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(MOCVD) oxidischer Dönnschich ten aus dem Materialsystem Barium

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30 2 Grundlagen<br />

� � sowie den Übergang zwischen den Extremfällen. Es wird ein Quellengemisch <strong>aus</strong><br />

Trägergas und reaktiven Dämpfen zugrunde gelegt [103].<br />

�� qCarrier Gas � 0<br />

Hier findet unter der Annahme, dass Massentransport der ra<strong>ten</strong>limitierende<br />

Mechanismus ist und keine chemische Reaktivität die Abscheidung begrenzt 13 , eine<br />

Abscheidung nur am Eingangsbereich des Reaktors (Zone mit Prozesstemperatur) bis<br />

zur vorderen Kante des Suszeptors statt. Dort bildet oder akkumuliert sich vielmehr der<br />

Festkörper <strong>aus</strong> der Gasphase. Mit Steigerung des Flusses nimmt die Wachstumsrate<br />

linear zu. Anhand dieser Abhängigkeit erkennt man schnell, dass die Effizienz in<br />

diesem Regime maximal ist. Für sehr kleine Flussra<strong>ten</strong> darf man ein<br />

thermodynamisches Gleichgewicht annehmen.<br />

�� qCarrier Gas � �<br />

Mit steigen<strong>dem</strong> Wert qCarrier Gas wird die Abscheidezone in Abgasrichtung (downstream,<br />

Exh<strong>aus</strong>t) hin auf das Substrat <strong>aus</strong>gedehnt. Die Abscheidung im Kan<strong>ten</strong>bereich des<br />

Suszeptors wird dann abnehmen, wenn die Residenzzeit kleiner ist als die chemische<br />

Reaktionszeitkonstante für eine Adsorption bzw. einen Einbau. Die Wachstumsrate auf<br />

<strong>dem</strong> Substrat steigt zunächst noch an, allerdings nicht linear. Grund hierfür ist eine<br />

Strömungsgrenzschicht über <strong>dem</strong> Substrat. Durch sie müssen die Filmprecursoren<br />

hindurch diffundieren. Die Effizienz fällt ab, da der ankommende reaktive Gasstrom<br />

nicht vollständig in die Diffusionskanäle einmündet. Steigt der Gasfluss weiter an,<br />

ändert sich der ra<strong>ten</strong>bestimmende Mechanismus von einer diffusionslimitier<strong>ten</strong><br />

Wachstumsrate hin zu einer Limitierung durch Oberflächenreaktionen. Hierdurch sind<br />

immer mehr Precursormoleküle an der Wachstumsgrenzfläche vorhanden als eingebaut<br />

werden können. Es kommt zu einem Verlust, die Effizienz fällt weiter. Die<br />

Wachstumsrate besitzt hier ihr Maximum. Beim mathematischen Grenzübergang<br />

qCarrier Gas � � wird der Ertrag und damit die Abscheidung gegen Null gehen.<br />

2.2.3 Chemische Reaktionen<br />

Umfangreiche Studien haben nachgewiesen, dass man für eine konkrete Modellbildung<br />

nur eine oder sehr wenige chemische Reaktion(en) annehmen darf. Allgemein laufen<br />

jedoch mehrere homogene 14 und heterogene 15 Reaktionen im Reaktor gleichzeitig ab<br />

13 Alle ankommenden reaktiven Moleküle bie<strong>ten</strong> sich zum Einbau an, was einer hundertprozentigen<br />

Effizienz entspricht. Das ist in der Realität nie der Fall.<br />

14 Homogene Reaktionen finden in der Gasphase über <strong>dem</strong> Substrat statt.<br />

15 Heterogene Reaktionen finden auf der heißen Oberfläche ab; diese wird mit einbezogen.

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