(MOCVD) oxidischer Dönnschich ten aus dem Materialsystem Barium
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viii Symbole, Abkürzungen und Konstan<strong>ten</strong><br />
PZT<br />
PFPE Perfluoropolyether (‘Fomblin’)<br />
PLZT Lanthan-dotiertes Blei-Zirkonat-Titanat<br />
PMMA Poly-methylmethacrylate (Polymerverbindung)<br />
O i Pr iso-Propoxid (C3H7O)<br />
SrBi2Ta2O9 ,<br />
SBT<br />
Strontium-Wismuth-Tantalat<br />
SNTO Niob-dotiertes Strontiumtitanat<br />
SrRuO3 , SRO Strontium-Ruthinat<br />
thd Tetra-Methylheptadionat (C11H19O2)<br />
Symbole und Operatoren<br />
Å Angstrøm – Einheit der atomaren Dimensionen (1 Å = 10 -10 m)<br />
� Differentialoperator (partielle Ableitung)<br />
� Nabla-Operator (Gradient)<br />
Abkürzungen<br />
AFM Atomic Force Microscopy<br />
AVD Atomic Vapor Deposition®<br />
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor<br />
CNT carbon nano tube<br />
CSD Chemical Solution Deposition<br />
DDR Double Data Rate<br />
DK Dielektrizitätskonstante<br />
DRAM Dynamic Random Access Memory<br />
EEPROM Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (nicht-flüchtiger<br />
Speicher)<br />
eff Effizienz<br />
EIA Electronic Industries Alliance<br />
EPROM Electrically Programmable Read Only Memory (nicht-flüchtiger Speicher)<br />
EPV Elektrisch-pneumatisches Ventil<br />
F&E Forschung und Entwicklung<br />
FeRAM Ferroelectric Random Access Memory<br />
FGA Forming Gas Atmosphere<br />
FIB Focused Ion Beam<br />
fom Figure of Merit<br />
FTIR Fourier Transform Infrared Spectroscopy<br />
GFR Gas Foil Rotation<br />
Gl. Gleichung<br />
HTPC High Temperature Proton Conductor<br />
ICDD International Centre for Diffraction Data®<br />
IPC Industrial PC<br />
IUPAC International Union of Pure and Applied Chemistry<br />
JCPDS Joint Committee for Powder Diffraction Standards<br />
LDS Liquid Delivery System<br />
LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition<br />
LSCMD Liquid Source Chemical Misted Deposition
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