Herstellungs-Technologie

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Aufbringen von MaterialZum Aufbringen von Aluminium, Wolfram, Kupfer, Silizium, Si 3N 4('Nitride') gibt es 3 wichtige Verfahren: Verdampfung des Materials (bei Al über 700 0 C, bei Si noch höher), poly-kristalline Ablagerung auf demkaltem (Zimmertemp) Wafer Sputtering: Material wird mit Ionen (z.B. Ar mit keV Energie) beschossen, so daß Atomeherausgeschlagen werden. Die Temperatur kann daher niedriger sein (z.B. Al @
Polykristalines Silizium (kurz: 'Poly') Beim schnellen Aufwachsen bilden sich nur kleine Regionen mit dem 'richtigen' Kristallgitter Die einzelnen Regionen sind zufällig orientiert Dieses 'Poly'-(Silizium) ist ein wichtiges Material in den untersten Chip-Schichten (Gates!) Poly-Si wird meist dotiert um dem Widerstand zu reduzierten (RC-Zeitkonstanten!)amorph poly-kristallin EinkristallDigitale Schaltungstechnik 2006 - <strong>Technologie</strong>P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 19
Seite 1 und 2: Technologie - Vom Silizium zum Chip
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Seite 21 und 22: Lithographie: Belichter / StepperSp
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Seite 41 und 42: fertige n-WanneDigitale Schaltungst
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Seite 51 und 52: n + -Implantation: Implantation/Dif
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Seite 57 und 58: Aluminium: ÄtzenDigitale Schaltung
Seite 59 und 60: Externe Applets zur Abfolge der Pro
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Seite 65 und 66:
In naher Zukunft: Strained Silicon
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