(MOCVD) oxidischer Dönnschich ten aus dem Materialsystem Barium

26 2 Grundlagen
A ist ein konstanter Vorfaktor; EAkt ist die aufzubringende Energie um
Oberflächenreaktionen zu aktivieren (Zersetzung). Die Formel zeigt die sehr starke
Temperaturabhängigkeit der Wachstumsrate in diesem Regime an.
Für beide oben aufgeführten Mechanismen wird nachfolgend ein bekanntes Beispiel aus
der polykristallinen Abscheidung von Silizium angegeben [192]. Die Wachstumsrate ist
über der inversen Temperatur aufgetragen (Bild 2.6).
Kurve A beschreibt das kinetisch limitierte Regime und B den diffusionslimitierten
Bereich. Die Kurve C ist die letztlich resultierende gesamte Wachstumsrate, die sich
asymptotisch an die beiden Einzelkurven anschmiegt. Man kann die
Gesamtwachstumsrate in Form von Gl. (2.12) darstellen.
Bild 2.6: Abhängigkeit der Wachstumsrate von der Prozesstemperatur für einen poly-Silizium-
Prozess (Precursor: SiCl4) [192]
1 1 1
� �
rges rkinrdiff (2.12)
Je kleiner eine Einzelrate ist, umso stärker bestimmt sie die Geschwindigkeit des
Gesamtwachstums. In der Realität vermischen sich die Einzelreaktionen und lassen sich
in der Regel nicht derart klar voneinander separieren.
LPCVD
Neben den Prozesstemperaturen (Quellen/Verdampfer, Reaktor) und den Gasflüssen ist
der Prozessdruck eine weitere entscheidende Größe. Mit der Abscheidung von
Verbundhalbleitern für mikro- und optoelektronische Bauteile ist der Unterdruck für die
CVD erschlossen worden. Der Hauptvorteil liegt in der größeren freien Weglänge der