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Ätzen Entfernen von Material nach der Strukturierung des Photolacks Isotrope Verfahren: ätzen gleichförmig in alle Richtungen ⇒ Gefahr des UnterätzensNaßchemisches Ätzen und manches Plasmaätzen ('Trocken') Anisotrope Verfahren: entlang von Kristallrichtungen ⇒ Steilere Gräben, MEMSOder: Plasmaätzen. RIE = 'Reactive Ione Etching' oder KOH Selektives Ätzen (immer): Unterlage darf nicht angeätzt werden (z.B.: HF ätzt SiO 2aber nicht Si)Isotrop(Naß)Anisotrop(Trocken)Anisotrop(KOH)KOH greift (111) Ebene kaum an(Ätzraten:(100): 0.6µm/min,(110): 0.1µm/min,(111): 0.006µm/min = 1/100 x (100)Digitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 48
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