Herstellungs-Technologie

In naher Zukunft: Strained Silicon Die Mobilität von Elektronen und Löchern erhöht sich, wenn das Kristallgitter gestreckt wird Dies wird erreicht, indem man das Si epitaktisch auf ein etwas größeres Gitter (aus einem Silizium-Germanium-Gemisch) aufwachsen läßtBilder: IBM Intel benutzt diese Technik in seiner 90nm Technologie. PMOS (strained mit SiGe) wird 25% schneller, NMOS (strained mit Nitride) wird 10% schneller.Die Prozesskosten erhöhen sich nur um 2%.Digitale Schaltungstechnik 2006 - TechnologieP. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 87