Materialkenngrößen, sondern zeichnet sich auch durch eine ausgezeichnete<br />

Temperaturstabilität und sehr gute Reproduzierbarkeit der Sensoreigenschaften aus.<br />

Typische Materialkenngrößen von LiTaO3 bei Raumtemperatur sind:<br />

p = 1,8 . 10 -8 Ccm -2 K -1<br />

εr = 43<br />

tanδ = 0,001<br />

cP´ = 3,2 Jcm -3 K -1<br />

4. Ersatzschaltbilder des empfindliches Elements und des Vorverstärkers<br />

Die Absorption des Strahlungsflusses ΦS ruft im Pyroelektrikum eine Temperaturänderung<br />

∆T hervor, die im allgemeinen vom Ort im Pyroelektrikum abhängt. Diese Ortsabhängigkeit<br />

kann oft in guter Näherung vernachlässigt werden, so dass das thermische Verhalten des<br />

empfindlichen Elements in diesen Fällen durch ein einfaches analoges elektrisches<br />

Ersatzschaltbild (Bild 2) mit der Wärmekapazität<br />

H = c′<br />

d A<br />

(6)<br />

P<br />

P<br />

P<br />

S<br />

mit dP Dicke des empfindlichen Elements<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006


und dem thermischen Leitwert G zwischen empfindlichen Element und seiner Umgebung<br />

dargestellt werden kann. Auf Grund des statistischen Charakters des Wärmeaustausches<br />

zwischen empfindlichem Element und Umgebung entsteht ein sogenanntes<br />

Temperaturrauschen. Deshalb ist im Bild 2 zusätzlich eine entsprechende Rauschquelle mit<br />

enthalten.<br />

α Φ<br />

~ 2<br />

= 4kT<br />

G<br />

(7)<br />

p RnT<br />

1<br />

j ω HP p S RT . .<br />

Bild 2: Analoges elektrisches Ersatzschalbild des empfindliches Elements bei vereinfachten<br />

thermischen Verhältnissen<br />

Die Temperaturänderung ∆T führt zu einem pyroelektrischen Strom, der bei Kurzschluss der<br />

Elektroden des empfindlichen Elementes fließt. Unter Berücksichtigung der Definition des<br />

pyroelektrischen Koeffizienten und der thermischen Verhältnisse nach Bild 2 ergibt sich<br />

dieser pyroelektrische Strom zu<br />

mit<br />

iˆ<br />

∠<br />

P<br />

T<br />

R<br />

αpΦˆ<br />

=<br />

c′<br />

d<br />

P<br />

P<br />

S<br />

T<br />

jωτ<br />

T<br />

=<br />

1+<br />

jωτ<br />

T<br />

R<br />

τ = H / G<br />

(10)<br />

T<br />

ω = 2πf<br />

(11)<br />

Die dimensionslose Funktion TR wird komplexe normierte Stromempfindlichkeit genannt. Für<br />

ein ideal thermisch isoliertes empfindliches Element (G = 0) erreicht die komplexe normierte<br />

Stromempfindlichkeit den Wert 1. Für praktisch interessante Modulationsfrequenzen f =<br />

1...1000 Hz kann bei den meisten Sensorkonstruktionen näherungsweise auch mit diesem<br />

Wert 1 gearbeitet werden, weil die thermische Zeitkonstante τT entsprechende Werte erreicht.<br />

Wird die einfallende Strahlung nicht moduliert (f = 0), wird kein pyroelektrischer Strom<br />

erzeugt. Der pyroelektrische Sensor ist also nicht gleichlichtempfindlich. Er benötigt immer<br />

eine zeitliche Modulation des einfallenden Strahlungsflusses, z.B. durch Chopperung.<br />

Bild 3 zeigt das elektrische Ersatzschalbild des empfindlichen Elements. Eingangsgröße ist<br />

der pyroelektrische Strom nach Gleichung (8). Ersatzelemente sind die elektrische Kapazität<br />

1<br />

G<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

(8)<br />

(9)


C<br />

ε ε A<br />

o r S<br />

P = , (12)<br />

d P<br />

der frequenzabhängige Widerstand<br />

( ωC tanδ<br />

)<br />

r P = 1/ P<br />

(13)<br />

und die sogenannte tanδ-Rauschquelle<br />

~<br />

i = 4kTωC<br />

tanδ<br />

, (14)<br />

RnD<br />

P<br />

die das thermische Rauschen des Elementwiderstandes rP beschreibt.<br />

α . p . Φ<br />

iP =<br />

c' .<br />

P dP S<br />

T<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

1<br />

j ω CP R iRD . .<br />

Bild 3: Elektrisches Ersatzschaltbild des empfindlichen Elements<br />

In den Bildern 4 und 5 sind die elektrischen Ersatzschaltbilder der zwei grundsätzlichen<br />

Vorverstärkerausführungen (Vorverstärker im Spannungs- oder Strombetrieb) dargestellt.<br />

Ersatzelemente sind in beiden Fällen Eingangswiderstand reV und Eingangskapazität CeV<br />

~<br />

sowie Strom- und Spannungsrauschen iRnV<br />

bzw. u RnV<br />

~ des Vorverstärkers. Das thermische<br />

Rausches des Eingangswiderstandes beschreibt die Rauschquelle<br />

~<br />

i<br />

RnR<br />

4kT<br />

= . (15)<br />

r<br />

eV<br />

Beim Vorverstärker im Spannungsbetrieb wird zusätzlich die Verstärkung vV berücksichtigt.<br />

Der Vorverstärker im Strombetrieb enthält einen gegengekoppelten Operationsverstärker<br />

(Verstärkung → ∞) mit dem Gegenkopplungswiederstand RGK, dessen Kapazität CGK und<br />

dessen thermischem Rauschen<br />

~<br />

i<br />

RnGK<br />

4kT<br />

= . (16)<br />

R<br />

GK<br />

r P


1<br />

Eingang r . .<br />

eV iRR iRV u v Ausgang<br />

j ω C V u<br />

eV<br />

.<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

u RV<br />

Bild 4: Elektrisches Ersatzschaltbild eines Vorverstärkers im Spannungsbetrieb<br />

1<br />

Eingang r . .<br />

eV i iRV j ω RR<br />

Ausgang<br />

CeV u RV<br />

i RGK<br />

R GK<br />

1<br />

j . ω . CGK Bild 5: Elektrisches Ersatzschaltbild eines Vorverstärkers im Strombetrieb<br />

5. Empfindlichkeit<br />

Aus der Definitionsgleichung (1) der Empfindlichkeit und den im vorhergehenden Abschnitt<br />

erläuterten Zusammenhängen folgt unmittelbar die für den Spannungsbetrieb des<br />

Vorverstärkers gültige Gleichung der Empfindlichkeit:<br />

S<br />

p<br />

T<br />

R<br />

R<br />

V = α<br />

vV<br />

(17)<br />

c′<br />

P d<br />

2<br />

P<br />

1+ ω<br />

( CR)<br />

mit R = rP // reV (18)<br />

C = CP + CeV<br />

(19)<br />

Die elektrische Zeitkonstante ergibt sich zu<br />

Oft gelten neben<br />

(17) erheblich:<br />

R ≈ 1<br />

E CR = τ . (20)<br />

T auch (ωCR) 2 >> 1 und CP >> CeV. Dann vereinfacht sich Gleichung


S<br />

p<br />

v<br />

V<br />

V = α (21)<br />

c′<br />

Pε<br />

r ε oωAS<br />

In diesem Fall ist die Empfindlichkeit indirekt proportional zur Modulationsfrequenz.<br />

Für die Empfindlichkeit im Strombetrieb ergibt sich die Gleichung<br />

S<br />

V<br />

( ) 2<br />

p TR<br />

RGK<br />

= α<br />

(22)<br />

c′<br />

P d P 1+ ωCGK<br />

RGK<br />

Wenn hier ebenfalls R ≈ 1<br />

Modulationsfrequenz unabhängige Empfindlichkeit:<br />

Für (ωCGKRGK) 2 >> 1 gilt<br />

S<br />

S<br />

T und zusätzlich (ωCGKRGK) 2


hervor. Die normierte Rauschspannung am Vorverstärkerausgang ergibt sich aus der<br />

quadratischen Addition der einzelnen Rauschspannungsanteile:<br />

Vorverstärker im Spannungsbetrieb:<br />

u ~ ′ ′<br />

(25)<br />

2 ~ 2 ~ 2 ~ 2 ~ 2 ~ 2<br />

Rn = u ′ RnT + u ′ RnD + u ′ RnR + u ′ RnI + u RnU<br />

Vorverstärker im Strombetrieb:<br />

u ~ ′ ′<br />

(26)<br />

2 ~ 2 ~ 2 ~ 2 ~ 2 ~ 2 ~ 2<br />

Rn = u ′ RnT + u ′ RnD + u ′ RnR + u ′ RnI + u ′ RnU + u RnGK<br />

Die Gleichungen für die einzelnen Rauschspannungsanteile sind in Tabelle 1<br />

zusammengestellt.<br />

Tabelle 1: Effektivwerte der Anteile der am Vorverstärkerausgang auftretenden normierten<br />

Rauschspannung<br />

X<br />

T<br />

D<br />

R<br />

I<br />

Spannungsbetrieb:<br />

R = rP // reV, C = CP + CeV<br />

~<br />

i<br />

4kTωC<br />

4kT<br />

r<br />

RnV<br />

eV<br />

1+<br />

P<br />

1+<br />

tanδ<br />

R<br />

R<br />

( ωCR)<br />

( ωCR)<br />

2<br />

1+<br />

v<br />

2<br />

V<br />

v<br />

R<br />

( ωCR)<br />

V<br />

2<br />

v<br />

V<br />

u ′ RnX<br />

~<br />

S V 2<br />

α<br />

(28)<br />

(30)<br />

(32)<br />

U u RnV vV<br />

~ (34)<br />

GK -<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

Strombetrieb:<br />

R`= rP // reV // RGK, C´= CP + CeV + CGK<br />

4kT<br />

~<br />

i<br />

u~<br />

G<br />

4kTωC<br />

P<br />

tanδ<br />

1+<br />

4kT<br />

RGK<br />

reV<br />

1+<br />

R<br />

RnV<br />

RnV<br />

1+<br />

RGK<br />

R′<br />

R<br />

( ) 2<br />

ωC<br />

R<br />

GK<br />

GK<br />

GK<br />

( ) 2<br />

ωC<br />

R<br />

GK<br />

( ) 2<br />

ωC<br />

R<br />

GK<br />

1<br />

1+<br />

GK<br />

GK<br />

( )<br />

( ) 2<br />

2<br />

+ ωC′<br />

R′<br />

ωC<br />

R<br />

GK<br />

4kT<br />

RGK<br />

RGK<br />

1+<br />

R<br />

GK<br />

( ) 2<br />

ωC<br />

GK<br />

GK<br />

GK<br />

(27)<br />

(29)<br />

(31)<br />

(33)<br />

(35)<br />

(36)


7. Spezifische Detektivität<br />

Aus der Definitionsgleichung (3) der spezifischen Detektivität sowie den Grundgleichungen<br />

der Empfindlichkeit (Abschnitt 5.) und normierten Rauschspannung (Abschnitt 6.) folgen die<br />

von den einzelnen Rauschspannungsanteilen hervorgerufenen Anteile der spezifischen<br />

Detektivität<br />

∗<br />

DT Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch die<br />

Temperaturrauschquelle p~<br />

RnT des empfindlichen Elements<br />

∗<br />

DD Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch die<br />

~<br />

tanδ-Rauschquelle iRnD<br />

des empfindlichen Elements<br />

∗<br />

DR Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch das<br />

~<br />

thermische Rauschen iRnR<br />

des Vorverstärkereingangs-<br />

widerstandes reV<br />

∗<br />

DI Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch das<br />

~<br />

Stromrauschen iRnV<br />

des Vorverstärkers<br />

∗<br />

DU Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch das<br />

Spannungsrauschen u RnV<br />

~ des Vorverstärkers<br />

∗<br />

DGK Anteil der spezifischen Detektivität, hervorgerufen durch das<br />

~<br />

thermische Rauschen iRnGK<br />

des Vorverstärkergegenkopplungswiderstandes<br />

RGK (nur im Strombetrieb des Vorverstärkers)<br />

Für die gesamte spezifische Detektivität gilt dann:<br />

Vorverstärker im Spannungsbetrieb:<br />

2<br />

⎛ 1 ⎞<br />

⎜ ∗ ⎟<br />

⎝ D ⎠<br />

⎛ 1<br />

=<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

T<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

⎛ 1<br />

+<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

D<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

⎛ 1<br />

+<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

Vorverstärker im Strombetrieb:<br />

2<br />

⎛ 1 ⎞<br />

⎜ ∗ ⎟<br />

⎝ D ⎠<br />

⎛ 1<br />

=<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

T<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

⎛ 1<br />

+<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

D<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

∗<br />

R<br />

⎛ 1<br />

+<br />

⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

R<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

2<br />

2<br />

⎛ 1 ⎞<br />

+<br />

⎜<br />

⎟<br />

∗<br />

⎝ DI<br />

⎠<br />

⎛ 1 ⎞<br />

+<br />

⎜<br />

⎟<br />

∗<br />

⎝ DI<br />

⎠<br />

2<br />

2<br />

⎛ 1<br />

+ ⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

U<br />

⎛ 1<br />

+ ⎜<br />

⎝ D<br />

∗<br />

U<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

2<br />

⎛ 1<br />

+ ⎜<br />

∗<br />

⎝ D<br />

Die Gleichungen für die einzelnen Anteile der spezifischen Detektivität enthält Tabelle 2.<br />

GK<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

2<br />

(37)<br />

(38)


Tabelle 2: Anteile der spezifischen Detektivität<br />

X DX* Bemerkungen<br />

T<br />

D<br />

A S<br />

α (39)<br />

2<br />

4kT<br />

G<br />

α<br />

c′<br />

P<br />

p<br />

ε tanδ<br />

r<br />

1<br />

4kTε<br />

ωd<br />

o<br />

P<br />

T<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

R<br />

(40)<br />

p r A eV S<br />

R α TR<br />

(41)<br />

c′<br />

4kT<br />

d<br />

P<br />

P<br />

p AS<br />

I α ~ TR<br />

(42)<br />

c′<br />

i d<br />

U<br />

P<br />

p<br />

α<br />

c′<br />

P<br />

RnV<br />

1+<br />

P<br />

R<br />

( ωCR)<br />

p R′<br />

′ 1+<br />

ω<br />

2<br />

( C′<br />

R′<br />

)<br />

u~<br />

A<br />

RnV<br />

S<br />

d<br />

P<br />

T<br />

R<br />

(43)<br />

S<br />

α TR<br />

cP<br />

u~<br />

(44)<br />

2<br />

RnV d P<br />

p<br />

α<br />

c′<br />

ε<br />

P<br />

r<br />

ε u~<br />

o<br />

RnV<br />

1<br />

ω<br />

A<br />

S<br />

T<br />

A<br />

R<br />

(45)<br />

Spannungsbetrieb:<br />

R = rP // reV<br />

C = CP + CeV<br />

Strombetrieb:<br />

R`= rP // reV // RGK<br />

C´= CP + CeV + CGK<br />

Spannungsbetrieb:<br />

(ωCR) 2 >> 1, CP >> CeV<br />

Strombetrieb:<br />

(ωC´R´) 2 >> 1, CP >> CeV + CGK<br />

p R A GK S<br />

GK α TR<br />

(46) nur bei Strombetrieb<br />

c′<br />

4kT<br />

d<br />

8. Beispiele<br />

P<br />

P<br />

Für folgende Beispielsensoren werden in den Bildern 6 bis 11 die Frequenzgänge der<br />

Empfindlichkeit, der normierten Rauschspannung und der spezifischen Detektivität am<br />

Ausgang des Vorverstärkers dargestellt.<br />

Beispielsensor im Spannungsbetrieb im Strombetrieb<br />

Empfindliches Element:<br />

Pyroelektrikum<br />

Empfindliche Fläche AS<br />

LiTaO3<br />

2 x 2 mm<br />

LiTaO3<br />

2<br />

2 x 2 mm 2<br />

Dicke dP 5 µm 5 µm


Absorptionsgrad α 1 1<br />

Normierte Stromempfindlichkeit TR Vorverstärker:<br />

1<br />

Eingangswiderstand reV 10 11 Ω 10 11 Ω<br />

Eingangskapazität CeV 2 pF 2 pF<br />

Verstärkung vV 1 -<br />

Gegenkopplungswiderstand RGK - 10 10 Ω<br />

Gegenkopplungskapazität CGK<br />

~<br />

Stromrauschen iRnV<br />

(10 Hz)<br />

-<br />

. -16 1/2<br />

5 10 A/Hz<br />

0,2 pF<br />

5 . 10 -16 A/Hz 1/2<br />

6 nV/Hz 1/2<br />

Spannungsrauschen u RnV<br />

~ (1 kHz) 6 nV/Hz 1/2<br />

S V in V/W<br />

1E+4<br />

1E+3<br />

1E+2<br />

1E+1<br />

1E+0 1 10 100 1000<br />

f in Hz<br />

S V in V/W<br />

1E+6<br />

1E+5<br />

1E+4<br />

1E+3<br />

© <strong>DIAS</strong> <strong>Infrared</strong> <strong>GmbH</strong>, 2006<br />

1E+2 1 10 100 1000<br />

Bild 6: Frequenzgang der Empfindlichkeit Bild 7: Frequenzgang der Empfindlichkeit<br />

im Spannungsbetrieb im Strombetrieb<br />

uRn in nV/Hz1/2 ' ~<br />

1E+3<br />

1E+2<br />

1E+1<br />

u~ '<br />

RnR<br />

~ u' Rn<br />

u~ '<br />

RnI<br />

1E+0 1 10 100 1000<br />

f in Hz<br />

~ u' RnD<br />

~ u' RnU<br />

1E+5<br />

1E+4<br />

1E+3<br />

f in Hz<br />

1E+2 1 10 100 1000<br />

Bild 8: Frequenzgang der normierten Bild 9: Frequenzgang der normierten<br />

Rauschspannung im Spannungsbetrieb Rauschspannung im Strombetrieb<br />

D* in cm . Hz 1/2 /W<br />

1E+11<br />

1E+10<br />

1E+9<br />

1E+8<br />

D* R<br />

D* I<br />

D*<br />

1E+7 1 10 100 1000<br />

f in Hz<br />

D* D<br />

D* U<br />

uRn in nV/Hz1/2 ' ~<br />

D* in cm . Hz 1/2 /W<br />

1E+11<br />

1E+10<br />

1E+9<br />

1E+8<br />

u~ '<br />

RnGK<br />

~ u' RnR<br />

f in Hz<br />

~ u' Rn<br />

~ u' RnU<br />

u~ '<br />

RnI<br />

~ u' RnD<br />

1E+7 1 10 100 1000<br />

Bild 10: Frequenzgang der spezifischen Bild 11: Frequenzgang der spezifischen<br />

Detektivität im Spannungsbetrieb Detektivität im Strombetrieb<br />

D* I<br />

D*<br />

f in Hz<br />

D* R<br />

D* GK<br />

D* D<br />

D* U

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