WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Gleichgrößen Wechselgrößen Passive Netzwerke Tiefpass Hochpass Bandpass Bandsperre Schwingkreise Einführung Begriffe ’komplexer’ Widerstand, Impedanz Z Wirkwiderstand, Resistanz R Blindwiderstand, Reaktanz X ’komplexer’ Leitwert, Admittanz Y Wirkleitwert, Konduktanz G Blindleitwert, Suszeptanz B WS 2012 Seite 42/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Gleichgrößen Wechselgrößen Passive Netzwerke Tiefpass Hochpass Bandpass Bandsperre Schwingkreise iC(t) vC(t) C Einführung Kondensator Kondensator, Elektrolytkondensator, Drehkondensator, Trimmkondensator Kapazität Der Proportionalitätsfaktor zwischen angelegter Spannung V und gespeicherter Ladung Q wird Kapazität C genannt. Q = C · V WS 2012 Seite 43/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Gleichgrößen<br />
Wechselgrößen<br />
Passive Netzwerke<br />
Tiefpass<br />
Hochpass<br />
Bandpass<br />
Bandsperre<br />
Schwingkreise<br />
Einführung<br />
Begriffe<br />
’komplexer’ Widerstand, Impedanz Z<br />
Wirkwiderstand, Resistanz R<br />
Blindwiderstand, Reaktanz X<br />
’komplexer’ Leitwert, Admittanz Y<br />
Wirkleitwert, Konduktanz G<br />
Blindleitwert, Suszeptanz B<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 42/381
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