Herstellungs-Technologie

Lithographie: Grenzen Auflösung wird durch Wellenlänge der verwendeten Strahlung begrenzt ⇒ UV (193nm), E-UV (13.5nm) Hohe Tiefenschärfe erforderlich Lack sollte steile 'Gradationskurve' haben ('harter' Film) Unterscheide: Auflösung in einer Maske ⇔ Ausrichtung unterschiedlicher Masken (viel schlechter) ⇒ einer der Hauptgründe für Design-Regeln ⇒ 'Self aligned' Technology für die kritischen Schritte (Gate und Drain/Source!) Problem auch: Miss-Alignment durch thermische Ausdehnung der (großen) Wafer- Belichtung mit sehr kurzwelligem UV-Licht- Beachte das 'aspect ratio‚ (Dicke des Lacks /Breite der Strukturen) !Digitale Schaltungstechnik 2006 - TechnologieP. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 32