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Damascene - Prozeß Das Ätzen der Metalllagen ist schwierig, insbesondere für Kupfer (copper) 'Damascene' ist eine Methode, die für kleine Prozesse wichtig wird:- Gräben im Dielektrikum mit Metall füllen- Dielektrikum + überschüssiges Metall abschleifen (CMP)1. Lage mit Durchkontaktierungen(durch vorangegangenen Damascene-Schritt)2. Dielektrikum aufbringen, strukturieren3. Metall aufdampfen4. Entfernen mit CMPDigitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 84
Dual-Damascene Vereint die zwei Damascene-Schritte auf vorheriger Folie (einer für Vias, einer für Leiterbahnen)1. Dielektrikum 1CMP (Dicke = Via Dicke)Nitride AbscheidungMaske ViasNitride ätzen2. Dielektrikum 2, CMPMaske Vias + Leiterbahnen. Alignierung kritisch!3. Ätzen der Dielektrika(Nitride-Maske wirkt als Ätz-Stopp)4. Abscheidung TrennmetallAbscheidung Leitungsmetall5. CMPDigitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 85
Seite 1 und 2:
Technologie - Vom Silizium zum Chip
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Herstellung reinen Siliziums- Siliz
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Kristallwachstum - Float Zone (FZ)
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Fräsen und Sägen Die Ingots werde
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Schleifen, Ätzen und Polieren Wafe
Seite 11 und 12: Wafergrößen Waferdurchmesser werd
Seite 13 und 14: Elementare TechnologieschritteDigit
Seite 15 und 16: Polykristalines Silizium (kurz: 'Po
Seite 17 und 18: Thermische Oxidation Quartz-'Schiff
Seite 19 und 20: Lithographie: Prinzip Wichtiger Sch
Seite 21 und 22: Lithographie: Belichter / StepperSp
Seite 23 und 24: Lithographie: Grenzen Auflösung wi
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Seite 29 und 30: Diffusion Direktes Einbringen von F
Seite 31 und 32: SOI Waferproduktion durch 'Layer Tr
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Seite 35 und 36: Abfolge der Prozeßschritte für CM
Seite 37 und 38: SiO 2 und Si 3 N 4 -Schichten + Pho
Seite 39 und 40: n-Wanne: Ätzen der Implantationsma
Seite 41 und 42: fertige n-WanneDigitale Schaltungst
Seite 43 und 44: Strukturierung der Maske für das F
Seite 45 und 46: Poly-Silizium + PhotolackDigitale S
Seite 47 und 48: Poly-Silizium: ÄtzenDigitale Schal
Seite 49 und 50: p + -Implantation: Implantation / D
Seite 51 und 52: n + -Implantation: Implantation/Dif
Seite 53 und 54: Strukturierung KontaktePhotolackIso
Seite 55 und 56: Aluminium: Abscheidung (vereinfacht
Seite 57 und 58: Aluminium: ÄtzenDigitale Schaltung
Seite 59 und 60: Externe Applets zur Abfolge der Pro
Seite 61: Isolation der Transistoren Das LOCO
Seite 65 und 66: In naher Zukunft: Strained Silicon
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