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Kristallwachstum – Czochralski (CZ) Si wird in Quarztiegel bei 1140 0 C geschmolzen Start mit kleinem 'seed' (Samen) – Kristall. Kristallorientierung wird durch Ausrichtung des Seeds festgelegt. Kristallstab wird langsam unter Drehen herausgezogen. Neuer Kristall wächst an der Unterseite hinzu. Die Schmelze kann p- (Bor) oder n- dotiert (Phosphor) werdenSeedEinkristallQuartzwandWasserkühlungHitzeschildCarbon-HeizungGraphit TrägerHalterungElektrodenhttp://www.processpecialties.com/siliconp.htmDigitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 6
Kristallwachstum – Float Zone (FZ) Fertiger Si-Stab wird mit Ringheizer lokal geschmolzen (Induktionsofen) Der Kristall wird langsam nach unten gezogen und rekristallisiert hinter der Heizzone. Verunreinigungen verbleiben zum Großteil in der Schmelze und werden so 'ausgespült'.+ Bessere Reinheit, weniger Mikro-Defekte.– Teurer, da Primärer 'Rod' benötigt wirdDigitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 7
Seite 1 und 2: Technologie - Vom Silizium zum Chip
Seite 3: Herstellung reinen Siliziums- Siliz
Seite 7 und 8: Fräsen und Sägen Die Ingots werde
Seite 9 und 10: Schleifen, Ätzen und Polieren Wafe
Seite 11 und 12: Wafergrößen Waferdurchmesser werd
Seite 13 und 14: Elementare TechnologieschritteDigit
Seite 15 und 16: Polykristalines Silizium (kurz: 'Po
Seite 17 und 18: Thermische Oxidation Quartz-'Schiff
Seite 19 und 20: Lithographie: Prinzip Wichtiger Sch
Seite 21 und 22: Lithographie: Belichter / StepperSp
Seite 23 und 24: Lithographie: Grenzen Auflösung wi
Seite 25 und 26: Ionenimplantation Tiefenverteilung
Seite 27 und 28: Dosen und Energienhttp://www.aip.or
Seite 29 und 30: Diffusion Direktes Einbringen von F
Seite 31 und 32: SOI Waferproduktion durch 'Layer Tr
Seite 33 und 34: Planarisierung Bei vielen Lagen (z.
Seite 35 und 36: Abfolge der Prozeßschritte für CM
Seite 37 und 38: SiO 2 und Si 3 N 4 -Schichten + Pho
Seite 39 und 40: n-Wanne: Ätzen der Implantationsma
Seite 41 und 42: fertige n-WanneDigitale Schaltungst
Seite 43 und 44: Strukturierung der Maske für das F
Seite 45 und 46: Poly-Silizium + PhotolackDigitale S
Seite 47 und 48: Poly-Silizium: ÄtzenDigitale Schal
Seite 49 und 50: p + -Implantation: Implantation / D
Seite 51 und 52: n + -Implantation: Implantation/Dif
Seite 53 und 54: Strukturierung KontaktePhotolackIso
Seite 55 und 56:
Aluminium: Abscheidung (vereinfacht
Seite 57 und 58:
Aluminium: ÄtzenDigitale Schaltung
Seite 59 und 60:
Externe Applets zur Abfolge der Pro
Seite 61 und 62:
Isolation der Transistoren Das LOCO
Seite 63 und 64:
Dual-Damascene Vereint die zwei Dam
Seite 65 und 66:
In naher Zukunft: Strained Silicon
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