Herstellungs-Technologie

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SIMOX Wafer Spezielle Anwendung der Ionen-Implantation (hier mit Sauerstoff):Nach Implantation von O 2bildet sich in der Tiefe eine SiO 2Schicht. SIMOX Wafer (Separation by IMplantation of OXigen) Die Bauteile an der Oberfläche sind dann vom Bulk getrennt. Schaltungstechnisch vorteilhaft, kleinereKapazitäten, kein Latchup... 'Silicon on Insulator' = SOI "
SOI Waferproduktion durch 'Layer Transfer' 'layer transfer' - Methode zur Herstellung eines Silicon-On-Insulator (SOI) Wafern:1. Ein 'Support-Wafer' niedriger Qualität wird an der Oberfläche oxidiert2. Ein hochwertiger 'Donor'-Wafer wird flächig 'aufgebondet' (verschiedene Methoden)3. Der 'Donor'-Wafer wird abgerissen, dabei bleibt eine dünne Schicht 'gutes' Silizium zurück.um einen gutes Abtrennen zu gewährleisten wird der Donor Wafer vorher z.B. mit H 2implantiertDonor WaferDonor WaferH 2ImplantationSupport WaferSupport Wafer mit Oxid'bonden'der WaferthermischesodermechanischesAbtrennenMehr Info: http://www.us.design-reuse.com/soi/technology/Digitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 47
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