WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung B vBE ve Grundschaltungen rBE iB Spannungsverstärkung ie E iR4 R4 iC S · vBE β · iB Masche am Eingang: vBE + ve = 0 → ve = −vBE C R3 iR3 Steilheit: iC = S · vBE = −S · ve Ausgangsknoten: ia = ic + iR3 Leerlauf iR3 = −iC Masche am Ausgang: va = iR3 · R3 = −iC · R3 ia WS 2012 Seite 252/381 va
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung Grundschaltungen va = S · R3 · ve → Av ≈ S · R3 Spannungsverstärkung der Basisschaltung Die Spannungsverstärkung der Basisstufe ist näherungsweise das Produkt aus Steilheit und Kollektorwiderstand. Sie besitzt keine Phasendrehung. Eingangswiderstand rCE >>; ie − ve vBE = −ve; ie = ve ie − iR4 + iB + iC = 0 R4 R4 + vBE rBE + S · vBE = 0 + ve +S·ve → rBE 1 = re ie = ve 1 + R4 1 +S rBE WS 2012 Seite 253/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Allgemeines<br />
Arbeitspunktwahl<br />
AP-Einstellung<br />
V-Gegenkopplung<br />
I-Gegenkopplung<br />
Dimensionierung<br />
Grundschaltungen<br />
Emitterschaltung<br />
Basisschaltung<br />
Kollektorschaltung<br />
B<br />
vBE<br />
ve<br />
Grundschaltungen<br />
rBE<br />
iB<br />
Spannungsverstärkung<br />
ie<br />
E<br />
iR4<br />
R4<br />
iC<br />
S · vBE<br />
β · iB<br />
Masche am Eingang: vBE + ve = 0 → ve = −vBE<br />
C<br />
R3<br />
iR3<br />
Steilheit: iC = S · vBE = −S · ve<br />
Ausgangsknoten: ia = ic + iR3 Leerlauf iR3 = −iC<br />
Masche am Ausgang: va = iR3 · R3 = −iC · R3<br />
ia<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 252/381<br />
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