(MOCVD) oxidischer Dönnschich ten aus dem Materialsystem Barium

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

1.3 Zielsetzung dieser Arbeit 7 Versuchsreihen notwendig, um einen Arbeitspunkt für gleichmäßige Verdampfung aller Einzelspezies unter der Randbedingung der maximalen Abscheideeffizienz einzustellen. Die Injektionsparametrisierung sowie eine optimale Beheizung sind hierbei die wesentlichen Aspekte. Neben optionalen chemischen Analysen der Ausgangsstoffe sind Einzelabscheidungen und eine analytische Charakterisierung der Binäroxide BaO, TiO2 und ZrO2 auf dem gleichen Substratmaterial dem Wachstum des Perovskitfilms vorangestellt. c) Das Kernziel dieser Arbeit ist unterteilt in zwei Themenkomplexe: Herstellung polykristalliner dünner Filme aus der Mischreihe Ba(Ti1-xZrx)O3 (BTZ) mittels MOCVD und deren Charakterisierung. Zur Umsetzung dieses Ziels muss ein neuer MOCVD-Prozess entwickelt werden. Die prozessseitig gewonnenen Rückschlüsse sollen zu den ‚Deviceeigenschaften’ der Teststrukturen in Beziehung gesetzt werden. �� Filmherstellung. Sämtliche gewonnenen Prozessparameter sind für die Abscheidung des quaternären Oxids im Horizontalreaktor AIX-200 auf der Grundlage von b) zu optimieren. Für die gemeinsame Abscheidung aller drei Komponenten ist eine Bestimmung des Reaktorprozessfensters durch die bestimmenden Prozessgrößen (Precursorflussrate, Gasflüsse, Druck, Temperaturen) notwendig, so dass die Materialeigenschaften entsprechend den Spezifikationen optimiert werden können. Die höchste Priorität genießt hierbei die Reaktortemperatur als primäre Variable zur Beeinflussung von Prozesseffizienz und Stöchiometrie. Weitere wichtige Themen sind Methoden der Precursormischung und -zufuhr (Einzeleinspeisung oder Einsatz von gemischten Lösungen), Studien zum Oxidationsverhalten (Einfluss der Phasenbildung von Art und Größe der Oxidationsgase) und zur Keimbildung. Für die angestrebte Herstellung ultradünner Oxidfilme soll an dieser Laboranlage der Nachweis der Dickenkontrolle und Linearität der Filmdicke mit der Pulszahl erbracht werden. Zur Vervollständigung der Beurteilung sind Abscheidungen der ternären Endsysteme, BaTiO3 und BaZrO3, geplant. �� Filmcharakterisierung. Abgeschiedene Schichten werden prozessbegleitend analytisch charakterisiert. Neben kinetischen Analysen (Stöchiometrie, Wachstumsrate und/oder Effizienz) und strukturellen Analysen (Phasenbildung und -reinheit, mögliche Wachstumsorientierungen (Textur)) sind morphologische und topologische Eigenschaften der Filme im Hinblick auf die spätere Metallisierung (Interface) ausschlaggebend. Zur präzisen Bestimmung der Filmkomposition (Stöchiometrie) und -dicke wird im Rahmen dieser Arbeit erstmals eine neu entwickelte standardisierte Röntgenfluoreszenzanalyse speziell für das BTZ-Dünnschichtsystem implementiert. Fertig hergestellte MIM-Stacks (Pt/BTZ/Pt) sollen elektrisch charakterisiert werden. Hierbei steht die Bestimmung der relativen Dielektrizitätszahl, der dielektrischen Verluste und die Durchstimmbarkeit der Kondensatorstrukturen im Vordergrund.
8 1 Einleitung
Seite 1 und 2: Institut für Festkörperforschung
Seite 4 und 5: Metallorganische Gasphasenabscheidu
Seite 6: Abstract This thesis targets for th
Seite 10 und 11: Inhalt Inhalt......................
Seite 12 und 13: Inhalt iii 5.2.4 Single Cocktail...
Seite 14 und 15: Symbole, Abkürzungen und Konstante
Seite 20 und 21: 1 Einleitung 1.1 Wissenschaftlich-t
Seite 22 und 23: 1.1 Wissenschaftlich-technische Rel
Seite 24 und 25: 1.2 Stand der Kenntnis 5 Gigabit-Ge
Seite 28 und 29: 2 Grundlagen Die vorliegende Arbeit
Seite 30 und 31: 2.1 Komplexe Erdalkalimetall-Oxide
Seite 40 und 41: 2.2 Chemical Vapor Deposition 21 ab
Seite 42 und 43: 2.2 Chemical Vapor Deposition 23 PV
Seite 44 und 45: 2.2 Chemical Vapor Deposition 25 ak
Seite 46 und 47: 2.2 Chemical Vapor Deposition 27 Pr
Seite 48 und 49: 2.2 Chemical Vapor Deposition 29
Seite 50 und 51: 2.2 Chemical Vapor Deposition 31 [2
Seite 52 und 53: 2.2 Chemical Vapor Deposition 33 un
Seite 54 und 55: 2.2 Chemical Vapor Deposition 35 Ve
Seite 56 und 57: 2.2 Chemical Vapor Deposition 37
Seite 58 und 59: 2.2 Chemical Vapor Deposition 39 si
Seite 60 und 61: 2.2 Chemical Vapor Deposition 41 Mo
Seite 62 und 63: 2.2 Chemical Vapor Deposition 43 so
Seite 64 und 65: 2.2 Chemical Vapor Deposition 45 Ob
Seite 66 und 67: 2.2 Chemical Vapor Deposition 47 en
Seite 68 und 69: 2.2 Chemical Vapor Deposition 49 Gi
Seite 70 und 71: 3 MOCVD-Anlage und Prozessführung
Seite 72 und 73: 3.1 Versuchsanlage 53 methoxylethyl
Seite 74 und 75: 3.1 Versuchsanlage 55 Bild 3.4: Ans
Seite 76 und 77:
3.1 Versuchsanlage 57 mit Vakuum wu
Seite 78 und 79:
3.1 Versuchsanlage 59 Bild 3.8: Inn
Seite 80 und 81:
3.1 Versuchsanlage 61 [123] 6 . Das
Seite 82 und 83:
3.1 Versuchsanlage 63 b) Spülgase
Seite 84 und 85:
3.1 Versuchsanlage 65 vernachlässi
Seite 86 und 87:
3.1 Versuchsanlage 67 Systemdruck [
Seite 88 und 89:
3.2 Prozessführung 69 Bild 3.15: A
Seite 90 und 91:
3.2 Prozessführung 71 Befüllen de
Seite 92 und 93:
3.2 Prozessführung 73 Ventilen (li
Seite 94 und 95:
3.2 Prozessführung 75 Anzeigewert
Seite 96 und 97:
3.2 Prozessführung 77 ist durch di
Seite 98 und 99:
4 Analytische Methoden In diesem Ka
Seite 100 und 101:
4.1 Röntgenfluoreszenzanalyse 81 M
Seite 102 und 103:
4.2 Röntgenbeugungsanalyse 83 4.2
Seite 104 und 105:
4.4 Rasterelektronenmikroskopie 85
Seite 106 und 107:
5 CVD-Prozess und Filmwachstum 5.1
Seite 108 und 109:
5.2 Metall-organische Quellen und P
Seite 110 und 111:
5.2 Metall-organische Quellen und P
Seite 112 und 113:
5.3 Injektion 93 normiert. Unter de
Seite 114 und 115:
5.3 Injektion 95 kritischen Pulswei
Seite 116 und 117:
5.4 Verdampfung 97 5.4 Verdampfung
Seite 118 und 119:
5.5 Reaktorparameter 99 � / (Puls
Seite 120 und 121:
5.5 Reaktorparameter 101 Der Koeffi
Seite 122 und 123:
5.5 Reaktorparameter 103 Intensitä
Seite 124 und 125:
5.5 Reaktorparameter 105 ln (Molare
Seite 126 und 127:
5.5 Reaktorparameter 107 Filmwachst
Seite 128 und 129:
5.5 Reaktorparameter 109 wiederum e
Seite 130 und 131:
5.5 Reaktorparameter 111 Bild 5.18:
Seite 132 und 133:
5.5 Reaktorparameter 113 Intensitä
Seite 134 und 135:
5.5 Reaktorparameter 115 70. Auffä
Seite 136 und 137:
5.5 Reaktorparameter 117 offenbart,
Seite 138 und 139:
5.6 Vorbemerkung zur Prozessoptimie
Seite 140 und 141:
5.7 Wachstumskontrolle 121 BTO-Schi
Seite 142 und 143:
5.7 Wachstumskontrolle 123 Intensit
Seite 144 und 145:
5.8 Stöchiometriekontrolle 125 die
Seite 146 und 147:
5.8 Stöchiometriekontrolle 127 Kri
Seite 148 und 149:
6 Elektrische Charakterisierung und
Seite 150 und 151:
6.2 Dielektrische Charakterisierung
Seite 152 und 153:
6.3 Messergebnisse 133 6.3 Messerge
Seite 154 und 155:
6.3 Messergebnisse 135 wesentlichen
Seite 156 und 157:
6.3 Messergebnisse 137 Signalfreque
Seite 158 und 159:
6.4 Diskussion 139 � r 40 *10 3 3
Seite 160 und 161:
6.4 Diskussion 141 d) Leckstromessu
Seite 162 und 163:
7 Schlussfolgerungen 7.1 Zusammenfa
Seite 164 und 165:
7 Schlussfolgerungen 145 Kristallis
Seite 166 und 167:
7 Schlussfolgerungen 147 Absatz). G
Seite 168 und 169:
7 Schlussfolgerungen 149 Strukturko
Seite 170 und 171:
Anhang A Übersicht über Probendat
Seite 172 und 173:
Probe Precursormischung Temp.Verd.
Seite 174 und 175:
Literatur [1] http://www.bmbf.de/pu
Seite 176 und 177:
Literatur 157 [28] D. E. Kotecki, J
Seite 178 und 179:
Literatur 159 SrTiO3, Z. Physik 258
Seite 180 und 181:
Literatur 161 Phase transition beha
Seite 182 und 183:
Literatur 163 [111] R. F. Banshah,
Seite 184 und 185:
Literatur 165 Hodeau, Pulsed liquid
Seite 186 und 187:
Literatur 167 [163] A. Teren, S. Re
Seite 188 und 189:
Literatur 169 Soc. Symp. Proc. 168,
Seite 190 und 191:
Literatur 171 [218] K. Wetzig, D. S
Seite 192 und 193:
Literatur 173 and R. Waser, An inte
Seite 194 und 195:
Danksagung Diese Arbeit ist am Inst
Seite 196:
Forschungszentrum Jülich in der He
Alle anzeigen

(MOCVD) oxidischer Dönnschich ten aus dem Materialsystem Barium

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?