WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Idealer OPAMP<br />

Gegenkopplung<br />

Realer OPAMP<br />

Aufbau<br />

Frequenzgang<br />

Spezifikationen<br />

Stabilität<br />

Realer OPAMP<br />

Frequenzgang<br />

Bei allen mehrstufigen Verstärkern treten mehrere<br />

Grenzfrequenzen auf, die im ungünstigsten Fall zu instabilen<br />

Verhältnissen führen können.<br />

Grenzfrequenz des Differenzverstärkers fg1<br />

Betrieb mit geringen Strömen und großen<br />

Arbeitswiderständen<br />

Grenzfrequenz der Verstärkerstufe fg2<br />

Kollektor-Basis-Kapazität des Darlington-Transistors wirkt<br />

als Spannungsgegenkopplung<br />

Grenzfrequenz der Ausgangstransistoren fg3<br />

pnp-Transistoren besitzen eine geringere Transitfrequenz<br />

als npn-Transistoren<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 292/381

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