vorläufiges Skript zur Vorlesung ES1 - Elektrotechnik
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<strong>Skript</strong> <strong>zur</strong> <strong>Vorlesung</strong> <strong>ES1</strong>, Fassung vom 9.Mai 2006, Prof.Dr.Arnold, FB1, FH-Ge 102<br />
Die Frequenzabhängigkeit der Diode wird in guter Näherung durch zwei Kapazitäten bestimmt,<br />
nämlich der<br />
Sperrschichtkapazität<br />
Cj =<br />
1<br />
Cj0<br />
U d<br />
U diff<br />
2 Cj0<br />
M<br />
für Ud < 0<br />
für Ud > 0<br />
wobei Udiff die Di¤usionsspannung (ca. 0:7 V bis 1 V), M der Gradationsexponent (ca. 1<br />
3<br />
und 1<br />
2 ) und Cj0 aus der Kapazitätskennlinie bestimmt wird. Polt man die Diode in Sperrrichtung,<br />
so wird die Sperrschicht mit der angelegten Sperrspennung grösser und damit<br />
die Kapazität kleiner, einen Sachverhalt den obige Gleichung beschreibt. Dieses Verhalten<br />
wird bei Kapazitätsdioden ausgenutzt. In der folgenden Abbildung ist der typische Verlauf<br />
der Sperrschichtkapazität über der Sperrspannung Ud dargestellt. Der Kurve liegen<br />
folgende Parameter zugrunde: M = 0:5, Vdiff = 0:8 und Cj0 = 10 pF.<br />
Polt man die Diode in Flussrichtung, so wird die Sperrschichtkapazität näherungsweise<br />
durch 2Cj0 ersetzt.<br />
und der Di¤usionskapazität<br />
Cd =<br />
Id0<br />
T<br />
UT<br />
wobei T die Transitzeit der Ladungsträger durch die Sperrschicht, UT die Temperaturspannung<br />
und Id0 der Strom im Arbeitspunkt der Diode ist.
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